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Samsung Electronics desenvolve a primeira tecnologia de empacotamento de chips 3D-TSV de 12 camadas do setor.

 

A nova tecnologia permite o empilhamento de 12 chips DRAM usando mais de  60.000 furos TSV, mantendo a mesma espessura que os atuais chips de 8 camadas

 

A Samsung Electronics, líder mundial em tecnologia avançada de semicondutores, anunciou hoje que desenvolveu a primeira tecnologia 3D-TSV de 12 camadas (Through Silicon Via) do setor.

 

A nova inovação da Samsung é considerada uma das tecnologias de embalagem mais desafiadoras para a produção em massa de chips de alto desempenho, pois requer precisão para interconectar verticalmente 12 chips DRAM através de uma configuração tridimensional de mais de 60.000 furos TSV, cada um dos quais é um -extrai a espessura de uma única mecha de cabelo humano.

 

A espessura do pacote (720㎛) permanece a mesma dos produtos atuais de alta largura de banda de memória de banda dupla 2 (HBM2), o que representa um avanço substancial no design de componentes. Isso ajudará os clientes a lançar produtos de alta capacidade e de próxima geração com maior capacidade de desempenho sem precisar alterar os designs de configuração do sistema.

 

Além disso, a tecnologia de empacotamento 3D também apresenta um menor tempo de transmissão de dados entre os chips do que a tecnologia de ligação de fio atualmente existente, resultando em velocidade significativamente mais rápida e menor consumo de energia.

 

"A tecnologia de embalagem que protege todos os meandros da memória de desempenho ultra-poderoso está se tornando tremendamente importante, com a ampla variedade de aplicativos da nova era, como inteligência artificial (IA) e computação de alta potência (HPC)", disse Hong-Joo Baek , vice-presidente executivo do TSP (pacote de teste e sistema) da Samsung Electronics.

 

“À medida que a expansão da lei de Moore atinge seu limite, espera-se que o papel da tecnologia 3D-TSV se torne ainda mais crítico. Queremos estar na vanguarda dessa tecnologia de embalagem de chips de última geração. ”

 

Baseando-se em sua tecnologia 3D-TSV de 12 camadas, a Samsung oferecerá o mais alto desempenho de DRAM para aplicativos com uso intensivo de dados e velocidade extremamente alta.

 

Além disso, ao aumentar o número de camadas empilhadas de oito para 12, a Samsung em breve poderá produzir em massa 24 Gigabytes (GB) * de alta largura de banda de memória, o que fornece três vezes a capacidade de 8 GB de alta largura de banda no mercado hoje.

 

A Samsung poderá atender à crescente demanda do mercado por soluções HBM de alta capacidade com sua tecnologia de ponta TSV 3D de 12 camadas e espera solidificar sua liderança no mercado de semicondutores premium.

 

* Produto de produção em massa de 8 GB = 8 GB x 8 camadas, produto desenvolvido em 24 GB = 16 GB x 12 camadas

 

* Estrutura de seção transversal PKG

 

image.png

* Ligação de arame vs tecnologia TSV

 

image.png

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  • Joinha 1
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