Datasheet oficial do transistor MOSFET de potência Infineon CoolMOS™ série SPx07N60C3.
Este documento técnico (revisão 2.3/3.3, 2018) cobre as variantes SPP07N60C3 (TO-220), SPA07N60C3 (TO-220 FullPAK) e SPI07N60C3 (TO-262/I²PAK). Também é compatível com a versão SPB07N60C3 (D²PAK/TO-263), cujo datasheet é idêntico em parâmetros elétricos.
Características principais
- Tecnologia CoolMOS™ de alta tensão (VDS @ Tjmax = 650 V)
- Corrente de dreno contínua: 7,3 A (TC = 25 °C) / 4,6 A (TC = 100 °C)
- Resistência RDS(on) típica: 0,54 Ω @ 10 V, máxima 0,6 Ω
- Carga de porta ultrabaixa (Qg típico 21 nC)
- Capacitância de entrada típica: 790 pF
- Avalanche e dv/dt classificados
- Encapsulamentos: PG-TO-220 (SPP), PG-TO-220 FullPAK (SPA), PG-TO-262 (SPI)
- Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C
Sobre o arquivo
O PDF de 409 kB contém a folha de dados completa do fabricante, incluindo valores máximos absolutos, características elétricas, características térmicas, curvas características, diagramas de package e informações de pedido. Ideal para reparo e projeto de fontes chaveadas, inversores e conversores de potência.
Os transistores SPx07N60C3 são amplamente utilizados em fontes de alimentação ATX, nobreaks, carregadores e equipamentos industriais que exigem alta eficiência e baixa perda de comutação.
Conteúdo do pacote
- 07N60C3_2573-eletronicabr.com.pdf (409,1 KB)
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