Documento técnico oficial da Toshiba para o transistor MOSFET de potência 2SK2550, da série π-MOSV. O PDF contém 3 páginas com as especificações completas do componente, ideal para consulta em reparos, projetos de fontes chaveadas, conversores DC-DC e controle de motores.
Características principais (segundo o datasheet original)
- Tipo: MOSFET de canal N, modo enhancement
- Tensão drain-source (VDS): 50 V
- Corrente de dreno contínua (ID): 45 A (CC) / 135 A (pulso)
- Resistência drain-source em condução (RDS(on)): 24 mΩ (típ.)
- Tensão de limiar de gate (VGS(th)): 1,5 a 3,5 V
- Dissipação de potência (PD): 100 W (Tc = 25 °C)
- Temperatura de junção máxima: 150 °C
- Encapsulamento: 2-16C1B (equivalente a TO-3P / TO-247), peso 4,6 g
- Aplicações típicas: regulador chopper, conversor DC-DC, driver de motor
Conteúdo do pacote
- Mosfete_2SK2550_4741-eletronicabr.com.pdf (177,9 KB) – Datasheet original Toshiba, 3 páginas, contendo curvas características, dimensões mecânicas, classificação máxima absoluta e características térmicas.
Arquivo útil para técnicos que necessitam consultar parâmetros elétricos, curva de segurança ou substituição segura do componente em fontes e circuitos de potência.
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