Datasheet do Módulo DrMOS R2J20602NP - Renesas

Documentação técnica completa do módulo R2J20602NP, um DrMOS (Integrated Driver-MOSFET) fabricado pela Renesas Technology Corp. Este componente integra em um único encapsulamento o MOSFET de lado alto, o MOSFET de lado baixo e o circuito driver de acionamento, seguindo o padrão Intel DrMOS.

Características principais do R2J20602NP

• Tipo: Módulo Driver + MOSFET (DrMOS) multi-chip
• Encapsulamento: QFN56 (8 mm × 8 mm × 0,95 mm) com terminal Pb-free
• Tensão de operação (VIN): até 16 V (típico 12 V)
• Corrente média de saída: até 40 A
• Frequência de comutação: suporta operação acima de 1 MHz
• Perda de potência típica: aproximadamente 4,4 W a 1 MHz / 25 A
• Proteções: Under‑Voltage Lockout (UVL), desligamento térmico e entrada tri‑state para suporte a controladores PWM
• Funções integradas: diodo Schottky para bootstrap, regulador interno de 5 V, entrada DISBL# para desligamento remoto
• Aplicações típicas: conversores buck de alta corrente para CPUs, GPUs e VRMs em fontes chaveadas de alto desempenho

Conteúdo do pacote

• 1 arquivo PDF (203,7 KB): RENESAS_R2J20602NP_Integrated-Driver-MOSFET_DrMOS_5720-eletronicabr.com.pdf – datasheet completo com 15 páginas, incluindo diagrama de blocos, tabela de pinos, características elétricas, curvas de desempenho, recomendações de layout e aplicação típica.

Observações técnicas

• Este componente é compatível com a especificação DrMOS da Intel, facilitando a montagem de conversores CC‑CC multifásicos de alta densidade.
• O driver possui detecção de subtensão (UVL) com histerese, garantindo operação segura.
• A entrada DISBL# (ativa em nível baixo) permite desligar completamente o módulo, útil para gerenciamento de energia.
• Para substituição ou projeto, consulte sempre as recomendações térmicas e de layout do datasheet.