Datasheet original do transistor Toshiba 2SK2601, um MOSFET de canal N da série π-MOSV, encapsulado em TO-220 (SC-65). O documento tem 5 páginas e contém todas as especificações elétricas, curvas características, dimensões mecânicas e informações térmicas.
Principais características
- Fabricante: Toshiba Semiconductor
- Tipo: MOSFET N-Channel, modo enhancement
- Tensão dreno-fonte (VDSS): 500 V
- Corrente de dreno contínua (ID): 10 A (40 A pulsada)
- Resistência dreno-fonte ON típica (RDS(on)): 0,75 Ω (máx. 1,0 Ω @ VGS = 10 V)
- Admitância de transferência direta (|Yfs|): 7,0 S (típ.)
- Limiar de gate (Vth): 2,0 a 4,0 V
- Dissipação máxima (Tc=25°C): 125 W
- Temperatura de canal: −55 °C a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220 (SC-65, 2-16C1B)
Aplicações típicas
- Conversores DC-DC
- Acionamento de relés
- Acionamento de motores
- Chaveamento de alta tensão e alta velocidade
O PDF inclui tabelas com valores máximos absolutos, características elétricas, características térmicas, tempos de comutação, carga do gate e curvas de saída. Ideal para consulta em reparos, projetos e substituição de componentes.
Atenção: Este é um datasheet técnico de referência. Antes de substituir o componente, verifique as condições térmicas e elétricas do circuito.
Conteúdo do pacote
- Mosfete_2SK2601_4742-eletronicabr.com.pdf (339,4 KB)
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.
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