Datasheet original do MOSFET AO4620 fabricado pela Alpha & Omega Semiconductors. Este componente é um transistor de efeito de campo de canal N e P complementar, projetado com tecnologia trench avançada para oferecer baixa resistência RDS(on) e baixa carga de gate.
Características principais
- Canal N: VDS = 30 V, ID = 7,2 A (VGS = 10 V), RDS(on) < 24 mΩ
- Canal P: VDS = −30 V, ID = −5,3 A (VGS = −10 V), RDS(on) < 32 mΩ
- Encapsulamento: SOIC-8 (8 pinos)
- 100% testado em avalanche e resistência de gate (Rg)
- Indicado para uso em inversores e outras aplicações de chaveamento complementar
Conteúdo do pacote
- AO4620_-_Complementary_Enhancement_Mode_Field_Effect_Transistor_3444-eletronicabr.com.pdf – 213,2 KB (arquivo PDF completo do datasheet)
O documento inclui curvas características, valores máximos absolutos, parâmetros elétricos (estáticos e dinâmicos), diagrama de pinagem e informações térmicas. Consulte o datasheet para detalhes de compatibilidade e aplicação em circuitos.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.
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