Datasheet - MOSFET P0903BDG (N-Channel, 25V, 50A, TO-252) - Schematic

Datasheet oficial do transistor MOSFET P0903BDG, canal N, fabricado pela NIKO-SEM (também encontrado como Wuxi U-NIKC Semiconductor). Componente projetado para aplicações de comutação em fontes DC-DC, com baixa resistência de dreno-fonte e alta velocidade de chaveamento.

Características técnicas principais (conforme datasheet):

• Tipo: MOSFET de canal N, modo de enriquecimento (Logic Level Enhancement Mode)
• V_DSS: 25 V (máx.)
• I_D: 50 A (contínuo) / 56 A (segundo algumas fontes)
• R_DS(on): 9,5 mΩ (típico) a V_GS = 10 V
• Pacote: TO-252 (DPAK) – montagem superficial
• V_GS(th): 1,0 a 3,0 V (limiar de gate)
• Potência máxima: 50 W
• Capacitâncias típicas: C_iss = 1200 pF, C_oss = 600 pF, C_rss = 350 pF
• Q_g: 25 nC (carga total de gate)
• Energia de avalanche: 250 mJ (E_AS)

Aplicações típicas: conversores DC-DC, fontes chaveadas, controle de motores, circuitos de carga em dispositivos portáteis.

Conteúdo do pacote

• P0903BDG_N-Channel_Mosfet_25V_-_TO-252_13977-eletronicabr.com.pdf (316,8 KB) – documento PDF de 5 páginas com o datasheet completo, incluindo curvas características, dimensões mecânicas do encapsulamento TO-252 e classificação térmica.

Observação: Este é um arquivo de referência técnica para consulta de parâmetros elétricos, térmicos e mecânicos do componente. Não se trata de firmware, BIOS, esquema ou boardview. Verifique a revisão do componente e as condições de operação antes de aplicar em projeto ou reparo.

Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.