Este arquivo contém a folha de dados técnica (datasheet) do transistor APM4431K, um MOSFET de canal P comumente utilizado em circuitos de comutação, proteção de polaridade reversa e gerenciamento de energia em fontes, notebooks e equipamentos eletrônicos.
Características principais do componente
- Tipo: MOSFET de canal P (enhancement mode)
- Tensão dreno-fonte (VDSS): -30 V
- Corrente de dreno contínua (ID): -30 A (com dissipação adequada)
- Resistência RDS(on): tipicamente 8,5 mΩ a VGS = -10 V
- Encapsulamento: TO-252 (DPAK) ou similar
- Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor (AOS) ou equivalente
Conteúdo do pacote
- APM4431K_6497-eletronicabr.com.pdf (544,5 KB) — Datasheet completo com gráficos de características elétricas, curvas de operação, dimensões do encapsulamento, classificação térmica e aplicações típicas.
Observações técnicas
Antes de utilizar o componente em um reparo ou projeto, confira a pinagem e as condições máximas absolutas fornecidas no datasheet. O APM4431K é frequentemente empregado como chave de carga do lado alto (high-side switch) em placas de notebook, fontes chaveadas e circuitos de proteção contra inversão de polaridade. Sempre verifique a compatibilidade com o circuito original, especialmente a tensão de gate e a dissipação de potência.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.
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