Datasheet oficial do MOSFET AO4606, componente de potência complementar fabricado pela Alpha & Omega Semiconductor. O arquivo em PDF (578,7 kB) contém todas as especificações elétricas, curvas características, gráficos de operação e dimensões mecânicas do dispositivo.
Características principais
- Canal N: VDS = 30 V | ID contínua = 6,9 A | RDS(on) ≈ 28 mΩ (VGS = 10 V)
- Canal P: VDS = –30 V | ID contínua = –6 A | RDS(on) ≈ 35 mΩ (VGS = 10 V)
- Disipação máxima: 2 W (por canal em 25 °C)
- Encapsulamento: SOIC-8 (8 pinos)
- Tecnologia trench MOSFET para baixa resistência de condução e comutação rápida
Conteúdo do pacote
- AO4606_-30V_-6.5A_P-Chan_9582-eletronicabr.com.pdf (578,7 kB) – datasheet completo com tabelas de parâmetros, gráficos de capacitância, carga de gate, tempo de comutação e curvas de operação segura.
Aplicações típicas
- Fontes chaveadas e conversores DC‑DC
- Circuitos push‑pull e meia‑ponte
- Drivers de motor de baixa tensão
- Chaves de nível lógico (level shift)
- Proteção de carga e controle de potência
Observações técnicas
- O AO4606 combina um MOSFET de canal N e um de canal P no mesmo encapsulamento, ideal para projetos compactos que exigem ambos os canais.
- Ao substituir, verifique a pinagem e compare as curvas de RDS(on) com a aplicação.
- Mantenha dissipação adequada: a temperatura máxima de junção é de 150 °C.
- Consulte a folha de dados para obter os valores exatos de capacitância e carga de gate conforme a tensão de operação.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.
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