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Estou com uma epson l3150, que ao ligar, não faz o ruído caracteristico, normal dela, e ao imprimir, tambem nao faz o ruido, o som da oscilação e imprime em branco. Ja troquei o ci, troquei os transistores e o fusivel f301. edit: a cabeça de impressao é nova e ja foi testada em 3 impressoras diferente, os dampers estao cheios, o sistema de tinta e o kit de limpeza não estão entupidos. ja tinha verificado antes de passar prra placa, esqueci de mencionar anteriormente edit 2 : cabo flat da cabeça e do carro novos. as pontas não estão molhadas ou com mal contato.

Olá pessoal. Minha Epson L355 estava imprimindo em branco. Para não ter dúvidas troquei o F1 que estava aberto, o CI e os dois transistores. Ai ela parou de ligar. Quando coloco a fonte ela dá um estralinho, como se fosse curto. Com a fonte desconectada no conetor mede 41v certinho e quando conecto meço os pinos da placa e só aparecem 2,8 volts. Toda a soldagem foi feita correta. Alguém poderia me ajudar nessa, adoro essa impressora.

Datasheets de transistores Visualizar Arquivo Datasheets de alguns transistores! Uploader JoacirMM Enviado 20/11/2023 Categoria Datasheets  

Ola tudo bem? Estou com esse XNB 720 já bancada, com q3, q4 e q5 em curto, fora relés, varistor... Como não acho o esquema desse cara em lugar nenhum e os componentes estão sem marcação, o que posso usar pra substituir esses carinhas? Agradeço a atenção

TRANSISTORES SMD - EQUIVALENCIAS COMPLETA.pdf PESQUISAR OS TRANSISTORES DIGITE CTRL.pdf Visualizar Arquivo Equivalencia de transistor smd tavela dew transistor Uploader Digiseg Enviado 18/09/2023 Categoria Diversos  

Oi Pessoal, Tenho consertado alguns desses produtos: bebedouros, adegas que usam placas, que se assemelham no funcionamento das fontes de computador. Quando é o elemento Peltier, ventilador, algum capacitor estufado...fácil. Um problema que tenho pego quando é os transistores chaveadores em curto. Faço uma geral, em todos os capacitores (primário e secundário), nos transistores menores do oscilador, diodos, etc. E algumas placas, dessas que tem vários componentes pifados, voltam em alguns dias, com marca de aquecimento na placa em torno dos transistores chaveadores. Dou uma nova geral, analiso várias coisas, tudo ok. Alguns componentes, chego a trocar, mesmo medindo bons...E continua aquecendo muito os transistores. Cheguei a usar transistores de reator e de fontes de PC de sucata, ou seja, componentes originais. Chego a desconfiar dos trafos chopper, visto que não acho nada. Consertei muita fonte de PC, não davam esses problemas... Alguém tem alguma experiências com esses produtos, ou já passou por isso? Desde já, Obrigado pela atenção. Moacir

encontrei esses componentes queimado na placa ysus : IRGP4086, 3x30j124 . Será que são só eles ?

Olá amigos(as). Estou com uma impressora Epson L555 que queimou o fusível f1 e os transistores da placa após serviço de limpeza do cabeçote. Gostaria de saber a amperagem deste fusível e suas especificações, e também especificações dos transistores, para que eu possa comprar outro semelhante. Alguém tem essas informações?

Pessoal! Esta tv chegou com o capacitor azul c 721 estourado e os transistores queimados q22, q23, q34, e em outo dissipador os q13, q12 e q11. Troquei também o ci admu1234, conferi os resistores de 2r2. Ao ligar queimou os q11 e q13. Conferi tudo novamente e ao ligar queimou os mesmos novamente. Alguém já deparou com esse modelo assim? Obrigado!

Bom amigos! Esta tv estava com os dois transistores gr22 e gr23 em curto, ambos k10n60. Troquei a tv funcionou perfeitamente, porém aquece demasiadamente. Coloquei originais retirados de sucata e monitorando com termômetro chega rapidamente a 100 graus. Verifiquei os diodos e resistores ligados ao gate deles e estão tudo ok. Já depararam com essa falha nesse modelo? Desde já muito obrigado!

http://www.smdmark.com/ , http://www.systek.ru/marking.php, https://www.s-manuals.com/smd/dn

Coletânea de circuitos práticos com transistores Visualizar Arquivo Circuitos práticos analógicos com transistores e circuitos digitais com comentários técnicos e relação de material Uploader Bochner Enviado 08-03-2022 Categoria Eletrônica  

Tabela de subistituição de transistores MOSFET Visualizar Arquivo Substitutos para transistores MOSFET Uploader JAROD Enviado 30-11-2021 Categoria Datasheets  

Estou com dois nobreak a SMS Net4+ com os transistores queimados (q1,q3) quando troco volta a queimar novamente , já medir todos os diodos e ci’s , acho que o problema eh o trafo. Preciso do esquema desse nobreak (placa PCIV023943). Além desses dois , tenho mais um com a tensão do carregador da bateria dando 9,3v , onde deveria está dando acima de 12v , já verifiquei os resistores e diodos , mais acredito q seja problema de CI , espero que alguém possa me ajudar……

A molibdenita tem estado à frente, mas talvez o grafeno consiga pegar uma carona. [Imagem: Huamin Li Lab/Buffalo University] Transístor de grafeno e molibdenita Um transístor feito de grafeno e molibdenita exige menos da metade da tensão elétrica necessária para fazer funcionar os atuais transistores de silício. Enquanto a maioria dos transistores requerem 60 milivolts, este novo protótipo opera com 29 milivolts. Ele também tem uma densidade de corrente maior do que quaisquer outros transistores semelhantes em desenvolvimento. O transístor é composto de uma única camada de grafeno e uma única camada de dissulfeto de molibdênio, ou MoS2, que faz parte de um grupo de compostos conhecidos como calcogenetos de metais de transição. O grafeno e a molibdenita operam em conjunto, empilhados, e a espessura total do componente é de aproximadamente 1 nanômetro. "Novas tecnologias são necessárias para estender o desempenho dos sistemas eletrônicos em termos de potência, velocidade e densidade. Este transístor de próxima geração pode alternar rapidamente enquanto consome pouca energia," disse Huamin Li, da Universidade de Buffalo (EUA). Uma corrente elétrica excita a superposição de dois magnons com polarização linear (indicada pelas setas vermelha e azul). Posteriormente, a energia é transportada através do isolador antiferromagnético, o que é detectado como uma tensão elétrica. [Imagem: Ill./Andrew Ross] Ferrugem antiferromagnética Os isolantes antiferromagnéticos permitem velocidades de computação 1.000 vezes mais rápidas do que os eletrônicos atuais, com muito menos aquecimento. Os componentes também podem ficar mais próximos uns dos outros e os módulos de lógica podem se tornar menores, algo que não é possível com a atual tecnologia do silício devido ao aquecimento excessivo. O problema é que a transferência de informações nos isolantes antiferromagnéticos só funcionava em temperaturas muito baixas - mas quem vai querer colocar seu celular no freezer para poder usá-lo? Agora, físicos conseguiram eliminar esse problema. Eles usaram o óxido de ferro (α-Fe2O3) principal componente da ferrugem, como isolante antiferromagnético, porque o óxido de ferro está por todo lado e é barato de se fabricar. "Conseguimos transmitir e processar informações em um isolante antiferromagnético padrão em temperatura ambiente - e fizemos isto em distâncias longas o suficiente para permitir que o processamento de informações ocorresse," disse Andrew Ross, da Universidade Johannes Gutenberg em Mainz, na Alemanha. Será que teremos um Vale do InGaAs para substituir o Vale do Silício? Dificilmente. [Imagem: MIT] Vale do InGaAs Pesquisadores do MIT (EUA) e da Universidade Politécnica de Madri (Espanha) descobriram que uma liga semicondutora bem conhecida, chamada InGaAs (arsenieto de índio e gálio) pode competir com os transistores de silício. Embora possam operar em alta velocidade e com baixo consumo de energia, o desempenho dos transistores InGaAs se deteriora muito rapidamente conforme eles são miniaturizados. O saber científico até agora postulava que isso acontece porque, em pequenas escalas o material não consegue lidar bem com a passagem dos elétrons. Mas um estudo mais detalhado mostrou que essa deterioração não é uma propriedade intrínseca do próprio material, e sim devido a "armadilhas" no material representadas por óxidos dispersos na liga - além dessas armadilhas de óxido, existem armadilhas de interface e armadilhas de fronteira atrapalhando o fluxo de elétrons nos componentes eletrônicos. Bastou fazer os transistores de InGaAs operarem numa frequência alta o suficiente para que os efeitos desaparecessem, com os resultados mostrando uma eficiência comparável à dos transistores de silício na mesma escala de tamanho. Difícil é saber se, nessa altura do campeonato, ser tão bom quanto o silício seria suficiente para fazer a indústria mudar de material. Transformação de um material magnético duro em um ímã macio pela passagem de uma corrente [Imagem: Postech/10.1002/adma.202004110] Memórias magnéticas Pesquisadores da Coreia do Sul descobriram uma técnica para otimizar a eficiência energética de uma célula de memória magnética não-volátil chamado SOT-MRAM. SOT-MRAM é uma sigla em inglês para RAM magnética de torque spin-órbita, sendo um dos componentes mais avançados da spintrônica, a tecnologia pós-silício que se baseia não no movimento de enxurradas de elétrons, mas nos momentos magnéticos de elétrons individuais. Elas já são mais rápidas do que as RAM atuais, não perdem os dados na falta de energia, mas ainda exigem uma tensão alta demais para funcionar. Kaixuan Zhang e seus colegas melhoraram a eficiência energética das SOT-MRAM em mais de 100 vezes trocando materiais magnéticos duros por materiais magnéticos macios. Eles descobriram que o telureto de ferro germânio (Fe3GeTe2) - um material ferromagnético com simetria geométrica especial - muda de um ímã duro para um ímã macio quando uma pequena corrente é aplicada. Assim, quando não é necessário escrever informações, o material permanece um ímã duro, o que é bom para o armazenamento seguro, e somente quando a escrita é necessária o material muda para um ímã macio, permitindo maior eficiência energética. Fonte: https://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=transistores-computadores-sem-silicio&id=010110201211#.X9ulHVZKgdU

Memória magnética rápida Uma equipe internacional de pesquisadores e engenheiros criou uma nova técnica para inversão da magnetização - o processo usado para gravar e apagar informações em memórias magnéticas - que é quase 100 vezes mais rápida do que os dispositivos spintrônicos de última geração. O avanço promete viabilizar o desenvolvimento de memórias magnéticas ultrarrápidas para chips de computador - além de gastar pouca energia, elas mantêm os dados mesmo na falta de energia. Componentes spintrônicos são alternativas atraentes às memórias de computador convencionais - a família das RAMs -, mas têm ficado restritos aos discos de backup por suas velocidades relativamente lentas, já que dependem de memórias magnéticas, que demoram mais para serem manipuladas do que as elétricas. Kaushalya Jhuria e seus colegas demonstraram agora uma técnica que usa pulsos elétricos extremamente curtos - 6 picossegundos de duração - para alternar a magnetização de um filme fino em um dispositivo magnético com grande eficiência energética. Um picossegundo equivalente a um trilionésimo de segundo, o que coloca as memórias magnéticas na mesma casa com que é medida a velocidade das memórias RAM atuais. Memória spintrônica Nas memórias convencionais, os 0s e 1s dos dados binários são armazenados como os estados "ligado" ou "desligado" de transistores de silício individuais. Nas memórias magnéticas, essa mesma informação é armazenada como polaridades opostas da magnetização, que geralmente são consideradas como os estados "para cima" ou "para baixo". Componentes spintrônicos de última geração são feitos com componentes que apresentam um efeito conhecido como torque spin-órbita. Nesses componentes, uma pequena área de um filme magnético (um bit magnético) é depositada sobre um fio metálico. Uma corrente fluindo através do fio gera um fluxo de elétrons com um momento magnético, também chamado de spin. Isso, por sua vez, exerce um torque magnético - chamado de torque spin-órbita - no bit magnética. E o torque spin-órbita pode então mudar a polaridade do bit. Componentes de última geração que funcionam com base nesse princípio exigem pulsos de corrente de pelo menos 1 nanossegundo para gravar ou apagar o bit magnético, enquanto os transistores nas memórias RAM de última geração alternam em apenas 1 a 2 picossegundos (1 nanossegundo equivale a 1000 picossegundos). A equipe conseguiu chavear sua memória spintrônica em 6 picossegundos, o que a torna vantajosa para muitas aplicações, considerando que ela consome menos energia e é não-volátil. "A alta eficiência energética deste novo processo de comutação magnética ultrarrápida foi uma grande e muito bem-vinda surpresa," disse o professor Jeffrey Bokor, da Universidade de Berkeley. "Esse dispositivo spintrônico de alta velocidade e baixo consumo de energia pode potencialmente enfrentar as limitações de desempenho dos sistemas de memória de nível de processador atuais e também pode ser usado para aplicações lógicas." Bibliografia: Artigo: Spin-orbit torque switching of a ferromagnet with picosecond electrical pulses Autores: Kaushalya Jhuria, Julius Hohlfeld, Akshay Pattabi, Elodie Martin, Aldo Ygnacio Arriola Córdova, Xinping Shi, Roberto Lo Conte, Sebastien Petit-Watelot, Juan Carlos Rojas-Sanchez, Gregory Malinowski, Stéphane Mangin, Aristide Lemaître, Michel Hehn, Jeffrey Bokor, Richard B. Wilson, Jon Gorchon Revista: Nature Electronics DOI: 10.1038/s41928-020-00488-3 Fonte: Site Inovação Tecnológica https://www.inovacaotecnologica.com.br

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Alguém por favor saber informar qualquer é o transistor Q352 smd na placa da fonte da lg42pq30r. Não consegui o esquema. Grato pela ajuda.

Quero saber se posso trocar um Mosfet CS4N60F por outro o FQPF7N60C, na placa da fonte do Umidificador.

Preciso limitar uma tensão de 5v, para que outra tensão de 5v passe, sem que se acumule e vire 10v

200 Circuitos Com Transistores Visualizar Arquivo Este e-livro contém 200 circuitos com transistores. É incrível o que você pode fazer com alguns transistores e alguns componentes de conexão. Uploader Juninho_LC Enviado 30-06-2020 Categoria Eletrônica