Datasheet - Power MOSFET AP4957AGM (Dual P-Channel, 30V, 7.4A, SO-8)

Este arquivo é a folha de dados (datasheet) do transistor de potência AP4957AGM, fabricado pela Advanced Power Electronics Corp. (APEC).

Características técnicas principais

• Tipo: MOSFET de canal P, modo de enriquecimento
• Configuração: duplo (Dual P-Channel)
• Tensão Drain-Source (V_DS): -30 V
• Corrente de dreno contínua (I_D): -7,4 A (a 25 °C)
• Resistência de dreno-fonte em condução (R_DS(on)): 26 mΩ (típica)
• Encapsulamento: SO-8 (SOP-8)
• Baixa resistência de condução e requisito de acionamento simples

Conteúdo do pacote

• Power_Mosfet_AP4957AGM_12958-eletronicabr.com.pdf (173,9 KB) – Folha de dados completa em PDF.

Este datasheet é útil para técnicos e engenheiros que trabalham com projetos de fontes chaveadas, conversores DC-DC, carregadores de bateria e circuitos de comutação que exigem MOSFETs de canal P com baixa resistência e capacidade de corrente razoável. A ficha inclui as curvas características, valores máximos absolutos, características térmicas, gráficos de desempenho e diagrama de pinagem do encapsulamento SO-8.