Datasheet completo do transistor 2N7002EPT, um MOSFET de canal N de modo de enriquecimento, encapsulado em SC-70/SOT-323. Ideal para aplicações de chaveamento de baixa potência e drivers de portão lógico.
Características principais
- Tensão Drain-Source (VDS): 60 V
- Corrente de Dreno contínua (ID): 250 mA (até 300 mA em algumas versões)
- Resistência Drain-Source em condução (RDS(on)): típica de 1,7 Ω a 3,0 Ω (VGS = 10 V)
- Tensão de limiar de gate (VGS(th)): 1,0 a 2,5 V
- Encapsulamento de superfície compacto: SC-70 / SOT-323
- Tecnologia Trench MOSFET para chaveamento rápido
Conteúdo do pacote
- 2N7002EPT_2601-eletronicabr.com.pdf (444,3 KB) — folha de dados completa com curvas características, dimensões mecânicas, valores máximos absolutos e características térmicas.
Arquivo indicado para técnicos e projetistas que necessitam consultar especificações detalhadas do componente para reparo ou desenvolvimento de circuitos.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

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