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Datasheet Toshiba GT30F122 - IGBT 300V 120A (TO-220SIS)

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Datasheet Toshiba GT30F122 - IGBT 300V 120A (TO-220SIS)

Este arquivo é a folha de dados (datasheet) oficial do transistor bipolar de porta isolada (IGBT) Toshiba GT30F122, também marcado como 30F122.

Características principais:

  • Tipo: IGBT de canal N
  • Tensão Coletor-Emissor (Vces): 300 V
  • Corrente de Coletor (Ic): 120 A (valor máximo absoluto em 25°C)
  • Dissipação de Potência (Pc): 25 W
  • Tensão de Saturação Coletor-Emissor (VCEsat): 2,9 V (máx.)
  • Temperatura de Junção (Tj): -40°C a 150°C
  • Encapsulamento: TO-220SIS (isolado)
  • Fabricante: Toshiba Semiconductor

Aplicações típicas: Inversores, fontes chaveadas, UPS, cooktops de indução, flashes estroboscópicos e circuitos de conversão de potência.

O documento completo tem 73 páginas e inclui curvas características, dimensões mecânicas, classificações máximas absolutas, características elétricas e térmicas, diagramas de circuito equivalente e informações sobre diodo interno em antiparalelo.

Conteúdo do pacote:

  • GT30F122_7784-eletronicabr.com.pdf – 1,09 MB (datasheet completo em PDF)

Ideal para consulta em projetos de reparo, substituição ou desenvolvimento com IGBTs Toshiba da série GT30F.
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