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 notícia Multiplexador de silício atinge terahertz para em comunicações 6G
silvio gouveia postou um tópico em Notícias
Esquema do multiplexador integrado, mostrando a onda terahertz de banda larga sendo dividida em quatro frequências diferentes, onde cada uma é capaz de transportar diferentes informações digitais. 6G óptica Pesquisadores da Austrália e do Japão criaram um multiplexador de luz, todo feito de silício, para comunicações na faixa dos terahertz. E, onde quer que você ouça falar sobre terahertz em comunicações, isto se refere à próxima geração de comunicações, ou seja, 6G e além. "Para controlar a grande largura de banda espectral das ondas terahertz, um multiplexador, que é usado para dividir e juntar sinais, é fundamental para dividir as informações em blocos gerenciáveis que possam ser processados mais facilmente e, portanto, possam ser transmitidos mais rapidamente de um dispositivo para outro," explicou o professor Withawat Withayachumnankul, da Universidade de Adelaide. A equipe desenvolveu multiplexadores terahertz ultracompactos e eficientes, graças a um novo processo de tunelamento óptico. E, ao usar apenas silício, garantiu que os componentes possam ser fabricados em escala industrial a preços acessíveis. "Um multiplexador óptico de quatro canais típico pode abranger mais de 2.000 comprimentos de onda. Isso teria cerca de dois metros de comprimento na banda de 300 GHz," comparou o professor Daniel Headland, da Universidade de Osaka. "Nosso dispositivo tem apenas 25 comprimentos de onda, o que oferece uma redução dramática de tamanho por um fator de 6.000." O multiplexador dispensa substratos de suporte para conexão com sistemas externos. Multiplexação O protótipo consegue manipular dados a uma taxa de 48 gigabits por segundo (Gbit/s), equivalente a um filme 8K sem compressão sendo transmitido pela internet. E isto usando o esquema de modulação mais básico possível: A energia terahertz foi simplesmente ligada e desligada para transmitir dados binários. Existem várias técnicas avançadas de multiplexação, que poderão gerar taxas de dados ainda mais altas, na faixa dos terabits/s. A equipe agora pretende integrar o multiplexador com diodos de tunelamento ressonante, para criar transceptores multicanais terahertz totalmente funcionais e, principalmente, compactos. Link: https://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=chip-silicio-atinge-terahertz-comunicacoes-6g&id=010110210519#.YLMRVKhKjIU Bibliografia: Artigo: Gratingless integrated tunneling multiplexer for terahertz waves Autores: Daniel Headland, Withawat Withayachumnankul, Masayuki Fujita, Tadao Nagatsuma Revista: Optica DOI: 10.1364/OPTICA.420715-
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 notícia Memórias preparam-se para saltar para a faixa dos terahertz
Jaimeletron postou um tópico em Notícias
Memórias preparam-se para saltar para a faixa dos terahertz Redação do Site Inovação Tecnológica - 01/03/2018 Magnetorresistência colossal Um material ferroelétrico na forma de uma película de espessura atômica mostrou-se capaz de gravar dados magnéticos em uma frequência na faixa dos terahertz, mais de 1.000 vezes a maior velocidade obtida nas memórias atuais. A leitura e escrita de dados nessa frequência promete equipamentos eletrônicos operando em um novo patamar de velocidade. Isto se tornou possível quando um filme de óxidos de perovskita apresentou o fenômeno conhecido como magnetorresistência colossal a temperatura ambiente. Além disso, o fenômeno pode ser controlado por meio de alterações de temperatura, como nas memórias de mudança de fase, por magnetismo, como nos discos rígidos atuais, ou - ainda mais interessante quando o assunto é velocidade e baixo consumo de energia - por meio de pulsos de luz. Diferente da magnetorresistência colossal convencional, observada sob campos magnéticos muito fortes e temperaturas criogênicas, o fenômeno observado nas perovskitas opera a temperatura ambiente e sob campos magnéticos de intensidade intermediária. A demonstração é bastante inicial, mas os resultados indicam que esses materiais ferroelétricos emergentes são adequados para a construção de componentes ópticos e eletrônicos acima da atual faixa dos gigahertz. "Isso sugere que a magnetorresistência colossal nas frequências THz pode encontrar uso em nanoeletrônica e em componentes óticos THz controlados por campos magnéticos," escreveu James Lloyd-Hughes, da Universidade de Warwick, que trabalhou com uma equipe do Reino Unido e dos EUA. Este gráfico ilustra as interações dos pulsos de luz terahertz (rosa) com um nanocompósito alinhado verticalmente. "B" é o campo magnético e "ETHz" é o campo elétrico THz. O filme nanocompósito inclui pilares minúsculos de óxido de zinco (ZnO) (vermelho) incorporados em uma matriz de manganita de estrôncio e lantânio (amarelo). [Imagem: Chris Sheehan] Bibliografia: Colossal Terahertz magnetoresistance at room temperature in epitaxial La0.7Sr0.3MnO3 nanocomposites and single-phase thin films James Lloyd-Hughes, C. D. W. Mosley, S. P. P. Jones, M. R. Lees, A. P. Chen, Q. X. Jia, E. M. Choi, J. L. MacManus-Driscoll Nano Letters Vol.: 17, 2506 DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00231 Fonte: Inovação Tecnológica http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=memorias-preparam-se-saltar-faixa-terahertz&id=010110180301#.Wp6le2rwZph-
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