Datasheet Toshiba 2SK2776 – MOSFET N-Canal π-MOSV (Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor Drive)

Datasheet original da Toshiba para o transistor de efeito de campo 2SK2776, tipo N-Channel, tecnologia π-MOSV, encapsulamento TO-220FL. Projetado para aplicações industriais de comutação de alta corrente, como reguladores chopper, conversores DC-DC e acionamento de motores.

Características técnicas principais

• Tipo: MOSFET N-Canal de modo enhancement
• Tensão dreno-fonte (V_DSS): 500 V
• Corrente de dreno contínua (I_D): Não informada no extrato, mas a corrente de avalanche repetitiva (I_AR) é 8 A
• Resistência dreno-fonte em condução (R_DS(on)): 0,75 Ω (tip.)
• Admitância de transferência direta (|Y_fs|): 7,0 S (tip.)
• Tensão de limiar (V_th): 2,0 a 4,0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1 mA)
• Corrente de fuga dreno-fonte (I_DSS): 100 μA (máx.) a V_DS = 500 V
• Encapsulamento: TO-220FL (com dimensões em mm no datasheet)
• Faixa de temperatura de armazenamento: −55 °C a 150 °C

Aplicações típicas

• Reguladores chopper (fontes chaveadas)
• Conversores DC-DC
• Circuitos de acionamento de motores

Conteúdo do pacote

• Trans_Mos_canal_N_2SK2776_4747-eletronicabr.com.pdf – 347,8 kB (datasheet completo em PDF, com curvas características, pinagem e dimensões do encapsulamento)