Datasheet MOSFET N-Channel UTC 10N60 – 600V / 10A

Datasheet do MOSFET de Potência 10N60

Arquivo PDF contendo a folha de dados completa do transistor MOSFET de canal N modelo 10N60, fabricado pela Unisonic Technologies (UTC).

Características principais

• Tensão Dreno-Fonte (V_DSS): 600 V
• Corrente de Dreno Contínua (I_D): 10 A
• Resistência de Canal (R_DS(on)): tipicamente 0,68 Ω (máx. 0,75 Ω @ V_GS = 10 V)
• Faixa de Tensão de Gate (V_GS): ±30 V
• Limiar de Gate (V_GS(th)): 2,0 a 4,0 V
• Carga Total de Gate (Q_G): 44 nC
• Tempo de Comutação Rápido: t_on típico 23 ns / t_off típico 144 ns
• Capacitância de Entrada (C_iss): 1570 pF
• Energia de Avalanche (E_AS): 700 mJ (pulso único)
• Encapsulamentos: TO-220, TO-220F, TO-262, TO-263 (conforme variante)

Conteúdo do pacote

• Mosfet_10n60_nanal_N_15056-eletronicabr.com.pdf – 125,5 KB

Aplicações típicas

• Fontes chaveadas (SMPS)
• Conversores DC-DC de alta eficiência
• Controle PWM de motores
• Circuitos ponte e comutação em alta velocidade

Nota importante: Este é um datasheet genérico do componente. Antes de utilizar, verifique a versão exata e as curvas características completas contidas no PDF. Recomenda-se consultar as condições máximas absolutas e os gráficos de operação segura para o projeto.