Este arquivo contém a folha de dados técnica (datasheet) do MOSFET de potência 85T03GH, também identificado como AP85T03GH, fabricado pela Advanced Power Electronics Corp.
Características principais do componente
- Tipo: MOSFET de canal N (N-Channel Enhancement Mode)
- Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30 V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 75 A
- Resistência Dreno-Fonte em condução (RDS(on)): 6 mΩ (típica)
- Encapsulamento: TO-252 (DPAK) para montagem superficial; versão through-hole disponível como AP85T03GJ (TO-251)
- Carga de Gate baixa e comutação rápida, ideal para conversores DC/DC e aplicações de baixa tensão
- Temperatura máxima de junção: 175 °C
- Dissipação de potência máxima: 107 W
Conteúdo do pacote
- 85T03GH_2580-eletronicabr.com.pdf (206,2 KB) – Datasheet completo com gráficos, tabelas de características elétricas, curvas de operação e dimensões do encapsulamento.
Aplicações típicas
Este MOSFET é indicado para fontes chaveadas, reguladores buck, proteção de carga, drivers de motor e qualquer circuito que exija baixa resistência em condução e comutação rápida em tensões de até 30 V.
Observações de compatibilidade
Antes de substituir um componente em uma placa, confirme o código completo (85T03GH ou AP85T03GH) e o encapsulamento (TO-252). Verifique também as condições de dissipação térmica do projeto original, pois a corrente máxima depende da temperatura da cápsula.
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