Datasheets

Datasheet elétrico oficial de referência para o processador Intel Xeon E5-2620 v3 (15 MB de cache, 2,40 GHz, 6 núcleos / 12 threads, TDP de 85 W, litografia de 22 nm, arquitetura Haswell-EP).
Este documento faz parte do conjunto completo de dois volumes. O Volume 1 cobre as especificações elétricas DC, integridade de sinal, definições de sinais e lista de contatos (land listing) do processador. É um material essencial para técnicos que trabalham com reparo de placas-mãe para servidores e workstations baseadas nos chipsets Intel C610/C612, compatíveis com a família Xeon E5-1600, E5-2600 e E5-4600 v3.
Características do processador cobertas
Plataforma: Intel Xeon E5-2600 v3 (Haswell-EP) Soquete: LGA 2011-3 Suporte de memória: DDR4 1600/1866 MHz, até 768 GB, 4 canais de memória PCI Express: 40 lanes, revisão 3.0 Interconexão: 2 links Intel QPI de até 9,6 GT/s Outros: IMC (controlador de memória integrado) e IIO (I/O integrado) em único die Conteúdo do pacote
Intel® Xeon® Processor E5-2620 v3 Datasheet.pdf (1,58 MB) — documento completo em PDF com 72 páginas, incluindo especificações elétricas, lista de contatos, descrição de sinais e diagramas de temporização. Aplicação técnica
Este datasheet é utilizado para consulta de tensões, correntes, definição de pinos, sinais de controle (PECI, JTAG, SVID) e requisitos de integridade de sinal durante o reparo ou projeto de placas-mãe para servidores/workstations com processadores Xeon E5 v3. Não se trata de BIOS, firmware, esquema elétrico de placa ou BoardView.
Cuidados de compatibilidade
O documento cobre a família E5-1600, E5-2600 e E5-4600 v3, mas o arquivo é específico para o modelo E5-2620 v3. Não substitui o esquema elétrico da placa-mãe (schematic) nem o BoardView. Para reparo, consulte também o manual de serviço da placa-mãe específica (ex.: Supermicro, Dell, HP, ASUS) e o datasheet do chipset C610/C612.

Datasheet oficial da Intel® para a família de chipsets 6 Series (Cougar Point), com foco no modelo H61. O documento é destinado a fabricantes de equipamentos originais (OEMs) e desenvolvedores de BIOS que projetam produtos baseados no PCH (Platform Controller Hub) das séries Intel® 6 Series e Intel® C200.
Principais características do chipset Intel® H61
Soquete LGA1155 – compatível com processadores Intel Core de 2ª geração (Sandy Bridge) e, após atualização de BIOS, também com 3ª geração (Ivy Bridge). Interface DMI (Direct Media Interface) de até 20 Gb/s (full duplex) entre o PCH e o processador. Até 6 portas SATA: 2 portas com suporte a SATA 6Gb/s e 4 portas SATA 3Gb/s. Não há suporte nativo a RAID no H61. Até 10 portas USB 2.0 – sem suporte nativo a USB 3.0. Controlador PCI Express 2.0 com até 6 lanes (raízes) configuráveis. Áudio Intel® High Definition Audio. Suporte a gráficos integrados do processador ( Intel HD Graphics). Conteúdo do pacote:
Intel® 6 Series Chipset Datasheet (H61).pdf (5,19 MB) – documento completo com descrições de sinais, mapa de registradores, características elétricas, diagramas de encapsulamento, informações térmicas e especificações mecânicas do PCH. Cuidados e observações:
Este arquivo é um datasheet, não um esquema elétrico, boardview, BIOS ou manual de reparo. Seu uso é voltado para referência técnica de projeto e desenvolvimento de firmware. Para trabalhos de reparo em placas-mãe com chipset H61, utilize este documento como fonte de consulta para pinagens, tensões esperadas e sequências de inicialização, mas sempre combine com o esquema específico da placa. Verifique a revisão do chipset na placa (B2 ou B3) – a revisão B3 corrige a errata conhecida das portas SATA 2-5. O datasheet cobre ambas as revisões. Arquivo essencial para técnicos que necessitam de dados aprofundados sobre o controlador PCH H61, especialmente em atividades de análise de defeitos em plataformas LGA1155.

Datasheet / Folha de Dados
Documentação técnica completa do transistor AO4435, um MOSFET de canal P fabricado pela Alpha & Omega Semiconductors. O componente utiliza tecnologia trench para oferecer baixa resistência RDS(ON) e carga de gate ultrabaixa, sendo indicado para aplicações como chave de carga (load switch) e circuitos PWM.
Características elétricas principais (conforme datasheet)
VDS (Drenagem-Fonte): −30 V ID (Corrente de dreno contínua): −10,5 A (TA = 25 °C) RDS(ON) típico: < 14 mΩ (VGS = −20 V), < 18 mΩ (VGS = −10 V), < 36 mΩ (VGS = −5 V) VGS(th) (Tensão de limiar): −1,7 a −3 V Encapsulamento: SOIC-8 (8 pinos) Classificação de tensão de gate: ±25 V 100% testado UIS e Rg (Robusto contra avalanche) Compatível com RoHS e Halogen Free Aplicações típicas
Chave de carga em circuitos de proteção (carga/descarga de baterias) Conversores PWM e fontes chaveadas de baixa potência Circuitos de interface de energia em notebooks e periféricos Controle de motores DC e sistemas de distribuição de tensão Conteúdo do pacote
AO4435.pdf (190,8 KB) — Datasheet oficial com:Características absolutas máximas Características elétricas e térmicas Gráficos de desempenho típico (RDS(ON) vs. VGS, corrente vs. temperatura, capacitância, comportamento de avalanche) Diagrama de pinagem e dimensões do encapsulamento SOIC-8 Curvas de área de operação segura (SOA)

Datasheet oficial do controlador Nuvoton NCT5539D, um Super I/O LPC (Low Pin Count) voltado para monitoramento de hardware em placas-mãe de desktops e notebooks. Esta é a revisão 1.1, datada de junho de 2015.
Sobre o componente
Fabricante: Nuvoton Technology Interface: LPC (Low Pin Count) Função principal: Super I/O – monitoramento de tensões, temperaturas e rotação de ventoinhas (Smart FANTM IV), além do controle de parâmetros críticos do hardware do PC. Identificação no coreboot: ID 0xd121 Compatibilidade: Utilizado em placas-mãe de desktops e notebooks que necessitam de monitoramento de hardware via LPC. Conteúdo do pacote
NCT5539D_Datasheet__V1.1.general.customer.pdf (3,38 MB) – Documento oficial de 68 páginas com pinagem, diagramas de blocos, especificações elétricas, descrição dos registradores, circuitos de aplicação típica e instruções de layout para o Super I/O Nuvoton NCT5539D. Informações adicionais
O componente é identificado no coreboot com o ID 0xd121. O datasheet é voltado para técnicos e engenheiros que trabalham com reparo de placas-mãe, desenvolvimento de firmware (coreboot) ou projetos que utilizam o barramento LPC para monitoramento de hardware. Para consulta de compatibilidade, o modelo NCT5532D (também da Nuvoton) possui características similares e pode servir como referência complementar. Cuidados
Verifique a revisão do componente na sua placa antes de utilizar as informações deste datasheet. O documento é um datasheet de referência, não um guia de reparo. Consulte sempre o esquema elétrico da placa-mãe para confirmar a pinagem e as conexões do Super I/O.

Datasheet oficial da Texas Instruments para o amplificador operacional dual LM358B, versão de próxima geração do clássico LM358. O documento também cobre as variantes LM358BA, LM2904B e LM2904BA, oferecendo especificações elétricas completas, curvas características, diagramas de pinagem e aplicações típicas.
Principais características (séries B/BA)
Tensão de alimentação: 3 V a 36 V (versões B e BA) Corrente quiescente: 300 µA por canal (típico – versões B/BA) Largura de banda ganho-unitário: 1,2 MHz (versões B/BA) Tensão de offset na entrada: Máximo de 3 mV (versões A/B) / 2 mV (versão BA) a 25 °C Faixa de modo comum: Inclui o terra, permitindo sensoriamento próximo a 0 V Filtro RF/EMI integrado (versões B e BA) ESD: 2 kV (HBM) Proteção contra curto-circuito na saída Conteúdo do pacote
LM358B.pdf – 3,78 MB (arquivo único, 27 páginas) Aplicações típicas
Fontes de alimentação para servidores e redes Fontes chaveadas e carregadores Controle de motores CA/CC Placas-mãe de desktops e PCs Condicionadores de ar, lavadoras, refrigeradores Sistemas de automação industrial e UPS Amplificadores de transdutores e blocos de amplificação CC Observações técnicas
O LM358B é um amplificador operacional duplo de alto ganho, compensado em frequência, projetado para operar com alimentação simples ou dupla. Suporta entrada diferencial de até 36 V e é estável em ganho unitário. Disponível nos encapsulamentos SOIC‑8, TSSOP‑8, VSSOP‑8 e SOT‑23‑8.
Atenção: Antes de utilizar o componente em um projeto, verifique sempre a revisão do datasheet para garantir que as especificações estejam atualizadas e compatíveis com a aplicação desejada.

Datasheet oficial do componente AON6912A, um MOSFET dual assimétrico de canal N, fabricado pela Alpha & Omega Semiconductors (AOSMD). O componente é projetado para aplicações em conversores DC/DC síncronos compactos, oferecendo um estágio de potência buck de alta eficiência com otimização de layout e espaço em placa.
Características principais
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30 V Corrente de Dreno (ID): Q1 (High Side): 34 A (contínua) / Q2 (Low Side): 52 A (contínua) Resistência Dreno-Fonte (RDS(on)): Q1: < 13,7 mΩ (VGS=10 V) / Q2: < 7,3 mΩ (VGS=10 V) Pacote: Dual Power DFN5x6 (DFN5x6B-8L com contato exposto) Configuração: Half-Bridge (ponte inteira) com MOSFETs assimétricos: Q1 otimizado para baixas perdas de comutação (High Side) e Q2 otimizado para baixa RDS(on) (Low Side) Testado 100% UIS (Avalanche) e 100% Rg Status: Obsoleto (Discontinued) - adequado para reparos e manutenção de equipamentos existentes Conteúdo do pacote
AON6912A.pdf (545,6 KB) - Datasheet completo com 10 páginas, incluindo: características elétricas estáticas e dinâmicas, parâmetros de comutação, curvas características, diagrama de pinagem, informações térmicas e dimensões mecânicas do pacote DFN5x6B-8L. Aplicações típicas
Conversores DC/DC buck síncronos compactos Fontes de alimentação para notebooks, desktops e servidores Módulos de regulação de tensão (VRM) para CPUs e GPUs Equipamentos de telecomunicações e rede Cuidados e compatibilidade
Este é um datasheet de referência, não um firmware, BIOS, esquema ou boardview. Não deve ser utilizado para programação de chips. Para substituição em reparos, confirme as dimensões do pacote (5,2 x 5,55 x 0,90 mm) e as características elétricas comparando com o MOSFET original da placa. O componente está obsoleto; verifique disponibilidade de estoque ou alternativas compatíveis antes de projetar. Consulte o datasheet para obter curvas de dissipação térmica e recomendações de layout para evitar superaquecimento.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) original do MOSFET de potência AON6912A (também referenciado como AON6912), fabricado pela Alpha & Omega Semiconductors. O componente é um MOSFET de canal N assimétrico duplo, projetado para estágios de potência buck síncronos compactos, oferecendo alta eficiência com otimização de layout e espaço em placa.
Características principais
Configuração: Dual Asymmetric N-Channel (Half-Bridge interno) Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30 V Corrente de dreno (ID): Q1 (High-Side) 21 A / Q2 (Low-Side) 52 A (a VGS=10 V) Resistência RDS(on) típica: Q1 11,4 mΩ / Q2 6,1 mΩ (a VGS=10 V) Resistência RDS(on) máxima: Q1 13,7 mΩ / Q2 7,3 mΩ (a VGS=10 V) Resistência RDS(on) máxima a 4,5 V: Q1 19,3 mΩ / Q2 10,4 mΩ Encapsulamento: DFN5x6B-8L (Power DFN 5×6 mm, 8 terminais) Faixa de temperatura de junção: -55 °C a +150 °C Status do componente: Obsoleto (segundo o fabricante) Conteúdo do pacote
AON6912.pdf (566,8 KB) – Datasheet completo com 10 páginas, incluindo: características estáticas e dinâmicas, curvas características, classificação térmica, diagrama de pinagem, informações de embalagem e dimensões mecânicas. Aplicações típicas
Conversores DC/DC buck síncronos compactos Fontes de alimentação de alta frequência Reguladores de tensão para notebooks, servidores e equipamentos de telecom Estágios de potência com otimização de perdas de comutação e condução Observações importantes
O MOSFET Q1 (High-Side) é otimizado para baixas perdas de comutação; o Q2 (Low-Side) para baixa RDS(on). O componente está obsoleto; verifique disponibilidade e alternativas antes de usar em novos projetos. Para substituição, consulte as características elétricas completas no PDF.

Visão Geral
Este arquivo contém o guia do usuário (User's Guide) do módulo de avaliação BQ2471X EVM da Texas Instruments, referente aos controladores de carga NVDC-1 com interface SMBus e seleção de MOSFET de canal N. O documento cobre os modelos bq24715 (2–3 células) e bq24717 (3–4 células) e inclui descrição do hardware, conexões, configuração de jumpers, software de avaliação e tabelas de especificações técnicas.
Principais Características Técnicas
Tensão de entrada: 6 V a 24 V (buck) Número de células: 2–3 (bq24715) ou 3–4 (bq24717) – Li‑ion/Li‑Po Corrente de carga programável: 128 mA a 8,128 A (resolução de 64 mA/passo) Tensão de carga programável: 4,096 V a 14,5 V (resolução de 16 mV/passo) Interface de controle: SMBus (I²C) Topologia: NVDC‑1 (Narrow Voltage DC) com drivers para ACFET e RBFET externos (NMOS) e FET de bateria (PMOS) Frequência de chaveamento: 600 kHz / 800 kHz / 1 MHz (programável) Proteções: sobretensão, sobrecorrente, curto‑circuito no MOSFET, DPM (Dynamic Power Management) Função LEARN para calibração de capacidade da bateria Observação Importante
O módulo de avaliação não inclui o dispositivo de interface EV2400 (HPA500) necessário para comunicação com o computador e uso do software de avaliação. Este deve ser adquirido separadamente.
Conteúdo do Pacote
BQ2471X.pdf (1,34 MB) – Guia do usuário completo do EVM, com diagramas de conexão, lista de componentes, instruções de configuração e referência dos registros SMBus. Documentação essencial para técnicos que trabalham com reparo ou projeto de sistemas de carregamento em notebooks, ultrabooks e equipamentos portáteis que utilizam os controladores bq2471x.

Datasheet completo do controlador PWM APW8723, fabricado pela Anpec Electronics. Trata-se de um conversor buck síncrono em modo tensão (Voltage Mode) com frequência de chaveamento fixa de 300 kHz, projetado para aplicações que exigem regulação precisa a partir de uma tensão de entrada entre 5V e 12V.
Características principais
Tensão de alimentação: 5V a 12V (single ou dupla alimentação) Modo de operação: Voltage Mode PWM com compensação externa Frequência de chaveamento: 300 kHz ±10% Referência interna de 0,8V com precisão de ±1% sobre temperatura Soft-start integrado para limitar corrente de partida e evitar overshoot Driver para MOSFETs N de baixo custo com controle adaptativo de dead time Proteções: OVP (125%), UVP (50%) e OTP (desligamento térmico) Proteção contra sobrecorrente ajustável via RDS(on) do MOSFET inferior (sem resistor de sensing) MONitoração Power Good (PG) Encapsulamento: TDFN3x3-10 (10 pinos, 3×3 mm) Conteúdo do pacote
APW8723.pdf – 715,8 KB (23 páginas, datasheet completo com pinagem, diagrama de blocos, características elétricas, curvas típicas, aplicações e layout de referência) Aplicações típicas
Fontes chaveadas DC-DC buck para placas-mãe, periféricos, equipamentos industriais e sistemas embarcados que necessitam de regulação eficiente e compacta.
Observação: Verifique a revisão do componente e as condições de operação máximas no datasheet antes de projetar. Para compatibilidade com variações de lote, consulte a nota de errata do fabricante.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) do regulador linear APL5337 da ANPEC Electronics. Apesar do nome do arquivo ser APL5537.pdf, o conteúdo refere-se ao modelo APL5337, que é um regulador de tensão bidirecional (fonte e sumidouro) capaz de fornecer ou drenar até 2A, projetado especificamente para a tensão de terminação (VTT) de memórias DDR SDRAM (DDR2, DDR3, DDR4).
Principais Características
Tensão de saída ajustável por divisor resistivo, seguindo a tensão de referência no pino VREF. Corrente bidirecional de até 2A (fonte e sumidouro). Soft-start interno para evitar corrente de pico na inicialização. Proteção contra curto-circuito e sobrecarga (current-limit). Desligamento térmico (thermal shutdown) com histerese de 30°C. Controle de habilitação (enable) via pino VREF. Resposta transitória rápida, adequada para cargas dinâmicas de memória. Estável com capacitores cerâmicos de saída (mínimo 8 µF MLCC). Faixa de tensão de alimentação: VCNTL = 3,0 a 5,5 V; VIN = 1,1 a 4,5 V. Precisão da saída: ±10 mV sobre carga, offset e temperatura. Disponível em pacotes SOP-8 e SOP-8P (com pad exposto). Aplicações
Tensão de terminação VTT para DDR2, DDR3 e DDR4 SDRAM. Fontes de alimentação em placas-mãe e placas gráficas (VGA). Set-top boxes e equipamentos que utilizam DDR de baixa potência. Conteúdo do Pacote
APL5537.pdf — 585,3 KB (folha de dados completa do APL5337). Observação sobre o Nome do Arquivo
O arquivo foi nomeado como APL5537, porém a documentação interna refere-se ao componente APL5337. Certifique-se de que a peça correta é a APL5337 para seu projeto. O datasheet é plenamente aplicável.

Datasheet oficial do controlador Nuvoton NCT6791D (LPC Super I/O), utilizado em placas-mãe de desktop, principalmente modelos da ASUS e de outros fabricantes. O documento fornece todos os detalhes técnicos para projeto, diagnóstico e reparo.
Características principais do componente
Interface LPC (Low Pin Count) conforme especificação 1.1 Monitor de hardware integrado: tensões (14 entradas), temperaturas (modo dual current source) e velocidades de ventoinha (6 entradas e 6 saídas PWM/DC) Sistema Smart Fan (Thermal Cruise e Smart Fan IV) Duas UARTs 16550 com FIFO de 16 bytes, suporte até 921 kbps Porta paralela compatível com SPP, EPP e ECP (IEEE 1284) Controlador de teclado e mouse estilo 8042 Interface PECI (Intel) e SB-TSI (AMD) para monitoramento de CPU Suporte a sequência de power-on AMD Port 80 diagnóstico com suporte a LED bicolor Interface SMBus master/slave para dados térmicos GPIOs configuráveis (8 portas) e funções alternativas Advanced Power Saving (Deep Sleep Well) para redução de consumo standby Encapsulamento: 128-pin LQFP, alimentação 3,3 V Conteúdo do pacote
NCT6791D NUTC-S-A0001770713-1.pdf (7,49 MB) – revisão 1.11, datada de 8 de janeiro de 2016, com 287 páginas O PDF inclui descrição geral, pinagem completa, diagramas de blocos, tabelas de registradores, modos de operação e glue logic para ACPI. Essencial para técnicos que precisam consultar tensões, sinais de reset, sequência de inicialização e compatibilidade em placas-mãe que utilizam este Super I/O da Nuvoton.

Datasheet oficial do controlador buck síncrono TPS51621 da Texas Instruments.
O TPS51621 é um controlador step-down selecionável para operação monofásica ou dual phase, totalmente compatível com a especificação IMVP-6.5 da Intel. Utiliza a arquitetura avançada D-CAP+™ com redução de overshoot (OSR™) para resposta transitória rápida e menor capacitância de saída.
Características principais
Operação monofásica ou dual phase selecionável (via PSI#) Tensão de saída ajustável de 0,3 V a 1,5 V via DAC de 7 bits (VID) Corrente de saída: até 40 A em modo monofásico (EVM) / 60 A em dual phase Tensão de entrada: 3 V a 28 V (típico 12 V) Frequência de comutação selecionável: 200, 300, 400 ou 500 kHz Gate drivers integrados para MOSFETs N-canal de alta e baixa lateral Recursos IMVP-6.5 completos: VR_TT, DPRSLPVR, PSI, IMON Duty cycle máximo: 50% Faixa de temperatura: -10 °C a 105 °C Encapsulamento QFN-40 (6×6 mm) Aplicações típicas
VCORE para processadores Intel Core i3/i5/i7 (notebooks e desktops) Alimentação para CPU/GPU com trilhos de 3 V, 5 V, 12 V, bateria ou NVDC Conteúdo do pacote
TPS51621.pdf (1,95 MB) - Datasheet completo TI, incluindo: pinagem, descrição funcional, diagramas de blocos, especificações elétricas, curvas de desempenho, informações de pedido e layout recomendado (EVM-602). Este arquivo é essencial para técnicos que realizam reparos em fontes de alimentação de notebooks baseados em plataformas IMVP-6.5, permitindo consulta de tensões, temporizações e substituição do controlador.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) oficial do circuito integrado SY6288, um interruptor de distribuição de energia de baixíssima resistência (RDS(ON)) fabricado pela Silergy Corp. O componente é projetado para proteção de fontes contra sobrecorrente e curto-circuito em aplicações de chaveamento do lado alto (high-side load switching).
Características principais
Tensão de alimentação: 2,5 V a 5,5 V Resistência RDS(ON) ultrabaixa: a partir de 50 mΩ (dependendo da variante e encapsulamento) Corrente de limitação ajustável por versão: 0,6 A, 1,5 A, 2,0 A, 2,5 A Proteção contra sobrecorrente com foldback (redução automática em curto) Desligamento térmico com retry automático Bloqueio reverso (sem diodo parasita) Flag de falha (OCB) – dreno aberto, ativo baixo Descarga automática na saída ao desligar (exceto versão A1) Soft-start integrado com tempo de subida de 0,4 ms Encapsulamentos disponíveis: SOT23‑5, MSOP8, SO8 Certificações: UL, TUV, CB (IEC 62368‑1) Informações de pedido (variantes)
O SY6288 é oferecido em múltiplas versões que diferem pela polaridade de enable (ativo alto ou baixo), corrente de limitação e presença de descarga de saída. Exemplos:
SY6288A/A1/B: 0,6 A, enable alto (A/A1) ou baixo (B) SY6288C/C30/D/D30: 2,0 A SY6288C1/D1: 1,5 A SY6288C5/D5: 2,5 A Aplicações típicas
Proteção de portas USB e periféricos Chaveamento de carga em placas-mãe, notebooks e dispositivos portáteis Distribuição de energia em sistemas embarcados Hot‑swap e proteção de barramento Conteúdo do pacote
SY6288.pdf (562 KB) – Datasheet completo com 14 páginas, incluindo diagrama de blocos, características elétricas, curvas típicas, layout recomendado e informações de pedido. Este datasheet é essencial para técnicos e engenheiros que precisam consultar especificações, pinagem, circuitos de aplicação e limites operacionais do SY6288 em projetos de reparo ou desenvolvimento.

Datasheet oficial do MOSFET SiR474DP da Vishay, um transistor de efeito de campo de canal N com tecnologia TrenchFET®, encapsulado no compacto PowerPAK® SO-8 (baixo perfil de 1,07 mm).
Características principais
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30 V Resistência RDS(on) máxima: 9,5 mΩ @ VGS = 10 V; 12,0 mΩ @ VGS = 4,5 V Corrente de dreno contínua (ID): 20 A (TC = 25 °C) Dissipação de potência (PD): 29,8 W (TC = 25 °C) Carga de porta típica (Qg): 8 nC Capacitância de entrada (Ciss): 985 pF @ VDS = 15 V Faixa de temperatura de operação: –55 °C a +150 °C Encapsulamento: PowerPAK® SO-8 (montagem superficial) Número de peça com chumbo livre e livre de halogênio: SiR474DP-T1-GE3 Recursos e aplicações
Tecnologia TrenchFET® – baixa resistência e alta eficiência Otimizado para operação como chave do lado alto (high-side) em retificadores síncronos 100% testado para resistência de porta (Rg) e avalanche (UIS) Baixa resistência térmica – ideal para conversores DC-DC e núcleo de CPU de notebook Compatível com soldagem por refusão (pico de 260 °C) Conteúdo do pacote
SiR474DP.pdf (323,6 KB) – datasheet completo com curvas características, gráficos de operação segura, informações térmicas e dimensões do encapsulamento PowerPAK® SO-8. Este documento é uma referência essencial para técnicos que trabalham com substituição de MOSFETs em fontes chaveadas, reguladores de tensão de notebook e circuitos de alta frequência.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) original do MOSFET de canal N SiR164DP fabricado pela Vishay Siliconix. O documento completo em PDF (872 KB) está anexado e pode ser baixado diretamente.
Características técnicas principais
Tipo: MOSFET de canal N, modo enhancement Tensão drain‑source (VDS): 30 V Corrente de dreno contínua (ID): 50 A (TC = 25 °C, limitado pelo pacote) Resistência drain‑source on‑state (RDS(on)): 2,5 mΩ típ. a VGS = 10 V; 3,2 mΩ típ. a VGS = 4,5 V Carga de gate típica (Qg): 40,6 nC (a VGS = 4,5 V) Potência máxima dissipada: 69 W (TC = 25 °C) Pacote: PowerPAK® SO‑8 (6,15 × 5,15 mm), montagem em superfície Tecnologia: TrenchFET® Gen III, otimizada para redução de ringing em aplicações de chaveamento Certificações: Livre de halogênios (IEC 61249‑2‑21), 100% testado Rg e UIS, compatível com RoHS Aplicações típicas
Conversores DC/DC Núcleo de CPU em notebooks Circuitos de chaveamento de alta eficiência Conteúdo do pacote
SiR164DP.pdf – 872,3 KB: folha de dados oficial Vishay com gráficos de características, classificações máximas absolutas, curvas típicas e diagrama de pinagem. Nota técnica: Este MOSFET utiliza um pacote leadless (PowerPAK SO‑8); recomenda‑se soldagem por perfil térmico controlado e não o uso de ferro de solda manual. Para substituição, verifique a tensão de limiar (VGS(th) entre 1,2 V e 2,5 V) e a capacitância de entrada (Ciss ≈ 3950 pF).

Datasheet oficial do circuito integrado Nuvoton NCT5532D, um Super I/O da família LPC (Low Pin Count) voltado para monitoramento de hardware e controle de periféricos em placas-mãe de PCs e notebooks.
Características principais
Interface LPC conforme especificação 1.1 Monitor de hardware: até 8 entradas de tensão (CPUVCORE, VIN2, VIN3, VIN4, 3VCC, AVCC, 3VSB, VBAT), 2 sensores de temperatura remotos (modo corrente dupla), 2 entradas de ventoinha e 2 saídas de controle PWM Sistemas Smart Fan I e Smart Fan IV com controle de ventoinha por curva térmica UART 16550 de alta velocidade (até 921 Kbps e 1,5 Mbps com clock de 24 MHz) Controlador de teclado 8042 com suporte a PS/2 mouse e Porta 92 Interface PECI 1.1/2.0/3.0 para processadores Intel, AMD SB-TSI e sequência de energização de CPU AMD GPIOs programáveis, CIR (infravermelho consumidor), SMBus mestre/escravo Suporte a ACPI, DPM, OnNow (Wake-up por teclado/mouse de S1-S5), Watch Dog Timer Alimentação: 3,3 V; encapsulamento: 64-pin LQFP (verde) Documento: 302 páginas, revisão 0.7 (preliminar), datado de 30 de setembro de 2011 Conteúdo do pacote
NCT5532D.pdf (4,03 MB) – datasheet completo com descrição, diagrama de blocos, pinagem, registros, tabelas elétricas, temporizações e aplicação típica. Aplicação e utilidade
Este datasheet é essencial para técnicos que realizam reparos em placas-mãe de desktop e notebook, especialmente para diagnóstico de falhas relacionadas a monitoramento de tensões, sensores térmicos, controle de ventoinhas, porta serial, teclado/PS/2 e funções de gerenciamento de energia. A documentação detalhada dos registros e modos de operação auxilia na análise de circuitos e na substituição do componente.

Datasheet completo do CI Nuvoton NCT6796D, um Super I/O (LPC/eSPI SI/O) amplamente utilizado em placas-mãe de computadores desktop e notebooks. O documento, no formato PDF com 7,99 MB, contém 520 páginas com especificações técnicas detalhadas, diagramas de blocos, pinagem, descrição funcional e registros de configuração.
Principais características do NCT6796D
Interface: LPC 1.1 e eSPI, suporte a LDRQ# (LPC DMA), SERIRQ e DPM (Device Power Management). Hardware Monitor: Monitoramento de até 14 tensões (CPUVCORE, VIN0~9, 3VCC, AVSB, 3VSB, VTT, VBAT), 6 entradas de ventoinha, 6 controles de ventoinha (PWM/DC), sensores de temperatura por modo de corrente dupla, detecção de case-open e soquete de CPU. Smart Fan: Sistemas SMART FAN I e IV para controle inteligente de ventoinhas. Portas de comunicação: Duas UARTs 16550 com FIFO de 16 bytes, suporte a RS485 e taxas de até 921 Kbps (clock 14,769 MHz) ou 1,5 Mbps (clock 24 MHz). Porta paralela: Modos SPP, BPP, EPP e ECP, compatível com IEEE 1284. Controlador de teclado: Baseado em 8042, suporte a PS/2 mouse, Gate A20 e reset de teclado. PECI: Suporte a Intel PECI 1.1/2.0/3.0 (2 endereços de CPU, 2 domínios por endereço). AMD SB-TSI: Interface para monitoramento de plataformas AMD. SMBus: Interface slave para reportar dados do hardware monitor e master para obter dados térmicos do PCH/MXM. Port 80: Decodificação de mensagens de diagnóstico no barramento LPC, com suporte a LED de dois cores para indicar estados de energia. GPIO: 9 portas programáveis (GPIO0~GPIO8), com acesso indireto (2E/2F ou 4E/4F) e direto (endereço base). Recursos avançados: Advanced Sleep State Control (ASSC) para economia de energia em S5, Intel Deep Sleep Well (DSW) glue logic, suporte a CIR (Consumer IR) e IrDA SIR. Pacote: 128-pin LQFP, operação em 3,3 V. Conteúdo do pacote
nuvoton_nct6796d.pdf – 7,99 MB (520 páginas, revisão 0.6, julho de 2017). Aplicação e compatibilidade
O NCT6796D é empregado em placas-mãe de diversos fabricantes (Asus, Gigabyte, MSI, ASRock, etc.) para gerenciamento de hardware, controle de ventoinhas e monitoramento de tensões/temperaturas. Este datasheet é essencial para técnicos que realizam reparos em placas-mãe, especialmente para identificar pinagens, tensões de alimentação, sinais de controle e registros de configuração do componente.
Nota: O arquivo é o datasheet oficial do fabricante (Nuvoton). Não se trata de esquema elétrico de placa-mãe, BIOS, firmware ou BoardView. Para uso em reparo, consulte também o esquema da placa-mãe específica.

Datasheet oficial da memória serial flash MX25L512 fabricada pela Macronix. O documento completo (1,79 MB) cobre todas as especificações técnicas, pinagem, diagrama de blocos, instruções de comando, temporizações e características elétricas para essa memória SPI de 512 Kbit.
Principais características técnicas
Interface SPI compatível com Modo 0 e Modo 3 Organização: 524.288 x 1 bit (65.536 x 8 internamente) 16 setores de 4 Kbytes cada, apagáveis individualmente Tensão de alimentação única: 2,7 V a 3,6 V para leitura, gravação e apagamento Frequência serial de até 85 MHz Tempo típico de programa: 1,4 ms/página (256 bytes) Tempo típico de apagamento: 60 ms/setor; 1 s/chip completo Corrente de leitura ativa: 12 mA (máx.) a 85 MHz Corrente de standby: 10 µA (máx.) Proteção contra gravação por software (bits BP0~BP1) e por hardware (pino WP#) Mínimo de 100.000 ciclos de apagamento/programação Encapsulamentos disponíveis: 8-pin SOP (150 mil) e 8-USON (2×3 mm) Compatível com RoHS (versões Pb-free) Conteúdo do pacote
MX25L512.pdf – 1,79 MB (datasheet completo em inglês, revisão 1.7 de abril de 2009) Cuidados e compatibilidade
A família MX25L512 não é recomendada para novos projetos; a sucessora indicada é a MX25L512C. O datasheet é útil para técnicos que precisam consultar pinagem, comandos SPI, tempos de operação e características elétricas da memória para reparo ou desenvolvimento. Sempre confirme a revisão do chip na sua placa antes de utilizar o documento para referência de firmware ou gravação.

Folha de dados completa (datasheet) do transistor FDMS8692, um MOSFET de canal N da série PowerTrench® fabricado pela onsemi (originalmente Fairchild Semiconductor). O documento em PDF contém todas as especificações elétricas, curvas características, dimensões do encapsulamento e informações de aplicação.
Características técnicas principais
Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 30 V Corrente contínua de dreno (ID): 12 A (TA), 28 A (TC) Resistência RDS(on) máxima: 9 mΩ @ 12 A, VGS = 10 V Tensão de limiar (VGS(th)): 3 V @ 250 μA Carga de porta (Qg): 21 nC @ 10 V Capacitância de entrada (Ciss): 1265 pF @ 15 V Dissipação de potência máxima: 2,5 W (TA), 41 W (TC) Encapsulamento: 8-PQFN (5×6 mm) / Power56 / PowerTDFN, montagem superficial Faixa de temperatura operacional: −55 °C a +150 °C Aplicações típicas
Fontes chaveadas (DC-DC) Circuitos de retificação síncrona Controle de motores Gerenciamento de energia em eletrônica automotiva e industrial Conteúdo do pacote
FDMS8692.pdf (349,8 KB) — Datasheet completo com 7 páginas, incluindo gráficos de características, diagrama de pinagem e curvas de operação segura.

Datasheet original do MOSFET de canal N FDMS7672, fabricado pela Fairchild Semiconductor (atualmente ON Semiconductor), pertencente à série PowerTrench®. Este componente é amplamente utilizado em conversores DC-DC síncronos e fontes comutadas, onde se exige baixa resistência de condução e alta eficiência de chaveamento.
Características técnicas principais (conforme datasheet e fontes confiáveis):
Tipo: MOSFET N-Channel, modo Enhancement Tensão Dreno-Fonte (Vdss): 30 V Corrente de Dreno Contínua (Id): 19 A (Ta) / 28 A (Tc) Resistência de Condução (Rds(on)): 5,0 mOhm típico @ Vgs = 10 V, Id = 19 A Tensão de Limiar (Vgs(th)): 3 V máx. @ Id = 250 µA Dissipação de Potência (Pd): 2,5 W (Ta) / 48 W (Tc) Capacitância de Entrada (Ciss): 2960 pF @ Vds = 15 V Carga de Gate (Qg): 44 nC @ Vgs = 10 V Temperatura de Operação: -55 °C a +150 °C Encapsulamento: Power56 (8-PowerTDFN, 5×6 mm) Montagem: SMD (Surface Mount) Conteúdo do pacote:
FDMS7672.pdf (423,1 KB) — Documento original em PDF contendo o datasheet completo do componente, incluindo gráficos de características elétricas, curvas de operação, dimensões mecânicas do encapsulamento Power56 e recomendações de layout para PCB. Aplicações típicas: Conversores DC-DC buck síncronos, fontes chaveadas de alta frequência, notebooks, servidores, equipamentos de telecomunicações e sistemas de distribuição de energia em placas-mãe.
Observação: Este arquivo é um documento de referência técnica (datasheet) destinado a auxiliar projetos e reparos. Verifique sempre a revisão do datasheet e a numeração do lote do componente para garantir compatibilidade com o circuito em que será utilizado.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) original do AP2R403GMT-HF, um MOSFET de potência N-Channel Enhancement Mode fabricado pela Advanced Power Electronics Corp. (APEC).
Especificações técnicas principais:
Tensão Dreno-Fonte (BVDSS): 30 V Corrente de Dreno Contínua (ID): 37 A (Tcase=25°C) / pulsada até 130 A Resistência em Condução (RDS(on)): 2,4 mΩ (típica @ VGS=10V) Dissipação Máxima (PD): 62,5 W Encapsulamento: PMPAK® 5×6 (compatível com SO-8, com dissipador de calor integrado) Conformidade RoHS e Halogen-Free Páginas: 4 Características destacadas: tecnologia de processo inovadora para baixíssima resistência em condução e chaveamento rápido. Ideal para conversores DC-DC, fontes comutadas, gerenciamento de potência em dispositivos portáteis e aplicações automotivas de baixa tensão. O footprint é compatível com o padrão SO-8, mas com perfil reduzido e capacidade de dissipação superior através do dissipador inferior.
Conteúdo do pacote:
AP2R403GMT-HF.pdf (47,7 KB) — datasheet completo com curvas características, dimensões mecânicas, classificação térmica e especificações elétricas.

Datasheet oficial do MOSFET de potência AON6554 fabricado pela Alpha & Omega Semiconductors. Componente da família AlphaMOS, encapsulado DFN 5x6mm, ideal para aplicações em conversores DC-DC, fontes chaveadas e circuitos de gerenciamento de energia.
Características principais
Tipo: MOSFET N-Channel (Trench Power AlphaMOS αMOS LV) VDS (máx.): 30 V ID (contínuo): 85 A (Tc) / 36 A (Ta) RDS(ON) (típico): 2,9 mΩ @ VGS = 10 V VGS (máx.): ±12 V Dissipação de potência: 70 W (Tc) / 5,6 W (Ta) Capacitância de entrada (Ciss): 3020 pF @ VDS = 15 V Carga de porta (Qg): 65 nC @ VGS = 10 V Faixa de temperatura: -55 °C a +150 °C Encapsulamento: 8-DFN (5x6 mm) - Surface Mount RoHS e Halogen-Free: Sim Conteúdo do pacote
AON6554.pdf (441,3 KB) — Datasheet completo com gráficos de características elétricas, curvas de operação, dimensões mecânicas e classificação térmica. Aplicações típicas
Conversores DC-DC em servidores, computadores e fontes isoladas Fontes chaveadas (SMPS) para telecom e indústria Proteção de carga e chaveamento de alta corrente em baixa tensão Observações de compatibilidade
Este datasheet é o documento oficial de referência para o componente AON6554. Antes de substituir o MOSFET em uma placa, confirme as dimensões do encapsulamento (DFN 5x6) e as especificações elétricas do circuito original. Sempre consulte o esquema elétrico do equipamento para verificar tensões e correntes máximas suportadas.

Datasheet técnico original da família de reguladores de tensão linear REG1117 e REG1117A, fabricados pela Texas Instruments. O documento cobre as versões fixas e ajustáveis, com correntes de até 800 mA (REG1117) e 1 A (REG1117A).
Características principais
Versões de tensão fixa: 1,8 V, 2,5 V, 2,85 V (SCSI-2), 3,3 V e 5 V, além da versão ajustável (1,25 V a 13,8 V). Queda de tensão (dropout) baixa: 1,2 V máx. (REG1117 @ 800 mA) e 1,3 V máx. (REG1117A @ 1 A). Tolerância de saída: ±1% máxima. Proteção interna contra limite de corrente e sobrecarga térmica. Encapsulamentos: SOT-223 (3 pinos) e DDPAK (3 pinos). Tensão de entrada máxima: 15 V. Aplicações típicas
Alimentação de núcleo para FPGAs, PLDs, DSPs e CPUs. Terminação ativa SCSI-2 (versão 2,85 V). Fontes de tensão de baixo ruído em geral. Conteúdo do pacote
Datasheet Regulador Tensão 1117A.pdf — 476,3 KB Documento original da Texas Instruments, revisão D (SBVS001D), datado de 1992 revisado em julho de 2004. Inclui tabelas elétricas completas, curvas características, informações de pacotes e recomendações de aplicação.

Datasheet oficial do GS92A3 — Conversor Buck Síncrono
O GS92A3 é um conversor buck síncrono de alto desempenho fabricado pela Green Solution Technology (GStek), projetado para fontes de alimentação compactas em placas-mãe de notebooks, PCs e circuitos de RAM.
Características técnicas principais
Tensão de entrada: 3 V a 28 V Tensão de saída ajustável: 0,8 V a 20 V Corrente de saída máxima: até 8 A Frequência de operação programável: 100 kHz a 600 kHz MOSFETs integrados: 18 mΩ Precisão da tensão de saída: ±1% sobre linha e carga Controle Constant-on-Time (COT): resposta dinâmica rápida (≈100 ns) Modo Power Save: reduz a frequência em cargas leves para economizar energia Proteções: OVP, OCP, TSD (térmica) Encapsulamento: TQFN‑23 4×4 mm Aplicações
Notebooks e ultrabooks PCs e dispositivos portáteis alimentados por bateria Fontes de alimentação para RAM e circuitos de baixa tensão Conteúdo do pacote
Datasheet Conversor Buck GS92A3.pdf (3,07 MB) – documento completo com pinagem, diagramas de aplicação, tabelas elétricas, curvas características e recomendações de layout. Ideal para técnicos que precisam consultar especificações, aplicar em projetos de reparo ou substituir o regulador em placas de notebook.

Datasheet completo do Super I/O ITE IT8712F, revisão 0.81, em formato PDF com 189 páginas. Este componente é um Super I/O altamente integrado baseado em interface LPC (Low Pin Count), utilizado em placas-mãe de desktops e notebooks para gerenciar dispositivos legados e funções de monitoramento de hardware.
Principais características do IT8712F:
Interface LPC compatível com Intel LPC Interface Specification Rev. 1.0 Suporte a protocolos LDRQ#, SERIRQ e PCI PME# Compatível com ACPI V.1.0 e LANDesk 3.X 12 dispositivos lógicos Monitor de hardware aprimorado com conversor AD de 8 bits 3 entradas térmicas (resistor térmico, diodo térmico ou transistor com junção diodo) 8 entradas de monitoramento de tensão (VBAT medida internamente) 1 entrada de detecção de abertura de chassi com flip-flop de baixa potência alimentado por bateria Watch Dog Timer para comparação de todos os valores monitorados Suporte a VID0–VID5 para CPU Controlador de velocidade de ventoinha com 5 saídas PWM programáveis (128 passos) Monitoramento de 5 tacômetros de ventoinha Controlador SmartGuardian para controle automático de velocidade da ventoinha com sobreposição em situações catastróficas Dois UARTs 16C550 com suporte a IrDA 1.0/ASKIR e interface para leitor de cartão inteligente Porta MIDI, Game Port, Consumer IR e GPIOs configuráveis Conteúdo do pacote:
Datasheet Super I-O ITE IT8712F R0.81.pdf (930,7 KB) Este datasheet é uma referência essencial para técnicos que trabalham com reparo de placas-mãe que utilizam o IT8712F, especialmente para consulta de pinagem, registros de configuração, modos de operação e especificações elétricas. Observação: os datasheets de Super I/O estão se tornando cada vez mais difíceis de encontrar, portanto este arquivo é um recurso valioso para o acervo técnico.