Datasheets

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) completa do transistor MOSFET de potência N-Channel MTP4N85, fabricado originalmente pela Motorola / ON Semiconductor.
Especificações principais:
Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 850 V Corrente de Dreno Contínua (ID): 4 A Resistência Dreno-Fonte (RDS(on)): 4 Ω (máx.) Encapsulamento: TO-220AB (3 terminais) Tipo: N-Channel, modo de enriquecimento Tensão de Limiar (VGS(th)): tipicamente 2 a 4 V Aplicações típicas: Fontes chaveadas (SMPS), conversores DC-DC, circuitos PFC, acionamento de motores AC/DC, robótica e controles servo.
Conteúdo do PDF: O documento inclui as características elétricas estáticas e dinâmicas, curvas de saída, transferência, capacitância, valores máximos absolutos, diagrama de pinagem e informações térmicas. Ideal para consulta em reparos, substituição de componentes ou projetos de eletrônica de potência.
Compatibilidade: O MTP4N85 pode ser substituído por equivalentes modernos como IXFP4N85X (IXYS) ou similares, desde que respeitados os limites de tensão e corrente. Sempre confira o encapsulamento e a pinagem antes da substituição.
Conteúdo do pacote
Mosfet_MTP4N85_14532-eletronicabr.com.pdf (357,0 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) oficial do componente ROHM SP8K1, um MOSFET de canal N duplo de potência, no encapsulamento SOP8 de montagem superficial. É um documento PDF de 356,6 kB (arquivo: sp8k1_2607-eletronicabr.com.pdf), com 4 páginas em inglês.
Características técnicas principais (segundo o datasheet):
Tensão dreno-fonte (VDSS): 30 V Corrente de dreno contínua (ID): 5,0 A Dissipação de potência (PD): 2,0 W Resistência em condução típica (RDS(on)): 0,036 Ω @ VGS = 10 V; 0,052 Ω @ 4,5 V Carga de porta (Qg): 3,9 nC (tip.) Encapsulamento: SOP8 (6,0 × 5,0 mm, altura 1,75 mm) Polaridade: N-ch + N-ch Diodo de proteção Gate-Source integrado Aplicações indicadas: Chaveamento de potência, conversores DC/DC.
Atenção: De acordo com o fabricante ROHM, o modelo SP8K1 está marcado como “Não recomendado para novos projetos” (Not Recommended for New Designs). Para novas aplicações, a ROHM sugere o substituto SH8K12 (mesmo encapsulamento SOP8, pinagem compatível, RDS(on) similar e indicado para chaveamento). Consulte o datasheet para detalhes de compatibilidade e curvas características.
Conteúdo do pacote:
sp8k1_2607-eletronicabr.com.pdf (356,6 kB) – Datasheet completo do MOSFET ROHM SP8K1. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Esta pasta contém a folha de dados (datasheet) oficial do regulador de tensão linear ADP3331, fabricado pela Analog Devices. O componente é um LDO (Low Dropout) de alta precisão, corrente de saída de 200 mA e tensão de entrada de 2,6 V a 12 V, com tensão de saída ajustável entre 1,5 V e 11,75 V.
Características principais
Precisão de ±0,7% a 25 °C e ±1,4% sobre temperatura Tensão de dropout ultralow: 140 mV (típ.) a 200 mA Corrente de quiescência baixíssima: 34 μA (típ.) em carga leve Estável com qualquer tipo de capacitor (inclusive MLCC) a partir de 0,47 μF Proteção contra curto-circuito, sobrecarga térmica e shutdown Encapsulamento SOT-23-6 (6 pinos) com tecnologia Chip-on-Lead™ para maior dissipação Aplicações típicas
Telefones celulares Notebooks e computadores portáteis Sistemas alimentados por bateria Reguladores PCMCIA Câmeras, filmadoras, leitores de código de barras Conteúdo do pacote
Regulador_ADP3331_3382-eletronicabr.com.pdf (355,9 KB) – Datasheet completo do ADP3331 com diagrama de blocos, características elétricas, curvas típicas, descrição dos pinos e aplicação típica. Observações
Para projetos que exigem alta precisão e baixo dropout com corrente moderada, o ADP3331 é uma excelente escolha. Verifique o modelo exato pelo código de gravação no encapsulamento (ex.: L9B). O datasheet cobre as versões ajustável e fixa dentro da família ADP3331. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo é a folha de dados (datasheet) oficial do controlador RT8206A / RT8206B, fabricado pela Richtek Technology Corporation. Trata-se de um componente crítico em placas-mãe de notebooks, responsável por gerar as tensões lógicas principais a partir da bateria ou do adaptador.
Características principais do componente
Controlador SMPS dual step-down (dois conversores PWM) para alimentação de sistemas portáteis. Tensão de entrada: 6V a 25V. Saídas fixas de 5V e 3,3V ou ajustáveis de 2V a 5,5V com precisão de 1,5%. Regulador linear (LDO) integrado de 5V / 70mA. Referência de tensão de 2V (±1%), capaz de fornecer até 50µA. Modos de operação selecionáveis: PWM, DEM (Diode Emulation Mode) e Ultrasonic Mode (acima de 25kHz, evitando ruído audível). Proteções: soft-start interno, soft-discharge, limitação de corrente programável e thermal shutdown. Encapsulamento: WQFN-32L 5x5mm. Diferenças entre RT8206A e RT8206B
RT8206A: inclui o pino SECFB (Secondary Feedback Input) para monitorar uma bomba de carga externa opcional (ex.: geração de 14V). RT8206B: não possui o pino SECFB, sendo uma versão simplificada para projetos que não necessitam desse monitoramento. Aplicações típicas
Projetado para notebooks, sub-notebooks e dispositivos alimentados por baterias de 3 ou 4 células de Li+. É comumente encontrado em circuitos de alimentação principal de placas-mãe de diversas marcas (Dell, HP, Lenovo, Acer, Asus, entre outras).
Conteúdo do pacote
RT8206B_2548-eletronicabr.com.pdf (355,7 KB) – datasheet completo com 26 páginas, incluindo diagrama de aplicação típica, descrição funcional dos pinos, tabelas de características elétricas, curvas de desempenho e informações de pedido (ordering information). Cuidados e compatibilidade
O datasheet cobre ambos os modelos (RT8206A e RT8206B). Verifique a marcação no componente físico para identificar a variante exata. Antes de substituir o CI em uma placa, confirme a tensão de entrada, a configuração dos pinos de habilitação (EN) e o modo de operação desejado (SKIP pin). Para projetos que exigem monitoramento de bomba de carga externa, utilize o RT8206A; caso contrário, o RT8206B é suficiente. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Sobre o Componente
Este arquivo contém a folha de dados técnica (datasheet) dos controladores PWM RT8206A e RT8206B fabricados pela Richtek Technology. Trata-se de um controlador de fonte chaveada dual step-down (buck) projetado para gerar as tensões lógicas principais em sistemas alimentados por bateria, especialmente notebooks e sub-notebooks.
Principais Características Técnicas
Alimentação de entrada: 6 V a 25 V Saídas reguladas: Duas saídas fixas de 5 V e 3,3 V, ou ajustáveis entre 2 V e 5,5 V com precisão de 1,5% LDO interno: Regulador linear de 5 V com capacidade de até 70 mA Referência de 2 V: Saída de referência com 1% de precisão, capaz de fornecer até 50 μA Controle: Modulação por largura de pulso (PWM) com modo Constant On-Time e resposta rápida a transientes de carga (100 ns) Modos de operação: Modo de Emulação de Diodo (DEM), Modo Ultrassônico (acima de 25 kHz) e Modo PWM forçado, selecionáveis via pino SKIP Proteções: Limite de corrente programável via RDS(on), soft-start interno com 5 estágios de corrente, soft-discharge e desligamento térmico Eficiência: Até 97% Frequência de chaveamento: Selecionável via pino TON (200 kHz/250 kHz, 300 kHz/375 kHz ou 400 kHz/500 kHz) Encapsulamento: WQFN-32L 5 mm × 5 mm Diferença entre RT8206A e RT8206B
RT8206A: Inclui pino SECFB (Secondary Feedback) para monitorar uma bomba de carga externa opcional. RT8206B: Não possui o pino SECFB, sendo uma versão simplificada. Aplicações Típicas
Notebooks e sub-notebooks – geração das tensões principais (5 V e 3,3 V) a partir da bateria Dispositivos alimentados por baterias de 3 ou 4 células Li+ Conteúdo do Arquivo
RT8206_2605-eletronicabr.com.pdf (355,7 KB) – Datasheet completo em inglês, com 26 páginas, incluindo descrição geral, pinagem, especificações elétricas, diagramas de blocos, circuito de aplicação típico, curvas características e informações de soldagem. Observações de Compatibilidade
Este datasheet é a referência oficial para projetos que utilizam os controladores RT8206A/B. Antes de aplicar o componente, confira a revisão do datasheet (versão DS8206A/B-06) e o marking do componente para garantir a variante correta (com ou sem SECFB). O encapsulamento WQFN-32 exige cuidados com soldagem e dissipação térmica – consulte as recomendações do fabricante no próprio documento.
Conteúdo do pacote
RT8206_2605-eletronicabr.com.pdf (355,7 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados técnica (datasheet) do MOSFET de potência Niko P1203BD, fabricado pela Niko Semiconductor.
O componente é um transistor de efeito de campo de canal N (N-Channel), projetado para aplicações de comutação e gerenciamento de energia em baixa tensão e alta corrente. As principais características técnicas, conforme documentadas pelo fabricante, incluem:
Encapsulamento: TO-252 (DPAK) para montagem em superfície Tensão dreno-fonte (VDS): 30 V Corrente de dreno (ID): 80 A Resistência de condução (RDS(on)): 5 mΩ (típica) a VGS = 10 V Tensão de limiar (Vth): 1,7 V O documento em PDF (350,7 KB) apresenta as especificações elétricas completas, curvas características, informações térmicas, dimensões do encapsulamento e recomendações de aplicação. É um recurso essencial para técnicos e engenheiros que trabalham com reparo ou projeto de fontes chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores e sistemas de gerenciamento de bateria.
Notas de compatibilidade: O P1203BD pode ser substituído por equivalentes funcionais como o P1203BD8-VB (VBsemi) ou outros MOSFETs N-Channel de 30 V em TO-252 com RDS(on) similar. Sempre confirme as dimensões e a pinagem antes da substituição.
Conteúdo do pacote
Nikos_MOSFETs_P1203BD_3368-eletronicabr.com.pdf (350,7 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) do componente de memória flash 39VF080, um dispositivo CMOS de 8 Mbit (1M x 8) amplamente utilizado em BIOS de placas-mãe, sistemas embarcados e equipamentos eletrônicos que necessitam de armazenamento não volátil reprogramável.
Características principais do componente (conforme datasheet):
Organização: 1.048.576 x 8 bits (8 Mbit) Tensão de operação: 3,3 V Interface paralela Apagamento por setor/página e programação por byte Compatível com dispositivos que utilizam o padrão de pinagem JEDEC O documento em PDF (350,6 KB) inclui diagrama de pinagem, tabela de características elétricas, temporizações, instruções de comando e informações de embalagem. É uma referência essencial para técnicos que trabalham com reparo de placas, recuperação de BIOS ou projetos que utilizam essa memória flash.
Conteúdo do pacote:
39VF080_8184-eletronicabr.com.pdf (350,6 KB) — datasheet completo Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet completo do circuito integrado LD7575A, um controlador PWM current-mode com excelente economia de energia, fabricado pela Leadtrend Technology. Este CI é amplamente utilizado em fontes chaveadas de monitores LCD, TVs LCD, adaptadores AC/DC e fontes de alimentação abertas.
Características principais do LD7575A
Circuito de partida em alta tensão (500 V) integrado, eliminando a necessidade de resistor de partida externo Modo de operação Green-Mode sem ruído audível para baixo consumo em modo leve Controle de corrente com Leading-Edge Blanking (LEB) no pino CS Frequência de comutação programável via resistor externo (RT) Compensação interna de inclinação (slope compensation) Proteções incorporadas: OVP (sobretensão em Vcc), OLP (sobrecarga) e UVLO (undervoltage lockout) Capacidade de driver de saída de 500 mA Disponível nos encapsulamentos SOP-8 e DIP-8 Aplicações típicas
Fontes chaveadas para monitores LCD e TVs LCD Adaptadores AC/DC e carregadores de bateria Fontes de alimentação de quadro aberto (open frame) Conteúdo do PDF
Arquivo de 349,4 KB contendo a folha de dados original com especificações elétricas, diagrama de pinagem, curvas características, circuito de aplicação típica e descrição funcional detalhada do LD7575A. É um documento essencial para técnicos que realizam reparos em fontes de monitores e precisam consultar tensões de operação, limites de proteção e orientações de projeto.
Nota: O CI LD7575A é frequentemente encontrado em placas-fonte de monitores LCD e TVs de marcas como AOC, Samsung, LG e outras. Antes de substituir o componente, confira o encapsulamento e a pinagem do modelo original na placa.
Conteúdo do pacote
CI_LD7575A_-_encontrado_em_placas_fonte_de_monitores_6431-eletronicabr.com.pdf (349,4 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) do regulador de tensão linear 78R05, também referenciado como 7231. É um documento técnico essencial para consulta de especificações elétricas, pinagem, aplicações típicas e curvas características do componente.
Características Técnicas do 78R05 / 7231
Tipo: Regulador de tensão linear fixo de 5 V Tensão de saída: 5 V (típica) Corrente de saída: Até 1 A (dependendo da versão e dissipação) Tensão de entrada: Tipicamente 7 V a 20 V Proteções: Térmica, contra curto-circuito e contra sobrecorrente Encapsulamento: TO-220 (comum) ou equivalente Conteúdo do Pacote
78R05_7231-eletronicabr.com.pdf (348,0 KB) — Datasheet completo com diagrama de blocos, especificações elétricas, gráficos de desempenho, aplicações recomendadas e dimensões mecânicas. Compatibilidade e Aplicações
O 78R05 é amplamente utilizado em fontes de alimentação lineares, circuitos de instrumentação, projetos com microcontroladores e qualquer aplicação que exija uma tensão de 5 V regulada com baixo ruído. O datasheet é útil para técnicos e hobistas que precisam verificar limites de operação, dissipação térmica e conexões corretas do componente.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet original da Toshiba para o transistor de efeito de campo 2SK2776, tipo N-Channel, tecnologia π-MOSV, encapsulamento TO-220FL. Projetado para aplicações industriais de comutação de alta corrente, como reguladores chopper, conversores DC-DC e acionamento de motores.
Características técnicas principais
Tipo: MOSFET N-Canal de modo enhancement Tensão dreno-fonte (VDSS): 500 V Corrente de dreno contínua (ID): Não informada no extrato, mas a corrente de avalanche repetitiva (IAR) é 8 A Resistência dreno-fonte em condução (RDS(on)): 0,75 Ω (tip.) Admitância de transferência direta (|Yfs|): 7,0 S (tip.) Tensão de limiar (Vth): 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Corrente de fuga dreno-fonte (IDSS): 100 μA (máx.) a VDS = 500 V Encapsulamento: TO-220FL (com dimensões em mm no datasheet) Faixa de temperatura de armazenamento: −55 °C a 150 °C Aplicações típicas
Reguladores chopper (fontes chaveadas) Conversores DC-DC Circuitos de acionamento de motores Conteúdo do pacote
Trans_Mos_canal_N_2SK2776_4747-eletronicabr.com.pdf – 347,8 kB (datasheet completo em PDF, com curvas características, pinagem e dimensões do encapsulamento) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet completo do controlador PWM RT8223P fabricado pela Richtek Technology. Este componente é um controlador de fonte de alimentação principal para notebooks, projetado para gerar as tensões lógicas de 3,3 V e 5 V a partir da bateria ou fonte externa.
Características principais
Controlador buck síncrono duplo com modulação PWM de tempo constante (COT) Tensão de entrada: 6 V a 25 V Saídas PWM ajustáveis de 2 V a 5,5 V (dois canais independentes) Reguladores lineares fixos de 3,3 V e 5 V com capacidade de 100 mA cada Referência de tensão interna de 2 V Frequência de comutação selecionável via pino TONSEL: 200 kHz a 500 kHz Modos de operação: PWM forçado, Emulação de Diodo (DEM) e Modo Ultrasônico Proteções: OCP, OVP, UVP, SCP e desligamento térmico Soft-start e soft-discharge internos Eficiência de até 97% Encapsulamento: WQFN-24L 4×4 mm Aplicações típicas
Notebooks e sub-notebooks Dispositivos alimentados por baterias de 3 ou 4 células de Li+ Sistemas que necessitam de regulação precisa de 3,3 V e 5 V com resposta rápida a transientes de carga Conteúdo do pacote
RT8223P_pwm_de_3_e_5v_16312-eletronicabr.com.pdf — 347,2 KB O documento contém o diagrama de blocos funcional, descrição detalhada dos pinos, tabelas de características elétricas, curvas típicas de operação, circuito de aplicação recomendado e informações de marcação/embalagem. Essencial para técnicos que realizam reparos em placas-mãe de notebooks, especialmente nos circuitos de alimentação principal (3,3 V e 5 V).
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo é a folha de dados (datasheet) oficial do transistor MOSFET de canal P fabricado pela Toshiba, modelo 2SJ349. O documento contém todas as especificações técnicas, curvas características e dimensões mecânicas necessárias para projeto e reparo de circuitos que utilizam este componente.
Características principais
Tensão dreno-fonte (VDSS): −60 V Corrente de dreno contínua (ID): −20 A Corrente de dreno pulsada (IDP): −80 A Resistência dreno-fonte em condução (RDS(on)): 33 mΩ (típico), 90 mΩ (máximo) Acionamento por gate de 4 V (Vth = −0,8 a −2,0 V) Admitância de transferência direta (|Yfs|): 20 S (típico) Corrente de fuga muito baixa: IDSS = −100 μA (máx.) Dissipação de potência (PD): 45 W (Tc = 25 °C) Energia de avalanche de pulso único (EAS): 800 mJ Tecnologia e aplicações
Fabricado com a tecnologia L²-π-MOS V, o 2SJ349 é um MOSFET de potência tipo enhancement mode, indicado para aplicações de DC-DC converters, relay drive e motor drive. Graças à baixa resistência de condução e alta admitância, é adequado para chaveamento rápido com perdas reduzidas.
Encapsulamento
Package: TO-220 (padrão JEDEC SC-67, Toshiba 2-10R1B) Peso: aproximadamente 1,9 g Conexão do terminal: isolada (case isolado) Conteúdo do PDF
O documento inclui tabelas completas de classificações máximas absolutas, características elétricas (CC e CA), resistência térmica (2,78 °C/W canal-caso), gráficos de região de operação segura, curvas de corrente vs. tensão, dependência da temperatura e dimensões mecânicas do encapsulamento. Também há informações sobre carga da porta (Qg, Qgs, Qgd) e tempos de chaveamento.
Cuidados
Componente sensível a eletricidade estática – manusear com precaução. Não exceder a temperatura máxima de canal (150 °C). Para operação contínua sob alta carga, aplicar derating conforme o manual de confiabilidade da Toshiba. Arquivo ideal para técnicos em eletrônica que trabalham com fontes chaveadas, conversores e acionamentos de motores.
Conteúdo do pacote
Mosfete_2SJ349DS_4737-eletronicabr.com.pdf (340,9 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet original do transistor Toshiba 2SK2601, um MOSFET de canal N da série π-MOSV, encapsulado em TO-220 (SC-65). O documento tem 5 páginas e contém todas as especificações elétricas, curvas características, dimensões mecânicas e informações térmicas.
Principais características
Fabricante: Toshiba Semiconductor Tipo: MOSFET N-Channel, modo enhancement Tensão dreno-fonte (VDSS): 500 V Corrente de dreno contínua (ID): 10 A (40 A pulsada) Resistência dreno-fonte ON típica (RDS(on)): 0,75 Ω (máx. 1,0 Ω @ VGS = 10 V) Admitância de transferência direta (|Yfs|): 7,0 S (típ.) Limiar de gate (Vth): 2,0 a 4,0 V Dissipação máxima (Tc=25°C): 125 W Temperatura de canal: −55 °C a +150 °C Encapsulamento: TO-220 (SC-65, 2-16C1B) Aplicações típicas
Conversores DC-DC Acionamento de relés Acionamento de motores Chaveamento de alta tensão e alta velocidade O PDF inclui tabelas com valores máximos absolutos, características elétricas, características térmicas, tempos de comutação, carga do gate e curvas de saída. Ideal para consulta em reparos, projetos e substituição de componentes.
Atenção: Este é um datasheet técnico de referência. Antes de substituir o componente, verifique as condições térmicas e elétricas do circuito.
Conteúdo do pacote
Mosfete_2SK2601_4742-eletronicabr.com.pdf (339,4 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet original do transistor MOSFET de potência 2SK2544 fabricado pela Toshiba, da série π-MOSV. O documento contém as especificações elétricas completas, curvas características, dimensões mecânicas e classificação para aplicações em fontes chaveadas (Switching Regulator Applications).
Características principais
Tipo: MOSFET de canal N, modo enhancement VDSS: 600 V ID: 6 A (contínuo) / 24 A (pulso) RDS(on): 0,9 Ω (típico) / 1,25 Ω (máx) em VGS = 10 V, ID = 3 A VGS(th): 2,0 a 4,0 V PD: 80 W (Tc = 25°C) Encapsulamento: TO-220AB (JEDEC SC-46, Toshiba 2-10P1B) Marcação: K2544 Conteúdo do pacote
Mosfete_2SK2544_4740-eletronicabr.com.pdf – 339,2 KB (5 páginas, datasheet original Toshiba) Arquivo útil para técnicos que trabalham com reparo de fontes chaveadas, inversores, nobreaks e circuitos de potência que utilizam o MOSFET 2SK2544 ou equivalentes. Recomenda-se verificar a compatibilidade com o circuito antes da substituição.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet original do transistor MOSFET N-Channel 2SK2662 fabricado pela Toshiba, tecnologia π-MOSV. Documento completo com especificações elétricas, curvas características, dimensões mecânicas do encapsulamento TO-220 e ratings máximos.
Características principais (conforme datasheet)
Tipo: MOSFET N-Channel, modo enhancement Tensão Drain-Source (VDSS): 500 V Corrente de Drain contínua (ID): 5 A Resistência Drain-Source ON (RDS(on)): 1,35 Ω (typ.) / 1,50 Ω (max) Potência máxima (PD): 35 W (Tc = 25 °C) Tensão Gate-Source (VGSS): ±30 V Encapsulamento: TO-220 (padrão JEDEC SC-67) Temperatura de canal: -55 a +150 °C Aplicações típicas
Conversores DC-DC Acionamento de relés Acionamento de motores Conteúdo do pacote
Transistor_Mos_N_2SK2662_4743-eletronicabr.com.pdf (338 KB) – Datasheet completo, 8 páginas, incluso pinagem, características térmicas, curvas de saída, switching times e gráficos de avalanche. Observações importantes
O 2SK2662 é um componente sensível a descargas eletrostáticas (ESD sensitive). Manuseie com cuidado e utilize equipamentos de proteção adequados durante a soldagem ou manuseio. Sempre consulte o datasheet para verificar as condições máximas absolutas antes de projetar ou substituir o componente.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) original do transistor MOSFET de potência N-Channel 2SK2542, fabricado pela Toshiba. É um componente da série π-MOSV, projetado para aplicações em fontes chaveadas (Switching Regulator Applications).
Características técnicas principais
Tipo: MOSFET N-Channel, modo enhancement Tensão Drain-Source (VDSS): 500 V Corrente de dreno contínua (ID): 8 A (DC), 32 A (pulso) Potência dissipada (PD): 80 W (Tc = 25°C) Resistência em condução (RDS(on)): 0,75 Ω (típ.) @ VGS = 10 V, ID = 4 A Tensão de limiar (Vth): 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Capacitâncias: Ciss = 1300 pF (típ.), Crss = 130 pF, Coss = 400 pF Tempos de chaveamento: ton = 45 ns (típ.), toff = 140 ns Encapsulamento: TO-220AB (JEDEC SC-46), peso 2,0 g Faixa de temperatura de operação: –55 °C a +150 °C Aplicações típicas
Fontes chaveadas (Switching regulators) Conversores CC-CC Circuitos de comutação de alta tensão Conteúdo do pacote
Mosfete_2SK2542_4739-eletronicabr.com.pdf — 337,6 KB (datasheet completo em inglês, 6 páginas, formato PDF) O datasheet inclui as especificações elétricas completas, curvas características, diagrama de dimensões mecânicas e demais informações para projeto e substituição do componente. Consulte o documento para valores máximos absolutos, características térmicas e detalhes sobre safe operating area.
Observação: Sempre confira a tensão, corrente e dissipação do MOSFET em relação ao seu projeto antes da substituição.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

O arquivo contém a folha de dados técnica (datasheet) do MOSFET NIKOS P0403BD, um transistor de efeito de campo de canal N no encapsulamento TO-252 (DPAK). O documento é essencial para técnicos e projetistas que precisam consultar as especificações elétricas, curvas características e dimensões mecânicas do componente durante reparos, projetos ou substituições.
Características principais (com base no datasheet e referências cruzadas):
Tipo: N-Channel Enhancement Mode MOSFET Encapsulamento: TO-252 (DPAK), adequado para montagem superficial Finalidade: comutação de média potência em fontes chaveadas, conversores DC-DC, reguladores buck, proteção de carga e circuitos de gerenciamento de bateria Alternativas/equivalências conhecidas: UNIKC P0603BD, NIKOS P0503BD, NIKOS P0903BDG – verifique as especificações de tensão, corrente e RDS(on) antes de substituir Conteúdo do pacote:
Nikos_MOSFETs_P0403BD_3367-eletronicabr.com.pdf – 337,0 KB Observação de compatibilidade: Antes de substituir o P0403BD por outro modelo, confirme as classificações de tensão dreno-fonte (VDSS), corrente contínua de dreno (ID) e resistência de dreno-fonte em condução (RDS(on)) apresentadas no datasheet original.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet completo do controlador PWM SG6842, fabricado pela System General. Este componente é um controlador PWM de alto nível de integração, projetado para fontes chaveadas no modo flyback, com tecnologia Green-Mode para minimizar o consumo em standby.
Características principais:
Frequência PWM linearmente decrescente em modo verde (Green-Mode) Modo Burst em carga zero para consumo mínimo Corrente de partida muito baixa: 20 µA Corrente de operação: 4 mA Proteções internas: OTP, OVP, UVLO, curto-circuito ciclo a ciclo Compensação de inclinação síncrona integrada Saída totem-pole com soft driving e melhoria de EMI Limite de potência constante em toda a faixa de entrada CA (90–264 VAC) Tensão de grampeamento do gate em 18 V Frequência programável via resistor externo (RT) Disponível em encapsulamentos DIP-8 e SO-8 Aplicações típicas: fontes de alimentação de modo chaveado em geral, adaptadores de energia, fontes abertas, carregadores de bateria.
Especificações do documento: arquivo PDF com 28 páginas, incluindo diagrama de blocos, gráficos de operação, tabela de características elétricas completas, descrição dos pinos e informações de pedido (ordering information).
Conteúdo do pacote:
SG6842_-_Datasheet_19729-eletronicabr.com.pdf | 336,9 KB Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Documento técnico original da Toshiba contendo a folha de dados completa do transistor de efeito de campo 2SJ377, um MOSFET de canal P da família L²-π-MOSV.
Especificações principais (Ta=25°C)
Tipo: MOSFET de potência, canal P, modo enhancement VDSS (máx): −60 V ID (contínuo): −5 A RDS(on) (típ.): 0,16 Ω (VGS = −10 V) PD (Tc=25°C): 20 W VGS(th): −0,8 a −2,0 V Ciss (típ.): 630 pF Pacote: SC-64 (TO-252 / DPAK) – montagem superficial Aplicações típicas
Acionamento de relés Conversores DC/DC Acionamento de motores Conteúdo do pacote
Mosfete_2SJ377DS_4738-eletronicabr.com.pdf (336,6 KB) – datasheet original de 8 páginas com curvas características, tabela de valores máximos absolutos, características elétricas, gráficos de desempenho térmico e diagrama dimensional do encapsulamento. Ideal para consulta durante reparos, substituição de componentes ou projetos que utilizem o 2SJ377. Consulte sempre as condições de operação segura descritas no documento.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Documentação Técnica do SG6842
O SG6842 é um controlador PWM altamente integrado, fabricado pela System General Corp., projetado para conversores flyback em modo corrente. Este Application Note reúne informações essenciais para o projeto de fontes chaveadas de baixo consumo em standby, com recursos de Green-Mode, Burst-Mode e baixa corrente de partida (20 μA).
Principais Características Técnicas
Corrente de partida típica: 20 μA Corrente de operação: 4 mA Frequência PWM programável com modulação linear em modo verde Modo Burst-Mode em carga zero para redução de consumo Proteções integradas: OVP (sobretensão), OTP (sobretemperatura com latch), UVLO (subtensão), leading-edge blanking e limite ciclo-a-ciclo Saída Gate clampada em 18 V Faixa de tensão de entrada AC universal: 90 VAC a 264 VAC Encapsulamentos: 8-pin DIP e 8-pin SOP Aplicações Típicas
Fontes de alimentação chaveadas (SMPS) de uso geral Conversores flyback Adaptadores de energia Carregadores de bateria Fontes de placa aberta (open-frame) Conteúdo do Pacote
SG6842_-_Application_Note_19730-eletronicabr.com.pdf (336,3 KB) - Documento técnico completo com diagramas de blocos, circuito típico de aplicação, descrição de pinos, curvas características e recomendações de projeto. Observação
Este material é voltado a técnicos e engenheiros que trabalham com projeto e reparo de fontes chaveadas baseadas no controlador SG6842. Consulte também o datasheet oficial para especificações elétricas completas.
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Folha de dados (datasheet) do diodo Zener RLZ20A, componente semicondutor de uso geral em circuitos de regulação de tensão, proteção contra sobretensão e referência de tensão. O documento inclui o código de marcação 2588, auxiliando na identificação do componente em laboratório.
Características técnicas do diodo Zener RLZ20A
Tensão Zener nominal (Vz): 20 V (valor típico sob corrente de teste especificada na folha). Dissipação de potência máxima (Pd): 500 mW. Encapsulamento: DO-35 (vidro, 2 terminais). Tolerância: conforme especificação da série RLZ (consulte a folha para valores exatos). Aplicações típicas: regulação de tensão, clamping, fontes de referência, proteção de circuitos. Conteúdo do pacote
RLZ20A_-_DIODO_2588-eletronicabr.com.pdf (332,3 KB) – Arquivo PDF contendo a folha de dados completa, incluindo tabela de características elétricas, curvas características (tensão x corrente), coeficiente de temperatura, dimensões mecânicas do encapsulamento e informações de classificação. Observações
Verifique a polaridade correta (catodo/anodo) ao substituir o componente no circuito. Para dissipação de potência máxima, considere a temperatura ambiente e a necessidade de dissipador (para 500 mW, normalmente não é necessário em condições normais). Consulte a folha de dados para corrente de teste Zener (Izt) e corrente máxima reversa (Izmax). Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Folha de dados (datasheet) original do MOSFET de potência AOD482 / AOI482, fabricado pela Alpha & Omega Semiconductors. O documento contém 6 páginas com todas as especificações técnicas, curvas características, classificação térmica e recomendações de aplicação.
Especificações principais
Tipo: N-Channel MOSFET de potência com tecnologia trench avançada VDS: 100 V ID (contínuo, TC=25 °C): 32 A (VGS=10 V) RDS(on) típico: < 37 mΩ (VGS=10 V) / < 42 mΩ (VGS=4,5 V) VGS(th): 1,6 V a 2,7 V Corrente de dreno pulsada: 70 A Testado 100% UIS e 100% Rg Principais características elétricas
Capacitância de entrada (Ciss): 1300 pF a 2000 pF Carga total na porta (Qg): 26 nC a 44 nC (VGS=10 V) Tensão de avalanche (EAS): 39 mJ (L=0,1 mH) Faixa de temperatura de junção: −55 °C a +175 °C Aplicações típicas
Ideal para conversores boost, retificadores síncronos, fontes de alimentação para consumo, telecom, aplicações industriais e backlight LED.
Conteúdo do pacote
AOD482-AOI482_100V_N-Channel_MOSFET_12380-eletronicabr.com.pdf – 331,8 KB (datasheet completo, 6 páginas) Arquivo no formato PDF, pronto para consulta em bancada ou inclusão em projetos de reparo e desenvolvimento.
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Datasheet original do transistor MOSFET de potência 2SK2679 fabricado pela Toshiba. Componente de canal N, encapsulamento TO-220F, projetado para aplicações em fontes chaveadas, conversores DC-DC e drives de motores.
Características principais (segundo o datasheet)
Fabricante: Toshiba Semiconductor Tipo: MOSFET canal N, modo enhancement (π-MOS V) Tensão Dreno-Source (VDSS): 400 V Corrente de Dreno contínua (ID): 5,5 A Corrente de Dreno pulsada (IDP): 22 A Dissipação de potência (PD): 35 W (Tc = 25 °C) Resistência Dreno-Source ligada (RDS(on)): 0,84 Ω (típico) Tensão de limiar (Vth): 2,0 a 4,0 V Tensão Gate-Source máxima (VGSS): ±30 V Encapsulamento: TO-220F (padrão JEDEC SC-67, Toshiba 2-10R1B) Marcação: K2679 Aplicações típicas
Reguladores chaveados (chopper regulators) Conversores DC-DC Drives de motores Comutação de alta velocidade e alta tensão Conteúdo do pacote
Trans_Mos_canal_N_2SK2679_4744-eletronicabr.com.pdf — 326,9 KB Arquivo em formato PDF, contendo as páginas de especificações elétricas, curvas características, diagrama de dimensões mecânicas e informações térmicas do componente. Indicado para consulta em projetos, reparos e substituição de semicondutores.
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Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) completa da memória Flash SST29SF040, fabricada pela Silicon Storage Technology (SST) – atualmente Microchip Technology.
Sobre o componente
Memória Flash paralela organizada como 512K x8 bits (4 Mbit). Alimentação única de 5 V para leitura e programação. Apagamento por setor uniforme de 4 Kbytes e apagamento total do chip. Programação byte a byte com temporização interna automática. Compatível com pinagem e comandos JEDEC padrão. Disponível em encapsulamentos PLCC-32, TSOP-32 (8x14 mm) e PDIP-32. Tempo de acesso típico de leitura: 55/70 ns (conforme a versão). Endurance típico de 100.000 ciclos e retenção de dados superior a 100 anos. Conteúdo do pacote
SST29SF040_2602-eletronicabr.com.pdf (324,5 KB) – documento PDF com a descrição técnica completa, pinagem, diagramas de temporização, tabelas elétricas e instruções de programação/apagamento. Orientação de uso
Este datasheet é referência essencial para projetos que utilizam a SST29SF040 como memória de programa, configuração ou dados em sistemas embarcados, placas-mãe, BIOS de equipamentos antigos, controladores industriais e aplicações que exigem memória Flash paralela de baixo custo e alta confiabilidade. Ao substituir o componente, verifique a tensão de alimentação (5 V) e a compatibilidade de encapsulamento. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados técnica (datasheet) do transistor bipolar de porta isolada (IGBT) Toshiba GT30J122, um componente de 4ª geração projetado para aplicações em chaveamento de inversores ressonantes de corrente.
Especificações principais do GT30J122:
Tipo: IGBT N-Channel, modo enhancement Tensão Coletor-Emissor (VCES): 600 V Corrente de Coletor (IC): 30 A DC (100 A em pulso de 1 ms) Dissipação de Potência (PC): 75 W (Tc = 25°C) Tensão de Saturação (VCE(sat)): 2,1 V (típ.) @ IC = 50 A Tempo de queda (tf): 0,25 μs (típ.) @ IC = 50 A Capacitância de Entrada (Cies): 2500 pF (típ.) Encapsulamento: TO-3P(N) IS (2-16F1A), peso 5,8 g Aplicações típicas: Inversores ressonantes de corrente, fontes chaveadas, fornos de indução, iluminação eletrônica e conversores de potência que exigem comutação rápida e baixa perda de condução.
Conteúdo do pacote:
GT30J122_7785-eletronicabr.com.pdf (321,5 kB) - Datasheet completo com curvas características, dimensões mecânicas e classificação térmica. Cuidados e compatibilidade: O GT30J122 é um componente de potência de 4ª geração. Ao substituir IGBTs em equipamentos, verifique sempre a tensão, corrente, encapsulamento e a aplicação (inversor ressonante). Consulte o datasheet para garantir que as condições de operação (temperatura, corrente, tensão) estejam dentro dos limites absolutos máximos para evitar falhas prematuras.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.