Datasheet - MOSFET NTMFS4921N - ON Semiconductor (30V, 58.5A, N-Channel, SO-8FL)

Descrição do arquivo

Datasheet original do MOSFET de potência NTMFS4921N fabricado pela ON Semiconductor (marcação 4921N). Trata-se de um transistor de efeito de campo de canal N, single, encapsulado no padrão SO-8 Flat Lead (SO-8FL) / DFN5x6 (8-PowerTDFN).

Características técnicas

• Tensão Dreno-Fonte (V_DSS): 30 V
• Corrente de dreno contínua (I_D): 58,5 A (T_C = 25°C) / 8,8 A (T_A = 25°C)
• Resistência R_DS(on) típica: 5,3 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 30 A; 8,6 mΩ @ V_GS = 4,5 V, I_D = 30 A
• Potência máxima dissipada: 38,5 W (T_C = 25°C) / 0,87 W (T_A = 25°C)
• Capacitância de entrada típica (C_iss): 1400 pF @ V_DS = 12 V
• Carga total de gate (Q_g): 25 nC @ V_GS = 11,5 V
• Temperatura de operação: -55°C a +150°C
• Encapsulamento: SO-8 Flat Lead (SO-8FL) / DFN5x6 (8-PowerTDFN, 5 pinos expostos)

Aplicações comuns

• Fontes chaveadas DC-DC
• Entrega de potência para CPU (VRM)
• Chaveamento do lado alto (high-side switching)

Conteúdo do pacote

• Mosfet_4921N__15970-eletronicabr.com.pdf (146,3 KB) — Datasheet completo com 7 páginas, incluindo curvas características, dimensões do encapsulamento, marcação e informações de pedido.

Informações de pedido (códigos alternativos)

• NTMFS4921NT1G – versão Pb-free, embalagem Tape & Reel com 1500 peças
• NTMFS4921NT3G – versão Pb-free, Tape & Reel com 5000 peças

Cuidados na utilização

• O datasheet fornece os parâmetros elétricos máximos e recomendações de layout para a montagem em superfície.
• Verifique a tensão de limiar (V_GS(th)) típica de 1,8 V e a tensão máxima de gate de ±20 V.
• Para projetos com dissipação elevada, considere a resistência térmica junção-caso (R_θJC) de 3,25 °C/W e utilize o footprint recomendado.