Este arquivo contém o datasheet do MOSFET SP8K1 (marcação SP8K 2579), fabricado pela ROHM Semiconductor. Trata-se de um componente semicondutor de potência amplamente utilizado em fontes chaveadas, conversores DC-DC e circuitos de comutação em geral.
Características principais do componente
- Tipo: MOSFET Dual N-Channel (dois canais N no mesmo encapsulamento)
- Tensão máxima (VDSS): 30 V
- Corrente contínua (ID): 5,0 A
- Resistência de condução (RDS(on)): baixa, típica para comutação eficiente
- Encapsulamento: SOP-8 (Small Outline Package, 8 pinos)
- Proteção: diodo de proteção Gate-Source integrado (G-S Protection Diode)
- Aplicações típicas: comutação de carga, conversores DC-DC, gerenciamento de energia em notebooks, placas-mãe e equipamentos portáteis
Conteúdo do pacote
- SP8K_2579-eletronicabr.com.pdf (92,4 KB) – folha de dados completa com gráficos de características elétricas, curvas de operação, dimensões mecânicas e classificação térmica.
Observações técnicas
O datasheet original da ROHM fornece parâmetros essenciais para projeto e reparo: tensão limiar de gate (VGS(th)), carga total de gate (Qg), capacitâncias parasitas (Ciss, Coss, Crss) e curva de resistência em função da temperatura. Consulte o PDF para valores exatos conforme a versão do componente.
Este MOSFET é compatível com o código de marcação SP8K 2579 e pode substituir ou ser substituído por outros dispositivos com as mesmas características elétricas, desde que respeitadas as condições de dissipação e tensão.
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