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About LuisStegel

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  1. Olá @Adsant30. E qual seu nível de conhecimento em eletrônica?
  2. Salientar que não se trata de esquema (schematics) e sim de SOMENTE diagrama de bloco da pci principal. Modificar o nome se for possível. 👍
  3. @Oliveira Tec Tudo bem amigo? Dei uma boa pesquisada e só localizei da CS220. Essa em específico somente tentando com uma autorizada.
  4. Boa tarde amigo @AMD. Se não fosse por essa sua postagem eu não teria resolvido esse problema (pois não tenho esse manual técnico do G610). Assisti vários vídeos explicativos todos se referindo ao Thermistor mas meu caso não era ele. Obrigado amigo. Mais um caso resolvido 👍
  5. Baterias de sódio contra baterias de lítio As baterias de íons de lítio são os sistemas de armazenamento de energia eletroquímica preferidos para uma ampla variedade de aplicações. No entanto, outros tipos de tecnologias emergentes já estão se preparando para oferecer baterias mais baratas e menos danosas ao meio ambiente. Entre elas, as baterias de íons de sódio (Na) têm mostrado grande potencial para representar a próxima geração de solução de armazenamento de energia de baixo custo e ecologicamente correta. Para fazer um balanço da situação, um time de especialistas na área, de pelo menos oito universidades europeias, combinou seu conhecimento e experiência para avaliar o status atual da tecnologia de íons de sódio, avaliando desde os materiais até o desenvolvimento das células, oferecendo uma comparação realista dos indicadores-chave de desempenho para as baterias de lítio e de sódio. Eles afirmam que as baterias à base de sódio oferecem uma combinação de propriedades atraentes. Elas são de baixo custo, usam precursores sustentáveis e têm um abastecimento seguro de matéria-prima. Além disso, elas são promissoras porque podem ser produzidas nas mesmas instalações de fabricação das baterias de íons de lítio já existentes. Tipos de baterias de sódio Assim como as baterias baseados em lítio, as baterias baseadas em sódio vêm em diferentes formas, como íons de sódio, baterias de sódio de estado sólido, baterias sódio-ar e baterias de sódio-enxofre. Embora as duas últimas sejam vistas como tecnologias revolucionárias do futuro, a tecnologia íons de sódio representa uma tecnologia atraente quase pronta para desafiar as baterias de íons de lítio em aplicações específicas. Os especialistas indicam que, com o desenvolvimento recente, os melhores materiais atuais disponíveis para células de íons de sódio devem permitir fabricar baterias com uma densidade de energia muito próxima à da atual geração de células comerciais de íons de lítio. Um dos campos de aplicação mais importantes para os protótipos de baterias de íons de sódio são certamente os sistemas de armazenamento de energia estacionários, onde o custo e o ciclo de vida representam dois parâmetros fundamentais. "Neste campo, as baterias de íons de sódio têm o potencial de dominar o mercado futuro, representando o sistema mais promissor para preencher a lacuna entre a produção e a utilização de energia, garantindo o fornecimento de energia. No entanto, as aplicações de alta potência no campo automotivo eletrificado são um nicho potencial de aplicação para as baterias de íons de sódio," disse a professora Ivana Hasa, da Universidade do Warwick, membro do painel de especialistas. Roteiro tecnológico para baterias de sódio A equipe também aponta o que falta fazer. Por exemplo, melhorias tecnológicas são necessárias para aumentar o desempenho das baterias de sódio, especialmente em termos de densidade de energia. Mas é preciso levar em conta que resultados extremamente encorajadores foram alcançados para a tecnologia de íons de sódio em um tempo mais curto do que o que se obteve com a tecnologia de íons de lítio, quando essas baterias começaram a ser desenvolvidas. Segundo a equipe, o aprimoramento tecnológico será alcançado pela otimização da fabricação e da montagem dos componentes das células, como ocorreu nos últimos trinta anos para a tecnologia de lítio. "Do ponto de vista da pesquisa aplicada, os esforços de pesquisa futuros devem ser dedicados à pesquisa fundamental, descoberta de materiais e compreensão dos processos termodinâmicos e cinéticos que governam a química desses sistemas. Além disso, a investigação de baterias de íons de sódio em larga escala é de importância fundamental para se obter dados realistas para avaliar o progresso da tecnologia, bem como a adoção de uma metodologia comum para relatar os avanços entre a comunidade científica, permitindo uma comparação justa entre os resultados de desempenho," disse Hasa. Bibliografia: Artigo: Challenges of today for Na-based batteries of the future: From materials to cell metrics Autores: Ivana Hasa, Sathiya Mariyappan, Damien Saurel, Philipp Adelhelm, Alexey Y. Koposov, Christian Masquelier, Laurence Croguennec, Montse Casas-Cabanas Revista: Journal of Power Sources Vol.: 482, 228872 DOI: 10.1016/j.jpowsour.2020.228872 Fonte: Site Inovação Tecnológica https://www.inovacaotecnologica.com.br
  6. Memória magnética rápida Uma equipe internacional de pesquisadores e engenheiros criou uma nova técnica para inversão da magnetização - o processo usado para gravar e apagar informações em memórias magnéticas - que é quase 100 vezes mais rápida do que os dispositivos spintrônicos de última geração. O avanço promete viabilizar o desenvolvimento de memórias magnéticas ultrarrápidas para chips de computador - além de gastar pouca energia, elas mantêm os dados mesmo na falta de energia. Componentes spintrônicos são alternativas atraentes às memórias de computador convencionais - a família das RAMs -, mas têm ficado restritos aos discos de backup por suas velocidades relativamente lentas, já que dependem de memórias magnéticas, que demoram mais para serem manipuladas do que as elétricas. Kaushalya Jhuria e seus colegas demonstraram agora uma técnica que usa pulsos elétricos extremamente curtos - 6 picossegundos de duração - para alternar a magnetização de um filme fino em um dispositivo magnético com grande eficiência energética. Um picossegundo equivalente a um trilionésimo de segundo, o que coloca as memórias magnéticas na mesma casa com que é medida a velocidade das memórias RAM atuais. Memória spintrônica Nas memórias convencionais, os 0s e 1s dos dados binários são armazenados como os estados "ligado" ou "desligado" de transistores de silício individuais. Nas memórias magnéticas, essa mesma informação é armazenada como polaridades opostas da magnetização, que geralmente são consideradas como os estados "para cima" ou "para baixo". Componentes spintrônicos de última geração são feitos com componentes que apresentam um efeito conhecido como torque spin-órbita. Nesses componentes, uma pequena área de um filme magnético (um bit magnético) é depositada sobre um fio metálico. Uma corrente fluindo através do fio gera um fluxo de elétrons com um momento magnético, também chamado de spin. Isso, por sua vez, exerce um torque magnético - chamado de torque spin-órbita - no bit magnética. E o torque spin-órbita pode então mudar a polaridade do bit. Componentes de última geração que funcionam com base nesse princípio exigem pulsos de corrente de pelo menos 1 nanossegundo para gravar ou apagar o bit magnético, enquanto os transistores nas memórias RAM de última geração alternam em apenas 1 a 2 picossegundos (1 nanossegundo equivale a 1000 picossegundos). A equipe conseguiu chavear sua memória spintrônica em 6 picossegundos, o que a torna vantajosa para muitas aplicações, considerando que ela consome menos energia e é não-volátil. "A alta eficiência energética deste novo processo de comutação magnética ultrarrápida foi uma grande e muito bem-vinda surpresa," disse o professor Jeffrey Bokor, da Universidade de Berkeley. "Esse dispositivo spintrônico de alta velocidade e baixo consumo de energia pode potencialmente enfrentar as limitações de desempenho dos sistemas de memória de nível de processador atuais e também pode ser usado para aplicações lógicas." Bibliografia: Artigo: Spin-orbit torque switching of a ferromagnet with picosecond electrical pulses Autores: Kaushalya Jhuria, Julius Hohlfeld, Akshay Pattabi, Elodie Martin, Aldo Ygnacio Arriola Córdova, Xinping Shi, Roberto Lo Conte, Sebastien Petit-Watelot, Juan Carlos Rojas-Sanchez, Gregory Malinowski, Stéphane Mangin, Aristide Lemaître, Michel Hehn, Jeffrey Bokor, Richard B. Wilson, Jon Gorchon Revista: Nature Electronics DOI: 10.1038/s41928-020-00488-3 Fonte: Site Inovação Tecnológica https://www.inovacaotecnologica.com.br
  7. Transístor de ponto quântico Os pontos quânticos que deram um impulso na qualidade da imagem das TVs prometem agora dar um impulso na capacidade e na velocidade de processamento dos computadores. Hyeong Yun e colegas do Laboratório Nacional Los Alamos e da Universidade da Califórnia criaram transistores de pontos quânticos totalmente funcionais e já demonstraram seu funcionamento em circuitos capazes de executar operações lógicas. Os primeiros transistores de pontos quânticos em materiais semicondutores foram construídos em 2004, mas até agora vinha sendo difícil produzir as duas versões desse componente necessárias para fazer computações: os transistores de tipo p (positivo) e de tipo n (negativo). Esses pares de transistores são complementares e são tão importantes que dão o nome à tecnologia mais tradicional da microeletrônica, a CMOS (sigla em inglês para semicondutor complementar de óxido metálico), que está na base dos processadores, chips de memória, sensores de imagem e demais dispositivos eletrônicos. Transistores do tipo p e n Hyeong Yun conseguiu justamente construir transistores p e n usando pontos quânticos de seleneto de índio-cobre (CuInSe2), livrando-se do problemático cádmio e outros metais pesados que normalmente entram na composição desses semicondutores, que funcionam como "poços de elétrons". A técnica permite definir transistores do tipo p e n aplicando dois tipos diferentes de contatos metálicos (ouro e índio, respectivamente) - na verdade, o transístor nasce quando uma camada de pontos quânticos comuns é aplicada no topo dos contatos pré-padronizados. "Esta abordagem permite a integração direta de um número arbitrário de transistores do tipo p e n complementares na mesma camada de pontos quânticos, preparada como um filme contínuo não padronizado por meio de espalhamento rotativo," contou o professor Victor Klimov. Como os dois tipos de transistores são construídos na mesma pastilha, isso permitiu à equipe usá-los para demonstrar circuitos eletrônicos totalmente funcionais. Eletrônica de pontos quânticos Desde seu nascimento, a microeletrônica tem-se baseado no silício de altíssima pureza, processado em ambientes de sala limpa especialmente criadas para isso. Recentemente, contudo, o silício tem sido desafiado por várias tecnologias alternativas - normalmente chamadas de tecnologias pós-silício - que permitem a fabricação de circuitos eletrônicos complexos fora de uma sala limpa, por meio de técnicas químicas mais baratas e acessíveis. Nanopartículas semicondutoras coloidais, produzidas com técnicas químicas em ambientes muito menos rigorosos são uma dessas tecnologias emergentes. Devido ao seu pequeno tamanho e propriedades exclusivas diretamente controladas pela mecânica quântica, essas partículas são chamadas de pontos quânticos. Um ponto quântico coloidal consiste em um núcleo semicondutor coberto por moléculas orgânicas. Como resultado dessa natureza híbrida, eles combinam as vantagens dos semicondutores tradicionais bem conhecidos com a versatilidade química dos sistemas moleculares. Essas propriedades são atraentes para a realização de novos tipos de circuitos eletrônicos flexíveis, que podem ser impressos em praticamente qualquer superfície, incluindo plástico, papel e até mesmo na pele humana. Essa capacidade pode beneficiar várias áreas, incluindo eletrônicos de consumo, segurança, sinalização digital e diagnósticos médicos. Bibliografia: Artigo: Solution-processable integrated CMOS circuits based on colloidal CuInSe2 quantum dots Autores: Hyeong Jin Yun, Jaehoon Lim, Jeongkyun Roh, Darren Chi Jin Neo, Matt Law, Victor I. Klimov Revista: Nature Communications Vol.: 11, Article number: 5280 DOI: 10.1038/s41467-020-18932-5 Fonte: Inovação Tecnológica https://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=transistor-ponto-quantico&id=010110201113#.X6_KachKjcs
  8. Então amigo. No primeiro link que te passei, você verá que já é o componente pesquisado. Logo abaixo da pesquisa aparece os links correspondentes à pesquisa feita (como na 1a foto). Você verá que aparece um lista um pouco grande mas o que corresponde ao seu é esse que possui o encapsulamento SOT23 (tipo do corpo do componente) e o que mais se encaixaria nas especificações do circuito (mosfet). Logo depois dessa pesquisa vc clica no link correspondente ao componente e abrirá a página do datasheet do mesmo. Nesta outra página, você verá um link de equivalentes (2a foto (Cross-Reference Search)) deste componente. O restante você já sabe amigo... Espero ter ajudado novamente.
  9. Olá @paulo.4k Costumo utilizar sempre o "AllTransistor.com" para equivalência e procura de códigos smd. Excelente site até pra pesquisa de equivalência de componentes com edição das especificações dos mesmos. Vamos ao que você precisa. Siga este link que resulta na pesquisa do componente que precisa: https://alltransistors.com/smd-search.php?search=YN6836 Esse link é a página do datasheet que precisa (IRLML2246PBF-1): https://alltransistors.com/mosfet/transistor.php?transistor=28457 Espero ter ajudado! 👍
  10. Olá @Priscila Cristiane . Não quero desmerecer seu empenho em querer ajudar a resolver o problema do nosso colega @Rhuan mas creio que não sejam estes os componentes com defeito. O LM19 é somente um sensor de temperatura do qual protege o sistema de um eventual excesso de temperatura estabelecido pela engenharia de projeto do aparelho. O LE50 é um regulador de tensão que como nosso amigo já havia citado antes, está operacional (citou que está com tensão de 4,95V). Então é com muita certeza de que estes não estejam danificados.
  11. @Rhuan Isso demonstra ser defeito de feedback de estabilização de tensão de entrada (quase todos os nobreaks possuem estabilizadores incluídos). É normal de ser utilizado optoacopladores nestes circuitos. Você terá de analisar o circuito de exemplo que estou utilizando. Como você citou que com bateria ele funciona normal, não é problema de inversor e sim de estabilizador. Boa sorte amigo.
  12. Olá colega @ohm. O IRFP460 é o equivalente amigo.
  13. Ola amigo Fabianu. Você está justamente no site de melhor consulta de equivalentes que conheço. Basta saber utilizar o site. Clique no link que consta na janela de busca em seu próprio link (conforme imagem). O site busca pelas especificações técnicas do componente. Caso tenha a possibilidade de fazer adaptações em relação ao encapsulamento do componente (mudar para um componente de tamanho maior com respectiva potência maoir), basta excluir o encapsulamento do campo "Caps" (TO247 conforme imagem), que sua busca de abrangência será muito maior. Espero ter ajudado.
  14. Com o mesmo amigo @isaelf. Tirei ele para fazer análise fora da placa e no soldar de volta voltou à funcionar... Agora irei deixar em testes durante um dia ao menos. Obrigado pela dica
  15. Galera, acho que era realmente o transformador de impedância (S16037G) com algum mau-contato interno pois quando tirei o mesmo para análise ele não apresentou nada de alteração e por via de dúvidas reavaliei do ZERO todas as tensões e estavam normais (foto). Ressoldei o trafo de volta e pra minha surpresa deu rede e adquiriu IP. Provavelmente no dessoldar e ressoldar foi eliminado algum possível mau-contato interno ou solda fria do aparelho. Irei deixar bastante tempo testando agora e dou um retorno em breve ao tópico...

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