Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) completa do transistor MOSFET de canal P modelo AO4407A, fabricado pela Alpha & Omega Semiconductors (AOSMD).
Características principais do componente
- Tipo: MOSFET de canal P (P-Channel Enhancement Mode)
- Tensão Dreno-Fonte (VDS): -30 V
- Corrente de Dreno contínua (ID): -12 A (VGS = -20 V)
- Resistência Dreno-Fonte (RDS(on)): < 11 mΩ (VGS = -20 V) / < 13 mΩ (VGS = -10 V)
- Tensão de Limiar (VGS(th)): -1,7 V a -3 V
- Encapsulamento: SO-8 (SOP-8)
- Dissipação máxima: 3 W (em placa FR-4 com 1 in² de cobre 2 oz)
- Temperatura de junção máxima: 150 °C
- Capacitância de entrada (Ciss): 2060 pF (típica)
- Carga total de gate (Qg): 30 nC (típica)
Aplicações típicas
- Proteção de bateria (Battery protection)
- Gerenciamento de energia (Power management)
- Chave de carga (Load switch)
- Comutação PWM
Conteúdo do pacote
- AO4407A_8199-eletronicabr.com.pdf — 239,2 KB — Datasheet completo com gráficos de características elétricas, curvas típicas, diagrama de pinagem e classificação térmica.
Documento em formato PDF, ideal para consulta em reparos, projetos e substituição de componentes. Recomenda-se verificar a compatibilidade com o circuito antes da aplicação.
Participe agora da conversa!
Você pode postar agora e se cadastrar mais tarde. Se você tiver uma conta, faça login para postar com sua conta.