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Showing results for tags 'memory'.
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The W25Q32BV (32M-bit) Serial Flash memory provides a storage solution for systems with limited space, pins and power. The 25Q series offers flexibility and performance well beyond ordinary Serial Flash devices. They are ideal for code shadowing to RAM, executing code directly from Dual/Quad SPI (XIP) and storing voice, text and data. The device operates on a single 2.7V to 3.6V power supply with current consumption as low as 4mA active and 1µA for power-down. -
Visualizar Arquivo BIOS SPD REMOVAL 1.6 Ferramenta BIOS SPD REMOVAL 1.6 utilizada para desabilitar memoria ddr3 e ddr4 onboard no notebook Uploader MarlonMatsumoto Enviado 02/04/2024 Categoria Eletrônica
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Ferramenta BIOS SPD REMOVAL 1.6 utilizada para desabilitar memoria ddr3 e ddr4 onboard no notebook -
Visualizar Arquivo Ps2 memory card for SdCard Adaptador sdcard para memory card ps2 Uploader dctbrown Enviado 17-12-2021 Categoria Diversas
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bios 1050ti chinesa - gts 450 elpida memory Visualizar Arquivo bios 1050ti chinesa - gts 450 elpida memory Bios placa de video gtx 1050ti 4gb chinesa falsa. placa original GTS450 elpida memory Uploader Multi Consertos Enviado 16-02-2021 Categoria Placas de Vídeo
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Preciso de um bios para esta placa chinesa , preciso da bios da gts 450 de 1 e 2 gb com memoria elpida a minha placa tem 4 nucleos encima da placa e 4 embaixo da placa alguem sabe informar se ela é de 1 ou de 2 gb?
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firmware LED Blaupunkt 32A147TCHD, Mainboard TP.MSD309.BP85, Panel LVW320SSDX, Memory 25Q32B.rar View File firmware. Submitter Osmel Fernández Belén Submitted 01/11/2020 Category Video & Image -
Estou tentando reprogramar um chip cFeon QH32A de um receptor MG7 plus Megabox e sempre dava algum erro, todos conhecidos meus. Por último busquei por uma outra versão so software ch341a e consegui a versão 1.34, e uma versão modificada por Rio Preto Componentes do ASprogramer 1.41 que realmente funcionaram, gravaram o chip mas no aparelho não funciona. Ao ler o chip novamente aparece esta mensagem no CH341a, no AS não aponta nenhum erro. "CHIP MAIN MEMORY WITH THE CONTENTS ARE IN DISAGREEMENT." "A MEMÓRIA PRINCIPAL DO CHIP COM O CONTEÚDO ESTÃO EM DESACORDO." Isso ocorre porque o software de gravação está comparando o conteúdo gravado no chip com o arquivo, e como estão diferentes, ou seja, em desacordo, a mensagem de erro surge. O conteúdo do chip tem que ser exatamente igual ao do arquivo, byte a byte, bit a bit. Provavelmente o chip está com defeito. Por fim a solução que encontrei para ressuscitar o receptor foi catar numa sucata um chip encontrei um cFeon Q64 que funcionou perfeitamente e com qualquer versão dos sw programadores aceitava gravar. -
Estou com uma mb da Easy Memory H61 na bancada com a bios corrompida, não estou achando em lugar algum, alguém teria uma compatível?
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The W25Q128JV (128M-bit) Serial Flash memory provides a storage solution for systems with limited space, pins and power. The 25Q series offers flexibility and performance well beyond ordinary Serial Flash devices. They are ideal for code shadowing to RAM, executing code directly from Dual/Quad SPI (XIP) and storing voice, text and data. The device operates on a single 2.7V to 3.6V power supply with current consumption as low as 1µA for power-down. All devices are offered in space-saving packages. -
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Adaptador sdcard para memory card ps2 -
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Toda vez que inicio o windows 7 aparece esta mensagem . Já Restaurar o windows para o dia anterior e não teve sucesso. Tentei reparar o boot com o Comando SFC /SCANNOW e nao resolveu tentei SFC /SCANNOW /OFFBOOTDIR=d:\ /OFFWINDIR=d:\windows e não resolveu. Como posso resolver este erro que não permite o windows iniciar normalmente. Abaixo o Erro
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Por favor tem como alguém me passar a bios da placa de video , já tentei várias bios mas não funciona, por que não é compatível com o modelo da memória VRAM ELPIDA -
resolvido Pessoal preciso da bios gts 450 elpida memory 1gb vram
Flaton posted a topic in Casos resolvidos - Recuperação de Arquivos e Mídias
Por favor tem como alguém tem como me passar a bios da placa de video -
W25Q128JV 3V 128M-BIT SERIAL FLASH MEMORY Visualizar Arquivo The W25Q128JV (128M-bit) Serial Flash memory provides a storage solution for systems with limited space, pins and power. The 25Q series offers flexibility and performance well beyond ordinary Serial Flash devices. They are ideal for code shadowing to RAM, executing code directly from Dual/Quad SPI (XIP) and storing voice, text and data. The device operates on a single 2.7V to 3.6V power supply with current consumption as low as 1µA for power-down. All devices are offered in space-saving packages. Uploader Carlos Porto Enviado 24-06-2021 Categoria Datasheets
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W25Q32BV 3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY Visualizar Arquivo The W25Q32BV (32M-bit) Serial Flash memory provides a storage solution for systems with limited space, pins and power. The 25Q series offers flexibility and performance well beyond ordinary Serial Flash devices. They are ideal for code shadowing to RAM, executing code directly from Dual/Quad SPI (XIP) and storing voice, text and data. The device operates on a single 2.7V to 3.6V power supply with current consumption as low as 4mA active and 1µA for power-down. Uploader Carlos Porto Enviado 24-06-2021 Categoria Datasheets
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TM5 teste memory Visualizar Arquivo Para quem quiser testar overclock nas memórias! Uploader Money Free Enviado 27-11-2020 Categoria Software
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Thaiphoon Memory Detect Visualizar Arquivo Está ai para quem quiser Uploader Money Free Enviado 27-11-2020 Categoria Software
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notícia Memória magnética bate recorde e atinge velocidade de transistores
LuisStegel posted a topic in News
Memória magnética rápida Uma equipe internacional de pesquisadores e engenheiros criou uma nova técnica para inversão da magnetização - o processo usado para gravar e apagar informações em memórias magnéticas - que é quase 100 vezes mais rápida do que os dispositivos spintrônicos de última geração. O avanço promete viabilizar o desenvolvimento de memórias magnéticas ultrarrápidas para chips de computador - além de gastar pouca energia, elas mantêm os dados mesmo na falta de energia. Componentes spintrônicos são alternativas atraentes às memórias de computador convencionais - a família das RAMs -, mas têm ficado restritos aos discos de backup por suas velocidades relativamente lentas, já que dependem de memórias magnéticas, que demoram mais para serem manipuladas do que as elétricas. Kaushalya Jhuria e seus colegas demonstraram agora uma técnica que usa pulsos elétricos extremamente curtos - 6 picossegundos de duração - para alternar a magnetização de um filme fino em um dispositivo magnético com grande eficiência energética. Um picossegundo equivalente a um trilionésimo de segundo, o que coloca as memórias magnéticas na mesma casa com que é medida a velocidade das memórias RAM atuais. Memória spintrônica Nas memórias convencionais, os 0s e 1s dos dados binários são armazenados como os estados "ligado" ou "desligado" de transistores de silício individuais. Nas memórias magnéticas, essa mesma informação é armazenada como polaridades opostas da magnetização, que geralmente são consideradas como os estados "para cima" ou "para baixo". Componentes spintrônicos de última geração são feitos com componentes que apresentam um efeito conhecido como torque spin-órbita. Nesses componentes, uma pequena área de um filme magnético (um bit magnético) é depositada sobre um fio metálico. Uma corrente fluindo através do fio gera um fluxo de elétrons com um momento magnético, também chamado de spin. Isso, por sua vez, exerce um torque magnético - chamado de torque spin-órbita - no bit magnética. E o torque spin-órbita pode então mudar a polaridade do bit. Componentes de última geração que funcionam com base nesse princípio exigem pulsos de corrente de pelo menos 1 nanossegundo para gravar ou apagar o bit magnético, enquanto os transistores nas memórias RAM de última geração alternam em apenas 1 a 2 picossegundos (1 nanossegundo equivale a 1000 picossegundos). A equipe conseguiu chavear sua memória spintrônica em 6 picossegundos, o que a torna vantajosa para muitas aplicações, considerando que ela consome menos energia e é não-volátil. "A alta eficiência energética deste novo processo de comutação magnética ultrarrápida foi uma grande e muito bem-vinda surpresa," disse o professor Jeffrey Bokor, da Universidade de Berkeley. "Esse dispositivo spintrônico de alta velocidade e baixo consumo de energia pode potencialmente enfrentar as limitações de desempenho dos sistemas de memória de nível de processador atuais e também pode ser usado para aplicações lógicas." Bibliografia: Artigo: Spin-orbit torque switching of a ferromagnet with picosecond electrical pulses Autores: Kaushalya Jhuria, Julius Hohlfeld, Akshay Pattabi, Elodie Martin, Aldo Ygnacio Arriola Córdova, Xinping Shi, Roberto Lo Conte, Sebastien Petit-Watelot, Juan Carlos Rojas-Sanchez, Gregory Malinowski, Stéphane Mangin, Aristide Lemaître, Michel Hehn, Jeffrey Bokor, Richard B. Wilson, Jon Gorchon Revista: Nature Electronics DOI: 10.1038/s41928-020-00488-3 Fonte: Site Inovação Tecnológica https://www.inovacaotecnologica.com.br
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doc Dallas DS2501-UNW/DS2502-UNQ UniqueWare Add only Memory
Carlos Porto posted a file in Datasheets
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The DS2501-UNW and DS2502-UNW are factory programmed versions of the DS2502 1K-bit Add-Only Memory. They differ from the standard DS2502 in their custom ROM family code 91H (DS2501-UNW) and 89H (DS2502-UNW) respectively, and the UniqueWare Identifier 5E7 in place of the upper 12 bits of the standard serialization field. With the DS2501-UNW, the upper two memory pages are not accessible; they always read FFH and cannot be programmed. Otherwise, the electrical and logical behavior is identical to that of the DS2502. For technical details please refer to the DS2502 data sheet. The DS2501-UNW and DS2502-UNW are only available preprogrammed with customer specific and write-protected UniqueWare data. Memory pages not used for UniqueWare data can be programmed in the application. For more details on UniqueWare, please refer to rhe UniqueWare Project Setup Manual, available as Application Note 99 from Dallas Semiconductor.
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