Nome do arquivo: Mosfet 10n60 nanal N
arquivo enviado: February 21, 2016, 5:00:25 PM
Designador do tipo: 10N60
Tipo de 10N60 transistor MOSFET
Tipo de canal de controle: N -Canais
Máxima dissipação de energia (Pd), W: 156
Tensão máxima dreno-fonte | Uds |, V: 600
Tensão máxima porta-fonte | Ugs |, V: 30
Máxima corrente de dreno | Id |, A: 10
temperatura de junção máxima (Tj), ° C: 150
Tempo de ascensão de 10N60 transistor (tr), NS: 69
Fonte de dreno da capacitância (Cd), o PF: 166
Máxima dreno-fonte de resistência no estado (RDS), Ohm: 0,72
Pacote: TO-220_TO-220F_TO-220F1_TO-220F2_TO-262_TO-263
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