BSO200P03S é um MOSFET de canal P fabricado pela Infineon Technologies (originalmente Siemens), projetado para aplicações de comutação de média tensão. Esta folha de dados (datasheet) fornece todas as características elétricas, térmicas, curva de operação segura (SOA), informações de package e aplicações típicas.
Características técnicas principais
- Tipo: MOSFET Canal P (P-Channel Enhancement Mode)
- Tensão Dreno-Fonte (VDS): -200 V
- Corrente de Dreno (ID): -3,4 A (contínuo) / -13,6 A (pulso)
- Resistência em condução (RDS(on)): 1,2 Ω típico @ VGS = -10 V
- Package: SOT-223 (DPAK modificado) com 4 terminais
- Tecnologia: SIPMOS® (planar) – adequado para conversores DC-DC, fontes chaveadas e circuitos de proteção reversa
Conteúdo do pacote
- BSO200P03S_2574-eletronicabr.com.pdf (272,8 KB) – Datasheet completo em formato PDF, contendo: valores máximos absolutos, curvas características (transferência, saída, SOA), tabela de switching, package outline, pinagem e notas de aplicação.
Cuidados de compatibilidade
Antes de utilizar o componente em projeto ou substituição, confira a tensão de gate (VGS máxima ±20 V) e o dissipador térmico necessário para a corrente do seu circuito. Verifique também se o code-date (indicado no documento como 2574) corresponde à revisão desejada; revisões posteriores podem trazer alterações de desempenho.
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