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Jurandir Informatica

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  1. Mt bom é isso ai esse tipo de material nos ajuda e mt.
  2. Datasheet MOSFET P75N02LDG – N-Channel 30V 100A TO-252 (VBsemi / NIKO-SEM) - Schematic Datasheet completo do transistor MOSFET de canal N modelo P75N02LDG, também referenciado como P75N02LDG-VB (VBsemi) e P75N02LD (NIKO-SEM). Documento em formato PDF, ideal para consulta em reparos, projetos e substituição de componentes em fontes chaveadas, conversores DC-DC, circuitos OR-ing e servidores. Características técnicas principaisTipo: MOSFET N-Channel Enhancement Mode (Logic Level)VDS (máx.): 30 V (algumas variantes 25 V)ID (contínuo): 100 A (TC=25 °C) / 75 A (dependendo da referência)RDS(on) (típico): 2 mΩ @ VGS=10 V; 3 mΩ @ VGS=4,5 VVGS(th) (limiar): 1,5 V a 2,5 VPD (máx.): 235 W (TC=25 °C)Encapsulamento: TO-252 (DPAK)Fabrican VBsemi / NIKO-SEMConteúdo do pacoteMosfet_p75n02ld_15059-eletronicabr.com.pdf — 146,4 KB (datasheet com gráficos, tabelas de limites absolutos, características elétricas, curvas de operação e dimensões mecânicas do encapsulamento TO-252)Aplicações típicasFontes chaveadas e conversores DC-DCCircuito OR-ing (diodo ideal) em servidoresProteção de polaridade reversaDriver de carga em baixa tensãoCuidados e compatibilidadeVerifique a tensão de gate máxima (±20 V) e a corrente de dreno conforme a temperatura ambiente da aplicação.Para substituição, confirme o encapsulamento TO-252 e as dimensões do footprint.Consulte as curvas de dissipação térmica para projetos com altas correntes. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico. Informações do Arquivo Uploader Jurandir Informatica Enviado 21/04/2017 Categoria Datasheets Arquivo disponível no Gerenciador de Downloads Abra a página do arquivo para clicar em Download, conferir detalhes, versões, comentários e avaliações. Abrir página do download
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    Datasheet completo do transistor MOSFET de canal N modelo P75N02LDG, também referenciado como P75N02LDG-VB (VBsemi) e P75N02LD (NIKO-SEM). Documento em formato PDF, ideal para consulta em reparos, projetos e substituição de componentes em fontes chaveadas, conversores DC-DC, circuitos OR-ing e servidores. Características técnicas principaisTipo: MOSFET N-Channel Enhancement Mode (Logic Level)VDS (máx.): 30 V (algumas variantes 25 V)ID (contínuo): 100 A (TC=25 °C) / 75 A (dependendo da referência)RDS(on) (típico): 2 mΩ @ VGS=10 V; 3 mΩ @ VGS=4,5 VVGS(th) (limiar): 1,5 V a 2,5 VPD (máx.): 235 W (TC=25 °C)Encapsulamento: TO-252 (DPAK)Fabrican VBsemi / NIKO-SEMConteúdo do pacoteMosfet_p75n02ld_15059-eletronicabr.com.pdf — 146,4 KB (datasheet com gráficos, tabelas de limites absolutos, características elétricas, curvas de operação e dimensões mecânicas do encapsulamento TO-252)Aplicações típicasFontes chaveadas e conversores DC-DCCircuito OR-ing (diodo ideal) em servidoresProteção de polaridade reversaDriver de carga em baixa tensãoCuidados e compatibilidadeVerifique a tensão de gate máxima (±20 V) e a corrente de dreno conforme a temperatura ambiente da aplicação.Para substituição, confirme o encapsulamento TO-252 e as dimensões do footprint.Consulte as curvas de dissipação térmica para projetos com altas correntes. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.
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    Datasheet do MOSFET de Potência 10N60Arquivo PDF contendo a folha de dados completa do transistor MOSFET de canal N modelo 10N60, fabricado pela Unisonic Technologies (UTC). Características principaisTensão Dreno-Fonte (VDSS): 600 VCorrente de Dreno Contínua (ID): 10 AResistência de Canal (RDS(on)): tipicamente 0,68 Ω (máx. 0,75 Ω @ VGS = 10 V)Faixa de Tensão de Gate (VGS): ±30 VLimiar de Gate (VGS(th)): 2,0 a 4,0 VCarga Total de Gate (QG): 44 nCTempo de Comutação Rápido: ton típico 23 ns / toff típico 144 nsCapacitância de Entrada (Ciss): 1570 pFEnergia de Avalanche (EAS): 700 mJ (pulso único)Encapsulamentos: TO-220, TO-220F, TO-262, TO-263 (conforme variante)Conteúdo do pacoteMosfet_10n60_nanal_N_15056-eletronicabr.com.pdf – 125,5 KBAplicações típicasFontes chaveadas (SMPS)Conversores DC-DC de alta eficiênciaControle PWM de motoresCircuitos ponte e comutação em alta velocidadeNota importante: Este é um datasheet genérico do componente. Antes de utilizar, verifique a versão exata e as curvas características completas contidas no PDF. Recomenda-se consultar as condições máximas absolutas e os gráficos de operação segura para o projeto. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.
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  3. Datasheet MOSFET N-Channel UTC 10N60 – 600V / 10A - Schematic Datasheet do MOSFET de Potência 10N60Arquivo PDF contendo a folha de dados completa do transistor MOSFET de canal N modelo 10N60, fabricado pela Unisonic Technologies (UTC). Características principaisTensão Dreno-Fonte (VDSS): 600 VCorrente de Dreno Contínua (ID): 10 AResistência de Canal (RDS(on)): tipicamente 0,68 Ω (máx. 0,75 Ω @ VGS = 10 V)Faixa de Tensão de Gate (VGS): ±30 VLimiar de Gate (VGS(th)): 2,0 a 4,0 VCarga Total de Gate (QG): 44 nCTempo de Comutação Rápido: ton típico 23 ns / toff típico 144 nsCapacitância de Entrada (Ciss): 1570 pFEnergia de Avalanche (EAS): 700 mJ (pulso único)Encapsulamentos: TO-220, TO-220F, TO-262, TO-263 (conforme variante)Conteúdo do pacoteMosfet_10n60_nanal_N_15056-eletronicabr.com.pdf – 125,5 KBAplicações típicasFontes chaveadas (SMPS)Conversores DC-DC de alta eficiênciaControle PWM de motoresCircuitos ponte e comutação em alta velocidadeNota importante: Este é um datasheet genérico do componente. Antes de utilizar, verifique a versão exata e as curvas características completas contidas no PDF. Recomenda-se consultar as condições máximas absolutas e os gráficos de operação segura para o projeto. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico. Informações do Arquivo Uploader Jurandir Informatica Enviado 21/04/2017 Categoria Datasheets Arquivo disponível no Gerenciador de Downloads Abra a página do arquivo para clicar em Download, conferir detalhes, versões, comentários e avaliações. Abrir página do download
  4. Obrigado por seu apoio quanto mais materias de estudo melhor ficamos em nossa bancada.
  5. Parabéns aos idealizadores desse Canal que a cada dia se faz mt mais importante p quem busca conhecimento e atualizações na area tecnológica do segmento eletrônico que a cada dia cresce mt mais assim todos nós ganhamos que venha mais 100 milhões. :D
  6. Muito bom essa dia eu não conhecia essa ferramenta eu utilizo uma de outro modelo mas essa ainda não e adorei essa alem de ser de uma loja Confiabilíssima que gosto mt de comprar lá que é a Usinainfo não tenho nenhuma ligação com eles mas se é bom acho que é valido divulgar.
  7. Sou Jurandir B.Silva Sou de Itaquaquecetuba SP Conheci o EletronicaBR através de um grupo de amigos que tbm são participantes desse grande canal de conhecimento. Meu nível de conhecimento na área hj é Empresario,técnico e um eterno estudante. Minha principal busca de habilidade é na área técnica de reparo de placas Sou técnico iniciante na área de informatica amo essa área alem de ser empresario e busco a cada dia aprender mais e mais para que eu possa oferecer aos meus clientes um serviço de qualidade.
  8. Galera acabei de encontrar este link e achei mt interessante para quem esta procurando mosfet equivalentes. http://alltransistors.com/mosfet/crsearch.php?&struct=MOSFET&polarity=N&pd=156&uds=600&id=10&rds=0.72&caps=TO220
  9. Nome do arquivo: Mosfet p75n02ld arquivo enviado: February 21, 2016, 5:21:11 PM N-channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Acesse a página do download para baixar este arquivo. Na página do arquivo, clique no botão Download para iniciar o download ou conferir as informações completas. Acessar página de download
  10. Nome do arquivo: Mosfet 10n60 nanal N arquivo enviado: February 21, 2016, 5:00:25 PM Designador do tipo: 10N60 Tipo de 10N60 transistor MOSFET Tipo de canal de controle: N -Canais Máxima dissipação de energia (Pd), W: 156 Tensão máxima dreno-fonte | Uds |, V: 600 Tensão máxima porta-fonte | Ugs |, V: 30 Máxima corrente de dreno | Id |, A: 10 temperatura de junção máxima (Tj), ° C: 150 Tempo de ascensão de 10N60 transistor (tr), NS: 69 Fonte de dreno da capacitância (Cd), o PF: 166 Máxima dreno-fonte de resistência no estado (RDS), Ohm: 0,72 Pacote: TO-220_TO-220F_TO-220F1_TO-220F2_TO-262_TO-263 Acesse a página do download para baixar este arquivo. Na página do arquivo, clique no botão Download para iniciar o download ou conferir as informações completas. Acessar página de download
  11. Boa tarde Sou Silva sou técnico em informática,Sou de São paulo.

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