dúvida Samsung RV420 BA41-01580A Mosfet equivalente

[diegosgarcia]

Pessoal essa placa chegou em curto pra mim e achei esse mosfet 6414a em curto, esse achei um idêntico, mas o esta com uma resistência muito baixa 130ohm e gostaria de trocar, ele é um FDMS0308AS, o problema é que para esse não achei um substituto indicado, o mais perto que tenho é um aon6912a

 

Type Designator: FDMS0308AS                                                                 Type Designator: AON6912A

Type of Transistor: MOSFET                                                                       Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel                                                        Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 2.5 W                                                 Maximum Power Dissipation (Pd): 22(30) W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V                                             Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V                                               Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3 V                                     Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.5 V

Maximum Drain Current |Id|: 24 A                                                               Maximum Drain Current |Id|: 34(52) A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C                                           Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 34 nC

Rise Time (tr): 4.5 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 815 pF                                                     Drain-Source Capacitance (Cd): 125(490) pF

Maxi Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0028 Ohm               Max Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0137(0.0073) Ohm

 

sempre me usei o site alltransistors.com como meio de buscar equivalentes, será que dá pra por esse cara ai sem problemas ? ele está na fonte vgfx_core.

Editado: 2 de Abril de 2021 por diegosgarcia

[curtolo]

@diegosgarcia , não amigo, não pode.   O AO6912a é um mosfet duplo, enquanto que o AP6414a é simples.     Terá q procurar outro.    Veja os datasheets:

 

Você não tem permissão para ver links. Faça login ou cadastre-se.

 

 

Esse outro - FDMS0308AS, esse pode!!

 

 

[diegosgarcia]

1 minuto atrás, curtolo disse:

@diegosgarcia , não amigo, não pode.   O AO6912a é um mosfet duplo, enquanto que o AP6414a é simples.     Terá q procurar outro.    Veja os datasheets:

 

Você não tem permissão para ver links. Faça login ou cadastre-se.

 

 

 

Putz que mancada rsrsrs não me atentei a isso, quais os principais parâmetros que devo me atentar? 

[curtolo]

@diegosgarcia , transferi seu tópico para uma área mais adequada -> Identificação e Equivalência de Componentes.   Caso tenha mais alguma dúvida e queira a ajuda dos colegas para uma análise, crie um novo tópico em Notebooks.

[curtolo]

3 minutos atrás, diegosgarcia disse:

quais os principais parâmetros que devo me atentar? 

É o padrão, canal, tensão e corrente.    Tem q baixar o datasheet e verificar esses parâmetros, e ao bater os olhos no desenho do componente vc já percebe se é o mesmo encapsulamento e se é simples ou duplo.

 

Quando preciso de algum equivalente, se vou retirar de sucatas, procuro um componente no mesmo circuito, as chances de serem bem próximos ou até iguais são maiores.

[diegosgarcia]

8 minutos atrás, curtolo disse:

É o padrão, canal, tensão e corrente.    Tem q baixar o datasheet e verificar esses parâmetros, e ao bater os olhos no desenho do componente vc já percebe se é o mesmo encapsulamento e se é simples ou duplo.

 

Quando preciso de algum equivalente, se vou retirar de sucatas, procuro um componente no mesmo circuito, as chances de serem bem próximos ou até iguais são maiores.

quanto a tensão tenho algumas duvidas por exemplo tenho esse outro onde a corrente está acima então creio ser seguro, o rds é praticamente idêntico apesar não saber como ele iria interferir nesta situação, essa tensão "Maximum Gate-Source Voltage" no caso abaixo é 12v sendo que o original é 20v já não serviria certo ?

 

Type Designator: AON6554

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 70 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 12 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.2 V

Maximum Drain Current |Id|: 85 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Rise Time (tr): 4.5 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 880 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0029 Ohm

Package: DFN5x6

[curtolo]

13 minutos atrás, diegosgarcia disse:

onde a corrente está acima

Eu, particularmente, não o usaria justamente por isso, é muito acima.     Use o FDMS0308AS mesmo.    O q acha @zazulak?

[zazulak]

Buenas,

 

em se tratando de FETs para notebook, a corrente máxima suportada não é tão importante, porque geralmente ele é usado bem abaixo do limite. 

 

Fora as características óbvias (se é canal N ou canal P, simples ou duplo, pinagem, etc..), é bom conferir o RDSOn e se ele é logic level.

 

Explicando melhor: O RDSOn determina o quanto de energia o fet vai dissipar quando estiver em condução. Nem sempre um fet que suporte mais corrente vai esquentar menos, por isso a corrente máxima não é tão importante.

Por exemplo, fazendo uma comparação tosca (porque o invólucro é diferente), o IRF9540 suporta 19 amperes, e o AON4435 suporta 10. Numa aplicação, como a comutação da entrada de energia de um notebook, o IRF iria funcionar melhor, certo? Errado. O IRF9540 tem um RDSOn de 0,2 ohms, e no AO4435  o RDSOn é de 0,018 ohms. Com uma corrente de 3 amperes, o IRF iria jogar fora 1,8 watts, e o 4435 iria dissipar apenas 0,16W. Como fets em notebook não são colocados em dissipadores, esse parâmetro é importante, porque uma dissipação de poucos watts já é suficiente para o fet aquecer até queimar. 

 

Sobre o 'logic level': Alguns fets são feitos para atingir o estado de saturação com 10 volts entre gate e source. Os designados como logic level atingem com 4,5 volts. Numa aplicação onde a tensão de acionamento é igual ou maior que 10V, tudo bem. Mas, em notebooks, onde eles geralmente são acionados com 5 volts vindos de uma porta lógica ou integrado controlador PWM, se você colocar um fet que não é feito para trabalhar com nível lógico (4,5V) num local onde a tensão de acionamento não passa de 5V, ele não vai saturar, e possivelmente vai aquecer até queimar. 

 

 

[zazulak]

Um exemplo prático, não é de notebook, mas acho que dá pra pegar a idéia:

 

Nobreak Enermax YUP-E 600. Ele usa originalmente um par de IRF2805 no inversor, e o pessoal costuma colocar IRF3205, que é mais fácil de achar nas lojas.

 

IRF2805

Corrente máxima: 75A

Tensão máxima: 55V

RDSOn: 4,7 miliohms

 

IRF3205

Corrente máxima: 110A

Tensão máxima: 55V

RDSOn: 8 miliohms

 

Supostamente, com IRF3205 o nobreak deveria funcionar normalmente, porque o 3205 suporta mais corrente que o 2805, né?

Só que não... como o IRF3205 tem um RDSOn maior, o nobreak passa a se desligar por sobrecarga com menos carga na saída. O circuito de proteção contra sobrecarga desse nobreak monitora a queda de tensão sobre os fets quando eles estão acionados. Como o 3205 tem uma queda de tensão maior devido ao maior RDSOn, ele sinaliza sobrecarga com pouco mais da metade da carga nominal (245W, segundo a especificação). Se colocar na saída uma lâmpada de 200W ele já abre o bico, e com os fets originais ele suporta. Além disso, com os 3205 os dissipadores do inversor esquentam mais do que os 2805 originais.