Datasheet oficial do MOSFET de potência IRF8707PBF da International Rectifier (Infineon Technologies) no padrão HEXFET Power MOSFET. Documento em formato PDF com 248,9 KB, contendo todas as especificações elétricas, curvas características, dimensões e aplicações típicas.
Características principais
- Tipo: MOSFET N-Channel
- VDSS: 30 V
- ID (contínuo a 25°C): 11 A
- RDS(on) máx: 11,9 mΩ @ VGS = 10 V; 17,5 mΩ @ VGS = 4,5 V
- Qg (típico): 6,2 nC @ VGS = 4,5 V
- Encapsulamento: SO-8 (8-SOIC, 3,90 mm de largura)
- Faixa de temperatura: -55°C a +150°C
- Dissipação máxima: 2,5 W (TA = 25°C)
- Lead-Free e compatível com RoHS
Aplicações típicas
- MOSFET de controle em conversores síncronos buck para processadores de notebooks
- MOSFET de potência em conversores DC-DC isolados para sistemas de rede
- Fontes chaveadas de alta eficiência
Conteúdo do pacote
- irf8707pbf.pdf (248,9 KB) — datasheet completo do IRF8707PBF
Documento útil para técnicos e engenheiros que necessitam consultar parâmetros elétricos detalhados, curvas de operação e recomendações de layout para projetos com este MOSFET.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.
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