Pessoal estou com uma dúvida para encontrar mosfets equivalentes.Gostaria de saber quais os ítens que tem que ser iguais ou superiores aos mosfets para troca.Sei que ter que ser canal N ou P,duplo ou simples e as Vdd= ou superior,e Id= ou superior.Minha dúvida é se outros ítens são importantes como Vgs,Vds...etc

 

 

 

 

Motivo da edição: Alterar prefixo

 

Também são importantes, porém dá pra trabalhar com valores aproximados.

 

Por exemplo eu tenho nobreak's com fat´s comuns como o 3607 e com modelos bem diferentes, porém, quando se aproximam dos valores do IRF2807, coloco ele mesmo e nunca deu nenhum problema...

 

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Vi o Ninja comentando em um tópico sobre "shotlk".O que seria isso?

Cara, não sei desse  "shotlk", se escreve assim mesmo??

 

Eu conheço Single Shot, que dá um pulso tipo avalanche, e ele se mantém conduzindo enquanto tem tensão em cima, não precisa de sinal no gate sempre pra ficar polarizado.

 

AAAAaaaaaa  shottky, de Diodo shottky,

 

O Mosfat tem um diodo a mais, aí não dá....

 

 

 

Diodo Schottky é um tipo de diodo que utiliza o efeito Schottky na semicondução. Seu nome é uma homenagem ao físico alemão Walter Schottky.

 

Esse Diodo serve para diminuir a carga "armadilha" no diodo. Um diodo comum ao passar da região direta de condução para a reversa, produz em um curto tempo uma corrente reversa alta, resultante de cargas armadilhas, tendo um efeito importante no uso de diodos através de frequência alta, com a fabricação de um diodo utilizando-se ao invés do material P um metal, não haverá lacunas que possam armadilhar elétrons vindos dos outros materiais durante a corrente direta, de forma que na passagem para corrente reversa haverá este aumento de corrente. Este componente é tambem muito utilizado em circuitos retificadores e chaveadores rápidos,onde tem sua maior aplicação.

 

 

Não achei nada bem claro, mas esse é exemplo de um  que nao tem e de um que tem.

 

 

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Valeu pela ajuda.Joinha pra vc

amigo de uma olhada neste post é o unico meio correto de se medir um Mosfet

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amigo de uma olhada neste post é o unico meio correto de se medir um Mosfet

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Tinha visto seu vídeo já e achei muito bom tutorial.Mas no caso seria para testar se o mosfet está chaveando ou não.Eu queria mesmo,os parametros para troca de mosfets compatíveis como por exemplo substituir um Ao4404 por um FDS9412.O que devo analisar nos datasheets dos dois para a substituição correta?

amigo os principais dados a serem levados em conta são esses:

 

procure respeitar as resistências internas Rds, a corrente I quanto maior melhor na maioria dos casos.

Obrigado pela ajuda Roberto. Joinha pra vc tb

tamo junto amigo.

Só uma dúvida,O VGS (Gate-Source Voltage),precisa ser igual ou superior,ou pode ser abaixo?Essa dúvida surgiu pois numa tabela que tenho dois mosfets equivalentes,os VGS são +/- 20v em um e +/-12v em outro.

Outro parâmetro muito importante é o Gate Threshold Voltage, ou VGS(th).

 

A operação de um MOSFET pode ser dividida em três diferentes modos, dependendo das tensões aplicadas sobre seus terminais. Para o NMOSFET os modos são:

 

*Região de Corte: quando Vgs < Vth

onde Vgs é a tensão entre a comporta (gate) e a fonte (source) e Vth é a Tensão de threshold (limiar) de condução do Mosfet, são os limites de tensão do Gate, não impedindo que o tensão possa ser maior que este limite.

 

O transístor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada.

 

*Região de Triodo (ou região linear): quando Vgs > Vth e Vds < Vgs - Vth onde Vds é a tensão entre dreno e fonte.

O transístor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tensão na comporta.

Muita gente pensa que o Mosfet só pode ser usado como uma Chave, mas ele pode ser usado como um "resistor" dependendo da tensão no Gate, logo se o mesmo for mal dimensionado em um circuito pode dissipar muito calor se a tesnão do Gate for inadequada, quando se pretendia usa-lo para chaveamento por exemplo

 

 

*Região de Saturação: quando Vgs > Vth e Vds > Vgs - Vth

O transístor fica ligado, e um canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.  Nesse modo é utilizado para "chaveamento"

 

O VGS (th) dos Mosfets de nobreaks geralmente são iguais...

O que mais se observa de imediato é o Id, VDs, e Total Power Dissipation...

Em aplicações que demandam altas correntes e que possivelmente o mosfet venha a aquecer, se souber interpretar os graficos do datasheet em relação ao comportamento de corrente e temperatura... é interessante.

amigo aki no forum tem uma tabelinha com bastante compatibilidades:

 

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Outro parâmetro muito importante é o Gate Threshold Voltage, ou VGS(th).

 

A operação de um MOSFET pode ser dividida em três diferentes modos, dependendo das tensões aplicadas sobre seus terminais. Para o NMOSFET os modos são:

 

*Região de Corte: quando Vgs < Vth

onde Vgs é a tensão entre a comporta (gate) e a fonte (source) e Vth é a Tensão de threshold (limiar) de condução do Mosfet, são os limites de tensão do Gate, não impedindo que o tensão possa ser maior que este limite.

 

O transístor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada.

 

*Região de Triodo (ou região linear): quando Vgs > Vth e Vds < Vgs - Vth onde Vds é a tensão entre dreno e fonte.

O transístor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tensão na comporta.

Muita gente pensa que o Mosfet só pode ser usado como uma Chave, mas ele pode ser usado como um "resistor" dependendo da tensão no Gate, logo se o mesmo for mal dimensionado em um circuito pode dissipar muito calor se a tesnão do Gate for inadequada, quando se pretendia usa-lo para chaveamento por exemplo

 

 

*Região de Saturação: quando Vgs > Vth e Vds > Vgs - Vth

O transístor fica ligado, e um canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.  Nesse modo é utilizado para "chaveamento"

 

O VGS (th) dos Mosfets de nobreaks geralmente são iguais...

O que mais se observa de imediato é o Id, VDs, e Total Power Dissipation...

Em aplicações que demandam altas correntes e que possivelmente o mosfet venha a aquecer, se souber interpretar os graficos do datasheet em relação ao comportamento de corrente e temperatura... é interessante.

Excelente explicação amigo,muito obrigado por compartilhar

amigo aki no forum tem uma tabelinha com bastante compatibilidades:

 

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Eu tenho essa tabela Will,só que tem alguns mosfets que não tem nela e tb seria mais para um aprendizado maior.Obrigado pela ajuda

Outro parâmetro muito importante é o Gate Threshold Voltage, ou VGS(th).

 

A operação de um MOSFET pode ser dividida em três diferentes modos, dependendo das tensões aplicadas sobre seus terminais. Para o NMOSFET os modos são:

 

*Região de Corte: quando Vgs < Vth

onde Vgs é a tensão entre a comporta (gate) e a fonte (source) e Vth é a Tensão de threshold (limiar) de condução do Mosfet, são os limites de tensão do Gate, não impedindo que o tensão possa ser maior que este limite.

 

O transístor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada.

 

*Região de Triodo (ou região linear): quando Vgs > Vth e Vds < Vgs - Vth onde Vds é a tensão entre dreno e fonte.

O transístor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tensão na comporta.

Muita gente pensa que o Mosfet só pode ser usado como uma Chave, mas ele pode ser usado como um "resistor" dependendo da tensão no Gate, logo se o mesmo for mal dimensionado em um circuito pode dissipar muito calor se a tesnão do Gate for inadequada, quando se pretendia usa-lo para chaveamento por exemplo

 

 

*Região de Saturação: quando Vgs > Vth e Vds > Vgs - Vth

O transístor fica ligado, e um canal que é criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.  Nesse modo é utilizado para "chaveamento"

 

O VGS (th) dos Mosfets de nobreaks geralmente são iguais...

O que mais se observa de imediato é o Id, VDs, e Total Power Dissipation...

Em aplicações que demandam altas correntes e que possivelmente o mosfet venha a aquecer, se souber interpretar os graficos do datasheet em relação ao comportamento de corrente e temperatura... é interessante.

 

eu fiz uma postagem uma vez e mostrei um vídeo coma  tensão sendo diminuída pelo mosfet mas a galera me chamou de burro!!!!

 

nesse vídeo depois dos minutos 7:25

 

@crazyfrog, Nesse caso do vídeo em especifico no ponto em que indicou o transistor 4435 está sendo polarizado diretamente. Então analisando o comportamento do diodo em regime de condução verifica-se que a corrente de condução é o fator diretamente influenciado pelo circuito de alimentação do diodo. A queda de tensão nos terminais do diodo em regime de condução é praticamente independente do circuito, mantendo-se em um valor próximo ao do potencial de barreira do dispositivo de acordo com seu material ou seja, 0,7V para o silício e 0,3V para o germânio.  Note que no vídeo o valor fica próximo aos 0,7V de queda, confesso que particularmente nunca vi um transistor com diodo de germânio, valeu espero ter ajudado.