Datasheet - Mosfet 10n60 nanal N

[Jurandir Informatica]

Nome do arquivo: Mosfet 10n60 nanal N

arquivo enviado: February 21, 2016, 5:00:25 PM

 

Designador do tipo: 10N60

 

Tipo de 10N60 transistor MOSFET

 

Tipo de canal de controle: N -Canais

 

Máxima dissipação de energia (Pd), W: 156

 

Tensão máxima dreno-fonte | Uds |, V: 600

 

Tensão máxima porta-fonte | Ugs |, V: 30

 

Máxima corrente de dreno | Id |, A: 10

 

temperatura de junção máxima (Tj), ° C: 150

 

Tempo de ascensão de 10N60 transistor (tr), NS: 69

 

Fonte de dreno da capacitância (Cd), o PF: 166

 

Máxima dreno-fonte de resistência no estado (RDS), Ohm: 0,72

 

Pacote: TO-220_TO-220F_TO-220F1_TO-220F2_TO-262_TO-263

 

Você não tem permissão para ver links. Faça login ou cadastre-se.