Datasheet MOSFET P75N02LDG – N-Channel 30V 100A TO-252 (VBsemi / NIKO-SEM)

Datasheet completo do transistor MOSFET de canal N modelo P75N02LDG, também referenciado como P75N02LDG-VB (VBsemi) e P75N02LD (NIKO-SEM). Documento em formato PDF, ideal para consulta em reparos, projetos e substituição de componentes em fontes chaveadas, conversores DC-DC, circuitos OR-ing e servidores.

Características técnicas principais

• Tipo: MOSFET N-Channel Enhancement Mode (Logic Level)
• V_DS (máx.): 30 V (algumas variantes 25 V)
• I_D (contínuo): 100 A (TC=25 °C) / 75 A (dependendo da referência)
• R_DS(on) (típico): 2 mΩ @ V_GS=10 V; 3 mΩ @ V_GS=4,5 V
• V_GS(th) (limiar): 1,5 V a 2,5 V
• P_D (máx.): 235 W (TC=25 °C)
• Encapsulamento: TO-252 (DPAK)
• Fabrican VBsemi / NIKO-SEM

Conteúdo do pacote

• Mosfet_p75n02ld_15059-eletronicabr.com.pdf — 146,4 KB (datasheet com gráficos, tabelas de limites absolutos, características elétricas, curvas de operação e dimensões mecânicas do encapsulamento TO-252)

Aplicações típicas

• Fontes chaveadas e conversores DC-DC
• Circuito OR-ing (diodo ideal) em servidores
• Proteção de polaridade reversa
• Driver de carga em baixa tensão

Cuidados e compatibilidade

• Verifique a tensão de gate máxima (±20 V) e a corrente de dreno conforme a temperatura ambiente da aplicação.
• Para substituição, confirme o encapsulamento TO-252 e as dimensões do footprint.
• Consulte as curvas de dissipação térmica para projetos com altas correntes.