Este arquivo contém a folha de dados técnica (datasheet) do transistor bipolar de porta isolada (IGBT) Toshiba GT30J122, um componente de 4ª geração projetado para aplicações em chaveamento de inversores ressonantes de corrente.
Especificações principais do GT30J122:
- Tipo: IGBT N-Channel, modo enhancement
- Tensão Coletor-Emissor (VCES): 600 V
- Corrente de Coletor (IC): 30 A DC (100 A em pulso de 1 ms)
- Dissipação de Potência (PC): 75 W (Tc = 25°C)
- Tensão de Saturação (VCE(sat)): 2,1 V (típ.) @ IC = 50 A
- Tempo de queda (tf): 0,25 μs (típ.) @ IC = 50 A
- Capacitância de Entrada (Cies): 2500 pF (típ.)
- Encapsulamento: TO-3P(N) IS (2-16F1A), peso 5,8 g
Aplicações típicas: Inversores ressonantes de corrente, fontes chaveadas, fornos de indução, iluminação eletrônica e conversores de potência que exigem comutação rápida e baixa perda de condução.
Conteúdo do pacote:
- GT30J122_7785-eletronicabr.com.pdf (321,5 kB) - Datasheet completo com curvas características, dimensões mecânicas e classificação térmica.
Cuidados e compatibilidade: O GT30J122 é um componente de potência de 4ª geração. Ao substituir IGBTs em equipamentos, verifique sempre a tensão, corrente, encapsulamento e a aplicação (inversor ressonante). Consulte o datasheet para garantir que as condições de operação (temperatura, corrente, tensão) estejam dentro dos limites absolutos máximos para evitar falhas prematuras.
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