Datasheet – Transistor MOSFET Canal N 2SK2742 (Toshiba)

Datasheet original do transistor MOSFET de canal N 2SK2742 fabricado pela Toshiba. Componente da série L²π-MOSV, projetado para aplicações em fontes chaveadas (chopper regulators), conversores DC-DC e controle de motores.

Principais características técnicas (conforme datasheet)

• Tensão dreno-fonte (VDSS): 50 V
• Corrente de dreno contínua (ID): 45 A (DC)
• Corrente de dreno pulsada (IDP): 180 A
• Resistência dreno-fonte em condução (RDS(on)): 0,28 Ω (typ.)
• Transcondutância direta (|Yfs|): 3,5 S (typ.)
• Tensão de limiar (Vth): 0,8 a 2,0 V (modo enhancement)
• Dissipação máxima (PD): 125 W (Tc = 25 °C)
• Encapsulamento: TO-220 (2-16C1B)

Informações do arquivo

Arquivo PDF contendo a folha de dados completa com curvas características, dimensões mecânicas, ratings absolutos máximos e gráficos de operação segura. Ideal para consulta em projetos de reparo e desenvolvimento com o MOSFET 2SK2742.

Conteúdo do pacote:

• Trans_Mos_canal_N_2SK2742DS_4746-eletronicabr.com.pdf (312,7 KB)