Datasheet original do transistor AO4622, um MOSFET de potência de canal N e P complementar fabricado pela Alpha & Omega Semiconductor. O componente é encapsulado em SOIC-8 e utiliza tecnologia trench avançada para oferecer baixa resistência de dreno-fonte (RDS(on)) e carga de gate reduzida, sendo adequado para aplicações em inversores, conversores DC-DC e circuitos de comutação em geral.
Características principais (conforme datasheet)
- Tensão dreno-fonte (VDS): 30V (canal N) / -30V (canal P)
- Corrente de dreno contínua (ID): 7,2 A (canal N, VGS=10V) / -5,3 A (canal P, VGS=-10V)
- Resistência dreno-fonte (RDS(on)): < 24 mΩ (canal N, VGS=10V) / < 32 mΩ (canal P, VGS=-10V)
- Testado 100% UIS e 100% Rg
- Faixa de temperatura de junção: -55°C a +150°C
Conteúdo do pacote
- AO4622_-_Complementary_Enhancement_Mode_Field_Effect_Transistor_3445-eletronicabr.com.pdf (190,8 KB) – Datasheet completo em formato PDF, contendo tabelas elétricas, curvas características, gráficos de operação, dimensões do encapsulamento e classificação térmica.
Compatibilidade e aplicações
O AO4622 é um MOSFET complementar que pode substituir ou ser equivalente a dispositivos como AO4620 e AO4612 (da mesma família), desde que respeitadas as especificações de tensão e corrente. É amplamente utilizado em fontes chaveadas, reguladores buck, inversores de baixa potência e circuitos de acionamento de motores de pequeno porte. Para uso em reparo, confirme a pinagem e as características térmicas antes da substituição.
Observações
- O arquivo é uma digitalização do datasheet original da Alpha & Omega Semiconductor, revisão 8 (maio de 2012).
- Não foram informados senha, revisão específica de placa ou processador.
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