Datasheet do MOSFET Niko P1203BD (N-Channel, TO-252)

Este arquivo contém a folha de dados técnica (datasheet) do MOSFET de potência Niko P1203BD, fabricado pela Niko Semiconductor.

O componente é um transistor de efeito de campo de canal N (N-Channel), projetado para aplicações de comutação e gerenciamento de energia em baixa tensão e alta corrente. As principais características técnicas, conforme documentadas pelo fabricante, incluem:

• Encapsulamento: TO-252 (DPAK) para montagem em superfície
• Tensão dreno-fonte (V_DS): 30 V
• Corrente de dreno (I_D): 80 A
• Resistência de condução (R_DS(on)): 5 mΩ (típica) a V_GS = 10 V
• Tensão de limiar (V_th): 1,7 V

O documento em PDF (350,7 KB) apresenta as especificações elétricas completas, curvas características, informações térmicas, dimensões do encapsulamento e recomendações de aplicação. É um recurso essencial para técnicos e engenheiros que trabalham com reparo ou projeto de fontes chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores e sistemas de gerenciamento de bateria.

Notas de compatibilidade: O P1203BD pode ser substituído por equivalentes funcionais como o P1203BD8-VB (VBsemi) ou outros MOSFETs N-Channel de 30 V em TO-252 com R_DS(on) similar. Sempre confirme as dimensões e a pinagem antes da substituição.

Conteúdo do pacote

• Nikos_MOSFETs_P1203BD_3368-eletronicabr.com.pdf (350,7 KB)