Datasheets

Arquivo PDF contendo a folha de dados técnica completa do MOSFET de potência Vishay Si7336ADP, um transistor de canal N com tensão máxima de 30 V e corrente contínua de até 30 A. O componente é fabricado no encapsulamento PowerPAK SO-8, que oferece baixa resistência térmica e perfil reduzido (1,07 mm).
Características principais
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30 V Resistência em condução (RDS(on)): 0,0030 Ω típico (VGS = 10 V); 0,0040 Ω típico (VGS = 4,5 V) Corrente contínua (ID): 30 A (TA = 25 °C) Corrente de pulso (IDM): 70 A Carga total de porta (Qg): 36 nC típico (VGS = 4,5 V) Encapsulamento: PowerPAK SO-8 (compatível com footprint SO-8 padrão) Tecnologia: TrenchFET® Gen II – ultrabaixa resistência Testado 100% Rg e UIS Aplicações típicas
Conversão DC/DC lado baixo em notebooks, servidores e workstations Comutação de alta frequência Proteção de carga e gerenciamento de energia Conteúdo do pacote
SI7336_2551-eletronicabr.com.pdf (491,7 KB) – datasheet completo com curvas características, dimensões do encapsulamento, classificações máximas absolutas, características térmicas e recomendações de montagem para PowerPAK SO-8. Observação: O número "2551" no nome do arquivo provavelmente indica um código de revisão ou data de publicação do documento. Verifique a revisão antes de utilizar em projetos críticos.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) oficial do componente Microchip 24C02C, uma memória EEPROM serial de 2 Kbits (organizada como 256 x 8 bits) com interface I²C.
Principais características técnicas:
Capacidade: 2 Kbits (256 x 8) Interface: 2-wire serial (I²C compatível) Tensão de alimentação: 4,5 V a 5,5 V Corrente de leitura: 1 mA (máx.) Corrente standby: 5 µA (máx.) Escrita por byte ou página (até 16 bytes) Tempo de ciclo de escrita: 1 ms (típico) Endurance: 1 milhão de ciclos de apagar/gravar Retenção de dados: > 200 anos Proteção de escrita por hardware (pino WP) na metade superior do array (80h–FFh) Possibilidade de cascateamento de até 8 dispositivos no mesmo barramento Encapsulamentos: PDIP, SOIC, TSSOP, DFN, TDFN, MSOP Faixa de temperatura: industrial (-40°C a +85°C) e estendida/automotiva conforme variante Conteúdo do pacote:
24C02_2547-eletronicabr.com.pdf – 484,8 KB (datasheet completo em PDF) Finalidade: Documentação técnica indispensável para projetos, reparos e substituição de componentes que utilizam a EEPROM 24C02C ou compatíveis (ex.: ST24C02, M24C02, CAT24C02). O datasheet inclui diagrama de blocos, pinagem, tabelas elétricas, temporizações, instruções de escrita/leitura e informações de empacotamento.
Cuidados: Verifique a tensão de operação (4,5 V–5,5 V) e a versão do fabricante antes de substituir por outros modelos. Consulte o pino WP para proteção de escrita.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet completo do regulador de tensão positivo fixo de 5V da série 78L05A, fabricado pela Fairchild Semiconductor (MC78L05ABPG) e compatível com os modelos 78L05 da STMicroelectronics. O documento reúne as especificações elétricas, curvas características, diagrama de blocos interno, aplicações típicas e dimensões mecânicas do componente.
Características principais do 78L05A
Tensão de saída fixa: 5V (±5%) Corrente máxima de saída: 100mA Tensão de entrada: 7V a 20V (máx. 30V) Dropout voltage: 1,7V típico Proteção contra sobrecarga térmica e limitação de corrente de curto-circuito Encapsulamentos: TO-92 (through hole), SOT-89 e SOIC-8 Dissipação máxima: 625mW Temperatura de operação: −40°C a +125°C Conteúdo do pacote
78L05A_2608-eletronicabr.com.pdf (481,3 KB) – datasheet digitalizado em alta resolução, 19 páginas, incluindo tabelas de parâmetros elétricos, gráficos de regulação de linha/carga, ripple rejection, dropout voltage e aplicações de referência. Aplicações típicas
Regulação on-card para eliminação de ruído e problemas de distribuição Substituição de combinações zener-resistor com melhora na impedância de saída Fontes de alimentação de baixa potência para circuitos lógicos, sensores e microcontroladores Uso com elementos de potência externos para obter reguladores de alta corrente Observações de compatibilidade
O 78L05A é funcionalmente equivalente ao 78L05 (ST, National, etc.) e ao MC78L05ABPG (Fairchild). Não necessita de componentes externos para operação básica, mas recomenda-se o uso de capacitores de desacoplamento (0,33 µF na entrada e 0,1 µF na saída) para estabilidade. Verifique sempre a polaridade e a tensão máxima de entrada antes de aplicar o componente no projeto. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial da memória flash serial Macronix MX25L3205MC-20.
Este documento técnico (PDF com 477,5 KB) contém as especificações completas do componente MX25L3205MC-20, uma memória flash serial CMOS de 32 Mbits (4.194.304 x 8 bits) da família eLiteFlash da Macronix.
Características principais
Fabricante: Macronix International Part Number: MX25L3205MC-20 Densidade: 32 Mbit (32.554.432 x 1 bit) Interface: Serial Peripheral Interface (SPI) – Modos 0 e 3 Tensão de alimentação: 2,7 V a 3,6 V Velocidade do clock: 50 MHz (20 ns de acesso) Organização: 64 setores de 64 KB cada; página de 256 bytes Pacote: 16-pin SOP (300 mil) Faixa de temperatura: 0 °C a 70 °C (comercial) Recursos: Auto apagar e programar, registro de status, ID eletrônico JEDEC, modo de baixo consumo (standby 50 µA), proteção de escrita por hardware (WP#/ACC) e pino HOLD# Ciclos de apagar/programa: Mínimo 10.000 ciclos para array principal; 100.000 ciclos para setor adicional de 4 Kb Conteúdo do pacote
1 arquivo PDF – MX25L3205MC-20_2587-eletronicabr.com.pdf (477,5 KB) Este datasheet é referência essencial para técnicos que trabalham com reparo, substituição ou programação de memórias flash serial SPI em placas-mãe, roteadores, TVs, notebooks e outros dispositivos que utilizam o componente MX25L3205.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet original da família de EEPROMs seriais AT93C46/56/66 fabricadas pela Microchip (anteriormente Atmel). O documento cobre os modelos de 1 Kbit (AT93C46), 2 Kbits (AT93C56) e 4 Kbits (AT93C66), com especificações completas para projeto e reparo.
Características principais
Organização selecionável pelo pino ORG: 128×8 ou 64×16 (AT93C46), 256×8 ou 128×16 (AT93C56), 512×8 ou 256×16 (AT93C66) Interface serial de 3 fios: Chip Select (CS), Data Input (DI), Data Output (DO) e Shift Clock (SK) Velocidade de clock: até 2 MHz (5V) Ciclo de gravação autotemporizado: 10 ms máx. Alta confiabilidade: 1 milhão de ciclos de gravação, retenção de dados por 100 anos Tensão de operação: versões de 1,8V a 5,5V e 2,7V a 5,5V Opções de pacote: PDIP 8-leads, SOIC JEDEC/EIAJ 8-leads, TSSOP 8-leads, MAP 8-leads, dBGA2 8-ball Grau automotivo disponível em alguns códigos Conteúdo do pacote
93C46-ATMEL_2586-eletronicabr.com.pdf (464,2 KB) – datasheet completo com pinagem, instruções de leitura/gravação, timing, características elétricas e informações de pedido Aplicações típicas
Ideal para armazenamento de configuração em placas-mãe, monitores, fontes, nobreaks, TVs, equipamentos de áudio, automação industrial e automotiva. Substitui diretamente EEPROMs da série 93Cxx de outros fabricantes, respeitando a pinagem e o protocolo de 3 fios.
Cuidados de compatibilidade
Verifique a tensão de operação do circuito (1,8V ou 2,7V) antes de substituir. Confirme a organização desejada (x8 ou x16) – o pino ORG define o modo; se desconectado, assume x16 com pull-up interno. Para projetos novos, a Microchip recomenda o modelo AT93C46D como substituto direto do AT93C46. Sempre faça backup do conteúdo original antes de gravar uma nova EEPROM em equipamentos em reparo. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém o datasheet completo dos controladores de alimentação principal RT8205A, RT8205B e RT8205C, fabricados pela Richtek Technology. É um documento essencial para técnicos que trabalham com reparo de notebooks e fontes de alimentação, fornecendo todas as especificações elétricas, diagramas de aplicação e orientações de projeto.
Características Técnicas Principais
Tensão de entrada: 6 V a 25 V Saídas PWM duplas: 5 V e 3,3 V fixas ou ajustáveis de 2 V a 5,5 V (precisão de 1,5%) LDOs integrados: 3,3 V e 5 V com até 70 mA cada Referência de tensão: 2 V ±1% (50 µA) Frequência de comutação: selecionável entre 200 kHz e 500 kHz (padrão 300 kHz / 375 kHz) Eficiência: até 97% Consumo em repouso: 5 mW (típico) Proteções: OCP, OVP, UVP, SCP, Thermal Shutdown Modos de operação: PWM, Diode Emulation (DEM) e Ultrasonic Mode (acima de 25 kHz) Package: WQFN-24L 4×4 mm Diferenças entre as Variantes
RT8205A: versão padrão, sem funcionalidades extras de charge pump. RT8205B: inclui pino LG1_CP para acionar charge pump externo. RT8205C: inclui pino SECFB para monitorar tensão do charge pump externo. Aplicações Típicas
Notebooks e subnotebooks Dispositivos alimentados por baterias de 3 e 4 células Li+ Fontes de alimentação principal (main power supply) em sistemas portáteis Conteúdo do Pacote
RT8205A-B-C_7457-eletronicabr.com.pdf (462,7 KB) – datasheet original de 28 páginas, em inglês, com pinagem, características elétricas, curvas típicas, layout de referência e informações de aplicação. Cuidados e Compatibilidade
Este é um datasheet de componente, não um esquema ou boardview de notebook. Utilize como referência para diagnosticar falhas nas trilhas de alimentação 3,3 V e 5 V da placa-mãe. Verifique a variante exata (A, B ou C) soldada na placa antes de substituir o CI, pois os pinos LG1_CP e SECFB diferem entre os modelos. O datasheet recomenda os substitutos RT8230A/B/C/D/E para novos projetos (status NRND). Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo é a folha de dados (datasheet) do regulador linear de queda baixa APE8839, fabricado pela Advanced Power Electronics Corp.. O componente oferece duas saídas reguladas fixas de 500 mA cada, com tensões típicas de 3,3 V e 1,8 V, em um encapsulamento ESOP-8 (SOP-8 com exposed pad).
Principais características técnicas
Regulador dual LDO (Low Dropout) com saída independente por canal Corrente de saída: até 500 mA por canal (depende da dissipação térmica e tensão de entrada) Tensões de saída fixas: VOUT1 = 3,3 V e VOUT2 = 1,8 V Queda de tensão máxima: 1,5 V a plena carga Proteção térmica integrada (shutdown) e limitação de corrente por canal Resposta transitória rápida e boa rejeição de ruído Estabilidade com capacitor de saída MLCC de apenas 1 µF Tensão de entrada: até 12 V (máx. absoluta) Encapsulamento: ESOP-8 (8 pinos com exposição térmica inferior) Conteúdo do documento
Diagrama de blocos interno Configuração típica de aplicação com capacitores de entrada/saída Especificações elétricas detalhadas (regulação de linha e carga, dropout, limite de corrente) Curvas de desempenho típicas (tensão de saída, rejeição de ondulação, resposta transitória) Informações de empacotamento e dimensões mecânicas do ESOP-8 Numeração e descrição dos pinos Arquivo original: APE8839_19740-eletronicabr.com.pdf (462,3 KB)
Este datasheet é útil para projetos de fontes lineares duplas, alimentação de circuitos lógicos mistos (3,3 V e 1,8 V) e interfaces de barramento de alta velocidade.
Conteúdo do pacote
APE8839_19740-eletronicabr.com.pdf (462,3 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este pacote contém uma imagem em alta resolução da folha de dados (datasheet) do controlador PWM NCP6132B fabricado pela ON Semiconductor (onsemi). O componente é um controlador buck dual output de 3+2 fases com interface SVID, projetado para atender às especificações Intel VR12 e IMVP‑7 em CPUs de notebooks e desktops.
Características técnicas do componente:
Plataforma / Chipset: Intel VR12 / IMVP‑7 Família de processadores suportados: CPUs Intel compatíveis com VR12 (ex.: 2ª, 3ª e 4ª geração Core) Topologia: 3 fases para o rail principal (core) + 2 fases para o rail auxiliar Drivers integrados: 3 drivers MOSFET internos (configuráveis) Interface de controle: SVID serial Recursos: DCR sensing, AVP, feed‑forward, proteções OVP/UVP/OCP Códigos alternativos: NCP6132BMNR2G (embalagem QFN‑60), NCP6132A (versão com distribuição de drivers diferente) Modelos relacionados: NCP6132A, NCP81140, NCP81141, NCP81142 Conteúdo do pacote:
NCP6132B.png (485,7 KB) – imagem da folha de dados, provavelmente contendo pinagem, tabelas elétricas e diagrama de blocos. Finalidade do arquivo: Servir como referência técnica para técnicos e engenheiros que necessitam consultar as especificações, pinagem e características do controlador NCP6132B durante reparos ou projetos.
Cuidados de compatibilidade: Antes de utilizar o componente, confirme o código exato gravado no chip (NCP6132B ou NCP6132A) e a revisão do datasheet. A imagem pode corresponder a uma revisão específica (Rev. P1, Março/2012); verifique se atende à sua aplicação.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados completa (datasheet) do controlador de correção de fator de potência (PFC) FAN7530 da Fairchild Semiconductor (atualmente ON Semiconductor), juntamente com a nota de aplicação AN-6027 que apresenta um projeto prático de fonte com PFC boost.
Visão geral do componente
O FAN7530 é um controlador PFC ativo que opera em modo de condução crítica (CRM), utilizando modulação PWM por tensão. Ele não necessita da informação da tensão CA retificada, reduzindo perdas no circuito de sensoriamento. O dispositivo oferece diversas proteções integradas e uma distorção harmônica total (THD) reduzida graças ao método de tempo ligado variável.
Principais características
Modo de condução crítica (CRM) com baixa THD Proteção ajustável de sobretensão na saída (OVP) Proteção contra falta de realimentação (open-feedback) e função de desabilitação Detector de corrente zero (ZCD) com temporizador interno de 150 µs Proteção de sobrecorrente do MOSFET (OCP) Under-Voltage Lockout (UVLO) com histerese de 3,5 V Corrente de partida reduzida (40 µA) e corrente de operação de 1,5 mA Saída totem-pole com pico de corrente de +500 mA / -800 mA Disponível em encapsulamentos de 8 pinos: DIP e SOP Aplicações típicas
Adaptadores de energia Reatores eletrônicos Fontes chaveadas (SMPS) para TVs LCD, CRT e outras Conteúdo do pacote
FAN_7530_AN-6027_7781-eletronicabr.com.pdf (450,9 KB) – Contém o datasheet completo do FAN7530 (20 páginas, revisão 1.0.2, abril de 2007) e a nota de aplicação AN-6027, que inclui diagrama esquemático típico, lista de componentes, curvas de eficiência e THD, além de orientações de projeto. Material essencial para técnicos e projetistas que trabalham com fontes com correção ativa de fator de potência, especialmente em fontes de médio porte (25 a 100 W) que utilizam topologia boost.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet completo do transistor 2N7002EPT, um MOSFET de canal N de modo de enriquecimento, encapsulado em SC-70/SOT-323. Ideal para aplicações de chaveamento de baixa potência e drivers de portão lógico.
Características principais
Tensão Drain-Source (VDS): 60 V Corrente de Dreno contínua (ID): 250 mA (até 300 mA em algumas versões) Resistência Drain-Source em condução (RDS(on)): típica de 1,7 Ω a 3,0 Ω (VGS = 10 V) Tensão de limiar de gate (VGS(th)): 1,0 a 2,5 V Encapsulamento de superfície compacto: SC-70 / SOT-323 Tecnologia Trench MOSFET para chaveamento rápido Conteúdo do pacote
2N7002EPT_2601-eletronicabr.com.pdf (444,3 KB) — folha de dados completa com curvas características, dimensões mecânicas, valores máximos absolutos e características térmicas. Arquivo indicado para técnicos e projetistas que necessitam consultar especificações detalhadas do componente para reparo ou desenvolvimento de circuitos.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Documento técnico original (datasheet) do componente AP133-WG-7, um regulador de tensão linear dual de baixa queda (LDO) com corrente de saída de até 1A por canal. O arquivo em PDF contém as especificações completas do dispositivo, incluindo características elétricas, diagrama de blocos interno, configuração de pinos (package SOT-223-6), curvas típicas de desempenho, aplicações recomendadas e informações térmicas.
Conteúdo do pacote:
AP133-WG-7_10648-eletronicabr.com.pdf (442,8 kB) – datasheet completo. Características técnicas do componente (conforme datasheet):
Regulador linear dual de saída fixa ou ajustável (dependendo da versão). Tensão de entrada máxima: tipicamente 5,5V. Corrente de saída por canal: 1A. Queda de tensão (dropout) muito baixa: ~230mV a 1A. Precisão de saída: ±2%. Proteção contra sobrecorrente e sobretemperatura. Package: SOT-223-6 (WG). Este datasheet é útil para projetos que exigem fontes estáveis e com baixo ruído, como alimentação de circuitos digitais, RF, sensores e módulos embarcados. Ideal para consulta durante o desenvolvimento e reparo de equipamentos que utilizam o AP133-WG-7 ou equivalentes.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) oficial do componente SST39VF080, uma memória flash Multi-Purpose de 8 Mbit organizada como 1M x8, fabricada pela Silicon Storage Technology (SST) com tecnologia SuperFlash. O documento é essencial para técnicos e engenheiros que trabalham com reparo, projeto ou substituição de memórias flash em equipamentos eletrônicos.
Características principais do SST39VF080
Capacidade: 8 Mbit (1M x8) Tensão de operação: 2,7 V a 3,6 V (versão SST39VF080) ou 3,0 V a 3,6 V (versão SST39LF080) Tempo de acesso: 70 ns ou 90 ns (conforme variante) Apagamento por setor: setores uniformes de 4 KByte Apagamento por bloco: blocos uniformes de 64 KByte Apagamento total do chip (Chip-Erase) Programação por byte: tempo típico de 14 µs Endurance: 100.000 ciclos (típico) Retenção de dados: superior a 100 anos Consumo: corrente ativa típica de 12 mA; standby de 4 µA Interface: paralela x8, compatível com pinagem JEDEC Pacotes disponíveis: 40-lead TSOP (10mm x 20mm) e 48-ball TFBGA (6mm x 8mm) Proteção contra gravação: hardware e software (SDP) Conteúdo do pacote
SST39VF080_2595-eletronicabr.com.pdf — 437,6 KB, folha de dados completa com pinagem, diagramas de temporização, tabelas de comandos e especificações elétricas. Este datasheet é útil para consulta de parâmetros elétricos, identificação de pinos, comandos de programação/borracha e compatibilidade em projetos ou reparos que utilizem essa memória flash. Recomenda-se verificar a variante exata (tensão e velocidade) antes da substituição.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém o datasheet completo (folha de dados) dos circuitos integrados controladores de carga para baterias multichemistry MAX1908, MAX8724, MAX8765 e MAX8765A, fabricados pela Maxim Integrated (atualmente parte da Analog Devices).
Principais Características
±0,5% de precisão na tensão de saída com referência interna ±4% de precisão no limite de corrente de entrada ±5% de precisão na corrente de carga Entradas analógicas de controle para corrente e tensão de carga Eficiência superior a 95% com retificação síncrona (topologia buck) Tensão máxima de entrada: 28 V Tensão de bateria ajustável até 17,6 V Corrente de carga superior a 5 A (com resistor de sense externo) Limitação de corrente de entrada para proteção do adaptador AC Modo de condicionamento para baterias profundamente descarregadas (300 mA, apenas MAX1908) Compatível com Li+, NiCd, NiMH, chumbo-ácido e outras químicas Suporte a 2, 3 ou 4 células Li+ em série (programável via pino CELLS) Pacote: 28-pin Thin QFN (5 mm × 5 mm) com exposed pad Faixa de temperatura: –40 °C a +85 °C Aplicações Típicas
Notebooks e subnotebooks Conteúdo do Pacote
MAX1908_MAX8724_MAX8765_7944-eletronicabr.com.pdf (436,3 KB) Informações Técnicas Adicionais
O datasheet inclui diagramas de blocos funcionais, descrição completa dos pinos, circuitos de aplicação típica, tabelas de seleção de componentes, equações de projeto, curvas características e especificações elétricas detalhadas. É uma referência essencial para projetos de carregadores de bateria em equipamentos portáteis.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Folha de dados (datasheet) oficial do MOSFET de potência MTNN20N03Q8, fabricado pela CYStech Electronics Corp. Este componente é um MOSFET N-Channel dual (dois canais N no mesmo encapsulamento), projetado para comutação rápida, baixa resistência de condução e alta eficiência em fontes chaveadas, reguladores DC-DC e circuitos de gerenciamento de energia.
Principais características técnicas (por canal):
Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 30 V Corrente de Dreno contínua (ID): 20 A (pacote) / 8 A (por canal, conforme datasheet) — consulte a folha para condições térmicas Resistência em condução (RDS(on) máx.): 20 mΩ @ VGS = 10 V Tensão de Limiar (VGS(th)): 1 V a 3 V Dissipação máxima (PD): 2,5 W (por canal, em PCB FR4) Encapsulamento: SOP-8 (6,40 × 5,40 × 1,5 mm) Tipo: N-Channel Enhancement Mode Conteúdo do pacote:
mosfet_mtnn20n03q8_16090-eletronicabr.com.pdf — 417,9 kB, 9 páginas, inclui curvas características, dimensões do package, classificação absoluta máxima, características elétricas estáticas e dinâmicas, gráficos de operação e informações de pedido. Indicado para técnicos e projetistas que necessitam do datasheet completo para substituição, análise de circuito ou dimensionamento de componentes em fontes e conversores de baixa tensão.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Folha de dados técnica original da Texas Instruments para a família TPS203x de power distribution switches (chaves de distribuição de energia). O documento corresponde à revisão C (SLVS190C, 2007) e abrange os modelos:
TPS2030 – Limite de corrente de curto 0,3 A TPS2031 – Limite de corrente de curto 0,9 A TPS2032 – Limite de corrente de curto 1,5 A TPS2033 – Limite de corrente de curto 2,2 A TPS2034 – Limite de corrente de curto 3,0 A Características principais:
MOSFET de canal N em configuração high‑side com resistência típica de 33 mΩ (a 5 V) Tensão de operação: 2,7 V a 5,5 V Proteção contra curto‑circuito e sobrecarga térmica (desligamento automático a ~140°C) Saída lógica de sobrecorrente (OC), ativa em baixo Entrada de habilitação (EN) compatível com lógica TTL/CMOS, ativa em alto Modo standby com consumo máximo de 10 μA Proteção contra subtensão (undervoltage lockout) – desliga abaixo de ~2 V Não possui diodo de dreno‑fonte reverso Embalagens disponíveis: SOIC‑8 (D) e PDIP‑8 (P).
Conteúdo do PDF: diagrama de pinagem, tabela de opções, especificações máximas absolutas, características elétricas, curvas típicas de operação, descrição detalhada do funcionamento (charge pump, driver, current sense, thermal sense, undervoltage lockout), notas de aplicação e informações de embalagem.
Arquivo com 413,9 kB. Ideal para consulta em projetos de proteção de carga, fontes e circuitos comutados.
Conteúdo do pacote
Mosfet_TPS_203x_4354-eletronicabr.com.pdf (413,9 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial do transistor MOSFET de potência Infineon CoolMOS™ série SPx07N60C3.
Este documento técnico (revisão 2.3/3.3, 2018) cobre as variantes SPP07N60C3 (TO-220), SPA07N60C3 (TO-220 FullPAK) e SPI07N60C3 (TO-262/I²PAK). Também é compatível com a versão SPB07N60C3 (D²PAK/TO-263), cujo datasheet é idêntico em parâmetros elétricos.
Características principais
Tecnologia CoolMOS™ de alta tensão (VDS @ Tjmax = 650 V) Corrente de dreno contínua: 7,3 A (TC = 25 °C) / 4,6 A (TC = 100 °C) Resistência RDS(on) típica: 0,54 Ω @ 10 V, máxima 0,6 Ω Carga de porta ultrabaixa (Qg típico 21 nC) Capacitância de entrada típica: 790 pF Avalanche e dv/dt classificados Encapsulamentos: PG-TO-220 (SPP), PG-TO-220 FullPAK (SPA), PG-TO-262 (SPI) Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C Sobre o arquivo
O PDF de 409 kB contém a folha de dados completa do fabricante, incluindo valores máximos absolutos, características elétricas, características térmicas, curvas características, diagramas de package e informações de pedido. Ideal para reparo e projeto de fontes chaveadas, inversores e conversores de potência.
Os transistores SPx07N60C3 são amplamente utilizados em fontes de alimentação ATX, nobreaks, carregadores e equipamentos industriais que exigem alta eficiência e baixa perda de comutação.
Conteúdo do pacote
07N60C3_2573-eletronicabr.com.pdf (409,1 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Documento técnico com as especificações completas do painel LCD CPT (Chunghwa Picture Tubes) CLAA140WB11A, utilizado em notebooks e monitores de 14 polegadas.
Características principais do painel:
Tamanho: 14,0" (polegadas) na diagonal Resolução: WXGA HD (1366×768 pixels) Tecnologia: a-Si TFT-LCD, modo TN (Normalmente Branco) Retroiluminação: LED integrada (WLED), driver incluso Interface de sinal: LVDS (1 canal, 6 bits) – conector de 40 pinos Cores: 262 mil (6 bits) Contraste: 600:1 (típico) Tempo de resposta: 8 ms (Tr+Td, típico) Ângulos de visão: 45/45/15/30 (esquerda/direita/cima/baixo, mínimo CR≥10) Área ativa: 309,399 × 173,952 mm Dimensões externas: 323,5 × 192 × 5,2 mm (formato cunha) Superfície: brilhante (Glare, 0% Haze) Tensão de alimentação: 3,3 V (típica) Frequência de operação: 60 Hz Finalidade do arquivo: Folha de dados (datasheet) original para consulta técnica, identificação de compatibilidade e substituição do painel em reparos de notebooks e monitores. Contém diagramas dimensionais, pinagem do conector, características elétricas e ópticas, além de condições de operação.
Observação: Sempre verifique a revisão exata do painel e o conector antes de substituir. Modelos compatíveis incluem N140B6-L02 (diversas revisões) e 140WB11S, entre outros.
Conteúdo do pacote
CLAA140WB11A_14371-eletronicabr.com.pdf (396,3 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial do componente EN29LV800B, memória flash não volátil de 8 Megabits (8 Mb) fabricada pela Elite Semiconductor Microelectronics Technology (Eon Silicon Solution). O documento contém especificações elétricas, diagrama de blocos, tabelas de temporização, instruções de programação/erase e informações de empacotamento.
Características principais
Organização: 1.048.576 bytes (modo byte) ou 524.288 words (modo word) Tensão de operação: 2,7 V a 3,6 V (faixa completa) / 3,0 V a 3,6 V (regulada) Tempo de acesso: 55 ns (versão -55R), 70 ns (-70) ou 90 ns (-90) Arquitetura de setores flexível: 1 setor de 16 Kbytes, 2 setores de 8 Kbytes, 1 setor de 32 Kbytes e 15 setores de 64 Kbytes (modo byte) Programação: 8 µs típico por byte/word Apagamento de setor: 500 ms típico Endurance: mínimo de 100.000 ciclos de programação/apagamento por setor Interface paralela: sinais CE#, OE#, WE#, RESET#, RY/BY# Proteção de setores por hardware e desproteção temporária (Temporary Sector Unprotect) Modos de suspensão de apagamento (Erase Suspend/Resume) Opções de pacote: TSSOP-48 (48 pinos) e FBGA-48 (6 mm x 8 mm) Faixa de temperatura: Comercial (0 °C a +70 °C) ou Industrial (-40 °C a +85 °C) Códigos de referência
Part Number base: EN29LV800B Boot sector: Top (T) ou Bottom (B) Exemplo de código completo: EN29LV800BB-70TCP (Bottom boot, 70 ns, TSSOP, Comercial, Pb-free) Conteúdo do pacote
EN29LV800B_2557-eletronicabr.com.pdf (393,6 KB) – datasheet completo em PDF Este arquivo é indicado para consulta técnica durante reparos, projetos ou substituição de componentes de memória flash em equipamentos que utilizam o EN29LV800B. Recomenda-se verificar a revisão exata do componente na placa antes de utilizar os parâmetros do datasheet.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo é a folha de dados técnica (datasheet) do circuito integrado WT7520, fabricado pela Weltrend Semiconductor. O WT7520 é um controlador PWM com circuitos completos de proteção, projetado especificamente para fontes chaveadas (SMPS) utilizadas em computadores pessoais.
Função e Aplicação
O WT7520 integra funções essenciais de supervisão e controle em uma única peça DIP de 16 pinos, reduzindo a quantidade de componentes externos. Ele é amplamente empregado em fontes de alimentação ATX para monitorar as tensões de saída e garantir a operação segura do sistema.
Características Principais
Proteção contra Sobretensão (OVP) nos trilhos de 3,3 V, 5 V, 12 V e entrada PT Proteção contra Subtensão (UVP) nos mesmos trilhos Sinal Power Good (PG) com temporização de 280 ms Saídas PWM com dreno aberto para acionamento de transistores externos Função Remote On/Off (REM) com debounce Soft-start ajustável por capacitor externo no pino SS Frequência de oscilação ajustada por resistor externo (RT, tipicamente 120 kΩ para ~60 kHz) Entrada extra de proteção (PT) para OVP/OPP ou desabilitação de UVP Encapsulamento: DIP-16 Conteúdo do Pacote
WT7520_-_PC_POWER_SUPPLY_PWM_SUPERVISOR_17345-eletronicabr.com.pdf (387,5 KB) – Datasheet completo em formato PDF. Compatibilidade e Observações
Este datasheet é a referência oficial do componente e deve ser consultado durante o projeto, reparo ou análise de fontes ATX que utilizem o WT7520. Não se trata de esquema elétrico de uma fonte específica, mas sim da documentação do CI supervisor. Para diagnósticos, confira sempre a revisão exata do componente e o circuito da fonte em questão.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este é o datasheet oficial do controlador PWM síncrono RT9214 fabricado pela Richtek Technology. O componente é um regulador buck (step-down) síncrono de alta eficiência, projetado para gerar tensões lógicas em sistemas baseados em PC e em fontes de alta densidade de potência.
Características principais
Opera com alimentação de 5V ou 12V Drive para MOSFETs de canal N de baixo custo Controle PWM em modo tensão com frequência fixa de 300 kHz Rampa de soft-start interna (~3,5 ms) Proteção contra sobrecorrente (OCP) monitorando o RDS(on) do MOSFET inferior — sem resistor shunt Modo hiccup em caso de falha (4 ciclos para latch-off na OCP; sempre hiccup na subtensão) Driver de gate adaptativo sem sobreposição (anti-shoot-through) Duty cycle de 0 a 100% Pacotes disponíveis: SOP-8 e SOP-8 com exposed pad Aplicações típicas
Placas de vídeo (GPUs) Placas-mãe e servidores desktop Equipamentos IA / telecomunicações Reguladores DC/DC de alta potência Conteúdo do pacote
Arquivo PDF único (383 KB) — RT9214_-_5V-12V_Synchronous_Buck_PWM_DC-DC_Controller_3450-eletronicabr.com.pdf contendo o datasheet completo com descrição funcional, pinagem, características elétricas, curvas típicas, diagrama de aplicação e informações de embalagem. Arquivo útil para técnicos e projetistas que precisam consultar especificações, limites absolutos, circuito de aplicação recomendado ou parâmetros de proteção do controlador RT9214.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados técnica (datasheet) do MOSFET FDS6294, um transistor de efeito de campo de canal N, fabricado originalmente pela Fairchild Semiconductor (atualmente onsemi), pertencente à família PowerTrench®.
Características principais do componente
Tipo: MOSFET de canal N, montagem superficial (SMD) Encapsulamento: SOIC-8 (8 pinos) Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 30 V Corrente de Dreno Contínua (ID): 13 A (em condições de placa de 1 pol² de cobre) Resistência em condução (RDS(on)): 11,3 mΩ típica (VGS = 10 V) Resistência em condução (RDS(on)): 14,4 mΩ típica (VGS = 4,5 V) Carga de porta (Qg): 10 nC típica (baixa, para comutação rápida) Potência máxima dissipada: 3 W (em placa de 1 pol² de cobre) Temperatura de operação: –55 °C a +175 °C Aplicações típicas
Conversores DC/DC (síncronos e convencionais) Gerenciamento de energia (Power Management) Chave de carga (Load Switch) Conteúdo do pacote
Mosfete_FDS6294_4748-eletronicabr.com.pdf (378,8 KB) – Datasheet completo de 6 páginas, contendo: características elétricas, curvas características, gráficos de operação segura, informações térmicas, dimensões do encapsulamento e recomendações de aplicação. Observações importantes
Este é um componente obsoleto (Discontinued) pela onsemi, mas ainda amplamente disponível no mercado de reposição e estoques. O datasheet é útil para técnicos que precisam consultar parâmetros de substituição, projeto de fontes chaveadas, reparo de placas de notebook, fontes de alimentação e circuitos de potência em geral. Verifique sempre a numeração completa do componente na placa (FDS6294) e o encapsulamento (SOIC-8) antes de substituir. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet completo do regulador de tensão ajustável positivo LM317, um dos circuitos integrados mais utilizados em fontes lineares e projetos de eletrônica analógica.
Características principais do LM317:
Tensão de saída ajustável de 1,25V a 37V Corrente de saída de até 1,5A Regulação de linha típica: 0,01%/V Regulação de carga típica: 0,1% Proteção contra curto-circuito, sobrecarga térmica e área de operação segura (SOA) Funcionamento flutuante para tensões elevadas (até 40V de diferença entrada-saída) Apenas dois resistores externos para ajuste da tensão de saída Disponível nos encapsulamentos: TO-220, TO-263, SOT-223, TO-252, TO-92 (conforme variante) Aplicações comuns:
Fontes de bancada ajustáveis Reguladores de tensão para circuitos analógicos e digitais Carregadores de bateria com corrente constante (modo regulador de corrente) Projetos de áudio e instrumentação Conteúdo do pacote:
LM317_-_Regulador_de_Tensão_6153-eletronicabr.com.pdf (374,5 KB) — datasheet com diagrama de blocos, tabela de especificações elétricas, curvas características, aplicações típicas e informações de pinagem. Documentação útil para técnicos, hobistas e engenheiros que trabalham com fontes lineares e projetos de potência.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Conteúdo do pacote
MOSFET_50N025-09BP_5546-eletronicabr.com.pdf (373,2 KB) Descrição técnica
Datasheet oficial do MOSFET de potência de canal N fabricado pela Vishay Siliconix, modelo 50N025-09BP (também referenciado como SUD50N025-09BP). O componente está alojado no encapsulamento TO-252 (DPAK) de três terminais (Gate, Drain, Source).
Características principais (conforme dados do fabricante):
Tensão Drain-Source (VDS): 25 V Corrente contínua de dreno (ID): 50 A (em TC = 25 °C) Resistência Drain-Source (RDS(on)): 0,009 Ω (9 mΩ) típica @ VGS = 10 V; 0,017 Ω @ VGS = 4,5 V (valores para o modelo similar SUD50N02-09P, com a mesma faixa de RDS(on)) Limiar de gate (VGS(th)): 1,4 a 2,4 V Potência máxima dissipada: 65 W (TC = 25 °C) Tecnologia: TrenchFET® Power MOSFET, 100 % testado em Rg, compatível com RoHS Encapsulamento: TO-252 (DPAK), Dreno conectado à aba metálica Aplicações típicas:
Conversão DC/DC – lado baixo (low-side) em fontes chaveadas para desktop e notebook Reguladores buck síncronos (alta eficiência PWM) Informações adicionais:
O datasheet inclui curvas características, classificação absoluta máxima, resistência térmica, gráficos de saída, capacitâncias e tempos de comutação. Números de pedido: SUD50N025-09BP (lead-free, sem chumbo). Observações importantes para uso técnico:
Confirme a revisão exata e a data do datasheet antes de projetar ou substituir o componente. Em aplicações de alta frequência, considere as capacitâncias parasitas (Ciss, Coss, Crss) indicadas para dimensionamento de driver de gate. O componente é sensível à soldagem; respeite os perfis térmicos recomendados para TO-252. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet técnico do circuito integrado Microchip 93C46, uma EEPROM serial de 1 Kbit com interface Microwire de 3 fios. O documento cobre as versões 93C46A (organização 128×8 bits) e 93C46B (64×16 bits), além da variante 93C46C com seleção de tamanho de palavra via pino ORG.
Características principais
Tensão de alimentação: 4,5 V a 5,5 V (versão 93C46) Organização: 128 × 8 bits (Modelo A) ou 64 × 16 bits (Modelo B); Modelo C permite selecionar 8 ou 16 bits via pino ORG Interface serial: Microwire (CS, CLK, DI, DO) Autoapagamento antes da escrita e ciclos de apagar/escrever autotemporizados Proteção de dados durante power-up/power-down Sinal de status Ready/Busy (DO) Função de leitura sequencial Resistência a 1.000.000 ciclos de apagar/escrever Retenção de dados superior a 200 anos Disponível em encapsulamentos PDIP, SOIC, MSOP, TSSOP, SOT‑23 e DFN (2×3 mm, 8 pinos) Conteúdo do pacote
Arquivo: 93C46_2544-eletronicabr.com.pdf (361,9 KB)
Datasheet completo em inglês com diagrama de pinos, tabela de seleção de dispositivos, instruções de operação (READ, WRITE, ERASE, EWEN, EWDS, WRAL, ERAL), características elétricas, temporização e informações de embalagem. Compatibilidade e observações
O datasheet é referência para as famílias 93AA46, 93LC46 e 93C46, diferenciadas pela faixa de tensão. A numeração “2544” no nome do arquivo pode indicar um código interno de lote ou revisão — não foi confirmado se é uma revisão específica do documento. Sempre confirme a tensão de operação do seu projeto antes de selecionar a variante.
Página do fabricante: Microchip Technology – microchip.com
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

A ficha técnica (datasheet) do transistor AO4406A, um MOSFET de canal N fabricado pela Alpha & Omega Semiconductors (AOS). Este componente é amplamente utilizado em aplicações de chaveamento do lado alto (high-side switch) em fontes chaveadas (SMPS), regulação de tensão e circuitos de potência em geral.
Características principais
Tipo: MOSFET de canal N (N-Channel Enhancement Mode) Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30 V Corrente de Dreno contínua (ID): 13 A (VGS = 10 V) Resistência Dreno-Fonte (RDS(on)): < 11,5 mΩ (VGS = 10 V) / < 15,5 mΩ (VGS = 4,5 V) Encapsulamento: SO-8 (SOP-8) Dissipação de potência máxima (PD): 3,1 W Faixa de temperatura de junção: -55 °C a +150 °C O que este documento contém
Diagrama de pinagem e símbolo do componente Valores máximos absolutos (Absolute Maximum Ratings) Características elétricas em temperatura ambiente Curvas características típicas Informações de embalagem e dimensões mecânicas (SO-8) Aplicações comuns
Chaveamento do lado alto em fontes chaveadas Reguladores de tensão Buck/Boost Proteção de carga Conversores DC-DC O arquivo é um PDF de 361 KB, ideal para consulta durante projetos e reparos. Verifique a numeração exata do componente e o encapsulamento antes de substituir em uma placa.
Conteúdo do pacote
ao4406a_8197-eletronicabr.com.pdf (361,4 KB) Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.