Datasheet original do transistor MOSFET N-Channel 2SK2662 fabricado pela Toshiba, tecnologia π-MOSV. Documento completo com especificações elétricas, curvas características, dimensões mecânicas do encapsulamento TO-220 e ratings máximos.
Características principais (conforme datasheet)
- Tipo: MOSFET N-Channel, modo enhancement
- Tensão Drain-Source (VDSS): 500 V
- Corrente de Drain contínua (ID): 5 A
- Resistência Drain-Source ON (RDS(on)): 1,35 Ω (typ.) / 1,50 Ω (max)
- Potência máxima (PD): 35 W (Tc = 25 °C)
- Tensão Gate-Source (VGSS): ±30 V
- Encapsulamento: TO-220 (padrão JEDEC SC-67)
- Temperatura de canal: -55 a +150 °C
Aplicações típicas
- Conversores DC-DC
- Acionamento de relés
- Acionamento de motores
Conteúdo do pacote
- Transistor_Mos_N_2SK2662_4743-eletronicabr.com.pdf (338 KB) – Datasheet completo, 8 páginas, incluso pinagem, características térmicas, curvas de saída, switching times e gráficos de avalanche.
Observações importantes
O 2SK2662 é um componente sensível a descargas eletrostáticas (ESD sensitive). Manuseie com cuidado e utilize equipamentos de proteção adequados durante a soldagem ou manuseio. Sempre consulte o datasheet para verificar as condições máximas absolutas antes de projetar ou substituir o componente.
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