Datasheets

Datasheet original do transistor MOSFET de canal N modelo AON7200, fabricado pela Alpha & Omega Semiconductors (AOSMD). Documentação técnica completa para consulta em reparos, projetos e substituição de componentes.
Principais características do componente
Tipo: MOSFET de canal N, tecnologia Trench VDS (máx): 30 V ID contínuo (TC=25°C): 15,8 A (montado em placa FR-4); 40 A (com dissipação adequada) RDS(on) típico: 6,7 mΩ @ VGS=10 V; <11 mΩ @ VGS=4,5 V VGS(th): 1,3 V a 2,4 V Pacote: DFN 3×3 EP (8 leads, exposto) Testado 100% UIS e 100% Rg Capacitâncias típicas: Ciss ~1090 pF, Coss ~490 pF, Crss ~38 pF Conteúdo do pacote
AON7200.pdf — 164,1 KB (6 páginas, curvas características, dimensões mecânicas, classificação térmica e elétrica) Aplicações típicas
Conversores DC-DC de alta frequência Proteção de carga (load switch) Circuitos de alimentação em notebooks, fontes e placas-mãe Substituição direta de MOSFETs compatíveis no mesmo footprint DFN 3×3 Cuidados
Verifique a pinagem (G, S, D) antes de substituir Atente à tensão de gate máxima (±20 V) A corrente nominal depende da dissipação térmica e área de cobre na PCB O datasheet é referência para substituição; confira as condições do circuito original Arquivo em formato PDF, digitalizado do fabricante. Ideal para técnicos que atuam com reparo de fontes, placas e equipamentos eletrônicos.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial do componente G524B1T11U, fabricado pela Global Mixed-mode Technology (GMT). Trata-se de um Power Distribution Switch (chave de distribuição de energia) projetado para aplicações USB e gerenciamento de energia.
Características principais
MOSFET high-side com 70 mΩ de RDS(on) Corrente limite de 2,5 A (versão G524B1, ativa em nível alto) Tensão de operação: 2,7 V a 5,5 V Proteção contra sobrecorrente com foldback e desligamento térmico Proteção contra tensão reversa na saída Flag de sobrecorrente (OC) com dreno aberto e debounce Under‑voltage lockout (UVLO) Corrente de repouso típica: 130 µA; corrente de shutdown: 1 µA Resistor de pull‑down na saída durante shutdown (versão com Yes no código) Aplicações típicas
Gerenciamento de energia USB (hosts, hubs alimentados e auto‑alimentados) Fontes hot‑plug Carregadores de bateria Proteção de alta impedância em circuitos de potência Conteúdo do pacote
2006051735_GMT-Global-Mixed-mode-Tech-G524B1T11U_C356799 (1).pdf (2,37 MB) – 19 páginas, em inglês, incluindo pinagem, características elétricas, curvas típicas e informações de embalagem. Documento útil para técnicos que precisam consultar especificações, curvas de proteção e aplicação do G524B1T11U em projetos de fontes, USB ou circuitos de chaveamento de carga.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet completo do Global Mixed-mode Technology G524B1T11U, um Power Distribution Switch integrado de alto lado (high-side) com MOSFET de 70 mΩ, projetado para aplicações USB e gerenciamento de energia.
Características principais do componente:
Tensão de operação: 2,7 V a 5,5 V Resistência RDS(on) típica de 70 mΩ Limite de corrente com foldback (versão B1: corrente típica de 2,5 A) Proteção contra sobrecorrente, curto-circuito e térmica (desligamento em 140 °C) Tempo de resposta rápido: 1,5 µs (típico) para curto-circuito Saída OC (open-drain) com deglitch de 9 ms para indicação de sobrecarga Proteção contra tensão reversa na saída Under Voltage Lockout (UVLO) em 2,4 V típico Corrente de shutdown inferior a 1 µA Encapsulamentos disponíveis: SOT-23-5, TSOT-23-6, MSOP-8 e MSOP-8 (FD) Aplicações típicas: USB Power Management, hubs autoalimentados e alimentados por barramento, proteção de fontes hot-plug, carregadores de bateria.
Conteúdo do pacote: arquivo PDF com 19 páginas, incluindo tabelas elétricas, curvas características, diagrama de aplicação típica, descrição de pinos e informações de layout de PCB.
Compatibilidade: o datasheet cobre os modelos G524A, G524B, G524C e G524D nas variações de limite de corrente. A versão específica B1T11U corresponde à configuração Active-High, com saída OC e pull-low interno em shutdown.
Documento útil para técnicos que trabalham com circuitos de proteção de porta USB, fontes chaveadas e sistemas embarcados que necessitam de chave de potência controlada.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este pacote reúne uma coleção de datasheets em PDF focados em transistores MOSFET, com parâmetros técnicos detalhados como tensão de limiar de gate (Vgsth), tensão dreno-fonte (VDS), resistência dreno-fonte (RDS(on)), corrente de dreno (ID), potência dissipada (PD) e encapsulamentos. Inclui também um arquivo de referência cruzada para equivalentes de MOSFETs com Vgsth de 4V.
Conteúdo do pacote:
MOSFET Vgsth 4V Equivalent Transistors.pdf (361,9 KB) – Tabela de equivalência para MOSFETs com limiar de 4V. 0V7~2VGth 30VDS NMOSFET+D SO-8 FDS9435A-NL.pdf (961,3 KB) – Datasheet do MOSFET canal P FDS9435A-NL, 30V, SO-8. 1,5~2,5de20VGS 7,9mRDS 40VDS 50~120A 36W 2SK4075B.pdf (500,9 KB) – Datasheet do 2SK4075B, 40V, 50~120A. 2,5~3,5 Vgsth 30W 150° 6A8cc 27A2pp 650VD 008rds TK7A65W TO-220F.pdf (319,8 KB) – Datasheet do TK7A65W, 650V, TO-220F. 1,7~2,5de20VGS 21~45mRDS 040VDS 20~70A 16~42W TO-252 P2504BDG.pdf (462,8 KB) – Datasheet do P2504BDG, 40V, TO-252. 1,8~2,8de20VGS 85mRDS 150VDS 13,5~35A 1,6~83W TO-252 AOD256 Rohs.pdf (299,2 KB) – Datasheet do AOD256, 150V, TO-252. 1~2V5 Vgsth STK18N05L STK18N06L ~ STK1820F.pdf (288,2 KB) – Datasheet da série STK18N05L/STK18N06L. 2,4~3,4Vgth 10Vg 60V 50~125W 30~140A 3,2mΩ D0V7 135A AOB66616L.pdf (425,2 KB) – Datasheet do AOB66616L, 60V, 135A. Os arquivos trazem curvas características, limites máximos, gráficos de operação e recomendações de aplicação. Ideal para consulta rápida em projetos de fontes chaveadas, conversores DC-DC, drivers e reparos eletrônicos.
Observação: Verifique sempre a compatibilidade com o seu projeto antes de substituir componentes. Para consultas complementares, utilize ferramentas online de busca de equivalentes.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet original do circuito integrado KA317 (Fairchild Semiconductor), um regulador de tensão positiva ajustável de 3 terminais, equivalente ao LM317. O documento contém todas as especificações elétricas, características térmicas, diagrama de blocos, aplicações típicas e curvas de desempenho.
Características principais
Corrente de saída superior a 1,5 A Tensão de saída ajustável entre 1,2 V e 37 V Proteção interna contra sobrecarga térmica (thermal shutdown) Limitação interna de corrente de curto-circuito Compensação da área de operação segura do transistor de saída Encapsulamento TO-220 Especificações elétricas (resumo)
Tensão diferencial máxima entrada-saída: 40 V Regulação de linha (TA = 25°C): 0,01% / V (típ.) Regulação de carga (TA = 25°C): 18 mV (típ.) para Vo < 5 V Corrente no pino de ajuste: 46 µA (típ.) Tensão de referência: 1,25 V (típ.) Faixa de temperatura de operação: 0°C a +125°C Conteúdo do pacote
KA317.PDF (57,0 KB) – Datasheet completo em inglês, 7 páginas, formato PDF. Aplicações
Ideal para fontes de alimentação reguladas ajustáveis, carregadores de bateria, circuitos de corrente constante e projetos que necessitem de uma tensão positiva regulada com baixo ruído e boa estabilidade térmica.
Observações
O KA317 é funcionalmente idêntico ao LM317, podendo ser usado como substituto direto na maioria das aplicações. Para obter a máxima rejeição de ripple, recomenda-se o uso de um capacitor de 10 µF entre o pino de ajuste e o terra. Consulte o datasheet para detalhes completos de projeto, incluindo valores de resistores para ajuste da tensão de saída. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados (datasheet) da família de retificadores Schottky de montagem superficial SS52 a SS510. São componentes amplamente utilizados em fontes chaveadas, conversores DC-DC, circuitos de proteção contra polaridade reversa e aplicações de alta frequência que exigem baixa queda de tensão direta.
Características principais da série SS52–SS510
Tensão reversa de pico (VRRM): 20 V (SS52) a 100 V (SS510) Corrente direta média retificada: 5,0 A Encapsulamento: DO-214AB (SMC) – baixo perfil, montagem superficial Baixa queda de tensão direta (VF): a partir de 0,55 V (modelos de menor tensão) Alta capacidade de surto de corrente (IFSM): até 150 A (8,3 ms) Junção Schottky com epitaxial, alta velocidade de comutação Temperatura de operação e armazenamento: -55 °C a +150 °C Classificação de inflamabilidade UL 94V-0 Polaridade indicada por banda no cátodo Conteúdo do pacote
SS54.pdf (317,4 KB) – folha de dados completa da série SS52–SS510, contendo ratings máximos, características elétricas, curvas típicas (derating de corrente, surto, capacitância, resistência térmica) e dimensões mecânicas do encapsulamento SMC. Aplicações típicas
Fontes chaveadas de baixa tensão e alta frequência Inversores Circuitos de freewheeling Proteção contra inversão de polaridade Retificação de alta eficiência Este datasheet é útil para técnicos e engenheiros que precisam consultar parâmetros elétricos, curvas de desempenho e informações mecânicas dos diodos Schottky SS52, SS53, SS54, SS55, SS56, SS58, SS59 e SS510 durante o projeto ou reparo de equipamentos eletrônicos.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Arquivo contendo o datasheet oficial do circuito integrado MAX17126B, um controlador DC-DC multi-saída fabricado pela Maxim Integrated (atualmente Analog Devices), utilizado em fontes de painéis TFT LCD para TVs. Este componente é amplamente empregado em placas TCOM e é citado como equivalente aos modelos G5562A e 6168AAQ.
Características técnicas do MAX17126B
Fonte de alimentação para painéis LCD TV operando a partir de 12V regulados (faixa de entrada: 8V a 16,5V) Regulador step-down (buck) para tensão lógica (3,3V típico) – MOSFET interno de 20V / 3,2A Regulador step-up (boost) para tensão do source driver (AVDD ~16V) – MOSFET interno de 20V / 3,5A Dois reguladores charge-pump (positivo e negativo) para tensões de gate driver (+35V / -6V) Amplificador operacional de alta corrente para VCOM (backplane): ±200mA, slew rate 45V/µs, largura de banda 20MHz Referência de tensão de alta precisão para correção gamma (até 30mA, erro ±1%) Chave de alta tensão com atraso ajustável para sequenciamento AVDD Frequência selecionável: 500kHz ou 750kHz Proteções: UVLO (undervoltage lockout), limite de corrente ajustável, soft-start, desligamento por sobrecarga e proteção térmica Encapsulamento: TQFN de 48 pinos (7mm x 7mm, 0,8mm de espessura) Conteúdo do pacote
Arquivo único: MAX17126B.PDF (3,26 MB) – datasheet completo com descrição funcional, pinagem, especificações elétricas, curvas características, diagramas de aplicação típica e recomendações de layout.
Aplicações típicas
Fontes para painéis TFT LCD de TVs Monitores LCD de grande porte Sistemas que necessitam de múltiplas tensões reguladas a partir de 12V Cuidados de compatibilidade
O MAX17126B é frequentemente encontrado em placas TCOM de TVs LCD com a marcação 6861AAQ. Antes de substituir, confirme o código gravado no componente e a topologia da fonte. Componentes equivalentes informados (G5562A, 6168AAQ) devem ser verificados quanto à pinagem e características térmicas. Recomenda-se consultar o datasheet para projeto ou substituição segura.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet AONS36356 - MOSFET de Potência (Alpha & Omega Semiconductor)
Arquivo PDF contendo o datasheet oficial do componente AONS36356, um MOSFET de potência fabricado pela Alpha & Omega Semiconductor (AOS). O documento reúne todas as especificações técnicas, curvas características, dimensões do encapsulamento e informações de pedido fornecidas pelo fabricante.
Características técnicas (conforme datasheet original):
Tecnologia Trench Power MOSFET para baixa resistência e alta eficiência Tensão Dreno-Fonte (VDS) de até 30 V Corrente de dreno contínua elevada com baixo RDS(on) Comutação rápida e baixa carga de gate Compatível com RoHS e livre de halogênios Aplicações típicas: conversores DC/DC, fontes chaveadas, circuitos de gerenciamento de energia, proteção de bateria e sistemas de alimentação em geral.
Conteúdo do pacote
AONS36356 DS.pdf (427,3 KB) — Datasheet completo com tabelas, gráficos, curvas de operação, classificação térmica e desenho mecânico do encapsulamento. Nota importante: Consulte o PDF para obter valores exatos de corrente, resistência e demais parâmetros conforme a versão específica do componente.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados oficial (datasheet) do controlador de carga de bateria BQ24780S da Texas Instruments, revisão C (março de 2017). O documento é essencial para técnicos e engenheiros que trabalham com notebooks, ultrabooks, tablets e equipamentos portáteis que utilizam este CI de gerenciamento de energia.
Principais características do BQ24780S:
Carregador síncrono buck de alta eficiência para 1 a 4 células Li+ (íon-polímero, LiFePO₄ etc.) Modo Hybrid Power Boost (antigo Turbo Boost): permite que a bateria forneça energia suplementar ao sistema quando a demanda excede a capacidade do adaptador, evitando o desligamento do adaptador. Seleção automática da fonte de alimentação (adaptador ou bateria) com MOSFETs N-channel ACFET, RBFET e BATFET. Interface de controle via SMBus para programação de corrente de entrada, corrente de carga, descarga e tensão de carga com alta precisão. Monitoramento de potência do sistema (PMON), corrente do adaptador (IADP) e corrente de descarga (IDCHG) para throttling da CPU (PROCHOT). Tensão de entrada: 4,5 V a 24 V (máx. absoluta 30 V) Tensão de carga programável: 1,024 V a 19,2 V (passo de 16 mV, precisão ±0,4%) Corrente de carga máxima: 8,128 A Frequência de comutação: 600 kHz, 800 kHz e 1 MHz Proteções: OVP, OCP, curto-circuito da bateria, indutor e MOSFET Encapsulamento: WQFN de 28 pinos (4 mm × 4 mm) Conteúdo do pacote:
BQ24780S.pdf (1,03 MB) – Datasheet completo com descrição funcional, pinagem, especificações elétricas, diagramas de aplicação, layout de PCB e informações de encomenda. Aplicações típicas:
Notebooks, ultrabooks, tablets destacáveis e PCs portáteis Terminais portáteis Equipamentos industriais e médicos Este documento é indispensável para diagnóstico de falhas em circuitos de carga, análise de sinais SMBus, substituição do CI e projetos de fontes internas com gerenciamento inteligente.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet original da Dallas Semiconductor (Maxim Integrated) para as memórias EPROM de adição única (Add-Only Memory) DS2501-UNW e DS2502-UNW, versões pré-programadas de fábrica do conhecido DS2502.
Estes dispositivos utilizam a interface 1-Wire e são especialmente desenvolvidos para aplicações que exigem identificação única e inviolável (UniqueWare), como endereços MAC Ethernet, números de série de equipamentos e chaves de autenticação.
Principais características técnicas:
Memória EPROM de 512 bits (DS2501-UNW, 2 páginas) ou 1024 bits (DS2502-UNW, 4 páginas) Código de família ROM: 91h (DS2501-UNW) / 89h (DS2502-UNW) Identificador UniqueWare 5E7h nos 12 bits superiores do campo de serialização Número de registro de 64 bits gravado a laser e testado em fábrica (garantia de rastreabilidade única) Suporte a proteção permanente contra gravação por página Tensão de leitura: 2,8V a 6,0V (-40°C a +85°C) Tensão de programação: 11,5V a 12,0V (-40°C a +50°C) Comunicação até 16,3 kbps com apenas um pino de dados + terra Encapsulamentos disponíveis: TO-92, SOIC-8, TSOC-6 Conteúdo do pacote:
Dallas DS2501.pdf (232,6 KB) — Documento PDF de 3 páginas com descrição completa, pinagem, informações de pedido e exemplos de estrutura de dados UniqueWare (endereço Ethernet e EUI-64). Aplicações típicas: identificação de periféricos, cartuchos originais, sensores e nós de rede que exigem dados protegidos contra cópia. A seção de UniqueWare mostra como os dados do cliente são pré-programados e protegidos contra gravação.
Observação: Este datasheet é a referência oficial do fabricante. Para programação e detalhes elétricos completos, consulte também o datasheet do DS2502 padrão.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial do controlador embarcado (Embedded Controller – EC) ENE KB3930, revisão 0.2, voltado para plataformas notebook. O documento contém 128 páginas com especificações técnicas completas do componente.
Principais características do KB3930
Microprocessador: 8051 industrial compatível, clock programável de 8/16/22 MHz, 4 KB SRAM acoplada e 256 bytes de RAM interna. Interface de comunicação: LPC (Low Pin Count) compatível com especificação v1.1, suporte a SIRQ, IRQ1, IRQ12, SCI e SMI#. Arquitetura de memória: Shared-ROM – firmware do EC e BIOS do sistema coexistem em uma única SPI flash de até 4 MB. Frequência SPI de 33/45/66 MHz com suporte a comando dual read. Controladores e interfaces: 4 interfaces SMBus (Spec 2.0), 3 portas PS/2 externas, matriz de teclado 18×8, 2 controladores de ventoinha com tacômetro, 6 canais PWM (8-bit, 14-bit e 12-bit), 6 canais ADC de 10 bits, 4 canais DAC de 8 bits, interface CIR (Consumer IR) com codificação/decodificação por hardware, interface One Wire Master, controlador SPI host/device (SDI), interface PECI (Intel), comparador de tensão por hardware e interface proprietária ENE Serial Bus (ESB). Recursos de depuração: EDI (ENE Debug Interface) compatível com Keil-C, com suporte a breakpoint. Gerenciamento de energia: Modos sleep (8051 idle) e deep sleep (clock externo 32.768 kHz apenas, 8051 em stop). Watchdog timer com 3 mecanismos de reset. GPIO: Até 100 pinos bidirecionais programáveis, com pull-up, seleção de borda/nível e funcionalidade de wakeup. Encapsulamento: 128-pin LQFP (14×14 mm), RoHS. Conteúdo do pacote
KB3930.pdf – 2,02 MB – Datasheet completo ENE KB3930, revisão 0.2 (maio de 2010). Comparação com a geração anterior (KB3926D)
O KB3930 adiciona em relação ao KB3926D: suporte a PECI, One Wire Master, 2 SMBus adicionais (total 4), 2 tacômetros de ventoinha extras, controlador SPI host/device aprimorado, comparador de tensão, oscilador interno, SRAM aumentada para 4 KB, temporizador WDT com resolução de 32 ms e melhorias nos módulos 8051, XBI, LPC, IKB, FAN, WDT, GPIO, ESB e EDI.
Finalidade do arquivo
Documentação técnica de referência para engenheiros, técnicos de reparo e desenvolvedores de firmware que trabalham com notebooks baseados em controladores embarcados ENE KB3930. Essencial para entender pinagem, registradores, modos de operação e integração do EC com a plataforma.
Cuidados de compatibilidade
O KB3930 é um componente específico para notebooks e não deve ser confundido com controladores de teclado de desktop ou ECs de outras famílias (como KB9012, ITE, etc.). O firmware do EC é específico para cada modelo de placa-mãe e não pode ser intercambiado sem adaptação. Sempre verifique a revisão exata do componente e a documentação do fabricante da placa antes de programar ou substituir o chip.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial do MOSFET MDV1528 fabricado pela MagnaChip Semiconductor utilizando tecnologia Trench MOSFET de alto desempenho. O componente é um transistor de potência N-Channel com encapsulamento PDFN33 (3x3 mm), projetado para aplicações em conversores DC/DC e uso geral.
Especificações principais (segundo o datasheet)
Tipo: MOSFET N-Channel Trench VDS: 30V (máx.) ID: 16A (contínuo) @ VGS = 10V RDS(ON): < 18,8mΩ @ VGS = 10V; < 27,8mΩ @ VGS = 4,5V VGS(th): até 2,7V (máx.) PD: 23,1W (encapsulamento PDFN33) Coss: 88pF (capacitância de saída) tr: 3,2ns (tempo de subida) Encapsulamento: PDFN33 (8 leads, 3×3 mm) Características destacadas
100% testado para UIL (Unclamped Inductive Load) 100% testado para Rg (resistência de gate) Performance de chaveamento rápido Resistência de estado ligado (RDS(ON)) muito baixa Conteúdo do pacote
MDV1528.pdf – 1,08 MB – Arquivo PDF com o datasheet completo, incluindo curvas características, dimensões mecânicas do package e classificação térmica. Este datasheet é indicado para técnicos, engenheiros e hobistas que necessitam consultar especificações elétricas, térmicas e mecânicas do MOSFET MDV1528 para projetos de fontes chaveadas, reguladores step-down, proteção de carga e outras aplicações de potência.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este pacote contém o datasheet oficial do fabricante Macronix para as memórias serial flash MX25L8006E (8 Mbit) e MX25L1606E (16 Mbit). O documento em PDF (2,33 MB) é essencial para técnicos e engenheiros que trabalham com reparo de placas eletrônicas, programação de BIOS, atualização de firmware ou desenvolvimento de hardware.
Características técnicas principais
Tensão de operação: 2,7 V a 3,6 V (leitura, gravação e apagamento). Interface: SPI compatível com Modo 0 e Modo 3. Organização da memória (MX25L8006E): 8.388.608 x 1 bit ou 4.194.304 x 2 bits (modo Dual Output); 256 setores de 4 KB; 16 blocos de 64 KB. Organização da memória (MX25L1606E): 16.777.216 x 1 bit ou 8.388.608 x 2 bits (modo Dual Output); 512 setores de 4 KB; 32 blocos de 64 KB. Programação: por byte ou por página (256 bytes). Proteção contra latch-up: 100 mA (de -1 V a Vcc +1 V). Velocidade do clock serial: até 86 MHz. Corrente ativa de leitura: 12 mA (máx. a 86 MHz). Corrente em standby: 15 µA (típ.); modo deep power-down: 2 µA (típ.). Ciclos de apagamento/programação: 100.000 ciclos (típ.). Retenção de dados: 20 anos. Recursos de segurança: proteção por bloqueio de setor via bits BP2-BP0; OTP de 512 bits para identificador único. Identificação eletrônica: JEDEC (1 byte fabricante + 2 bytes dispositivo); comandos RES, REMS e SFDP. Encapsulamentos disponíveis: 8-pin SOP (150 mil e 200 mil), 8-pin PDIP (300 mil), 8-land WSON (6x5 mm) e 8-land USON (4x4 mm). RoHS e halogen-free. Conteúdo do pacote
MX25L8006E.pdf (2,33 MB) — datasheet completo cobrindo ambos os modelos, com descrição geral, pinagem, diagrama em blocos, organização da memória, comandos, características elétricas, temporizações, informações de pedido e dimensões dos encapsulamentos. Aplicações e cuidados
Este datasheet é a referência oficial para quem precisa entender o funcionamento, os comandos SPI, os modos de proteção e as especificações elétricas dessas memórias flash. É amplamente utilizado em reparos de placas-mãe, notebooks, roteadores, TVs e outros dispositivos que empregam esses chips para armazenar BIOS, firmware ou dados de configuração. Antes de programar ou substituir o componente, consulte o documento para verificar a compatibilidade de tensão, encapsulamento e comandos.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Folha de dados completa do controlador de alimentação principal de alta eficiência Richtek RT8205L/M, utilizado em notebooks e dispositivos alimentados por bateria Li+ de 3 e 4 células.
Características técnicas principais
Tipo: Controlador step-down duplo (dual PWM) com reguladores lineares fixos 5V/3,3V Tensão de entrada: 6V a 25V Saídas ajustáveis: 2V a 5,5V (por divisor resistivo) Reguladores LDO fixos: 3,3V e 5V, até 100 mA cada Controle: Constant On-Time (COT) com resposta a transientes de 100 ns Modos de operação selecionáveis: PWM forçado, Diode Emulation Mode (DEM) e Ultrasonic Mode (>25 kHz para evitar ruído audível) Proteções: Soft-start interno, soft-discharge, OCP, OVP, UVP, thermal shutdown Eficiência: até 97% Consumo em repouso: 5 mW Embalagem: WQFN-24L 4×4 mm Variante RT8205M: inclui pino SECFB para monitorar carga pump externa opcional de 14V Aplicações típicas
Notebooks e sub-notebooks Sistemas alimentados por bateria Li+ 3/4 células Conteúdo do pacote
RT8205L-M.pdf (405,2 KB) – Datasheet original Richtek, revisão V5.0 de 2011, 26 páginas Observações técnicas
Este datasheet cobre ambos os modelos RT8205L (sem SECFB) e RT8205M (com SECFB). Indicado para diagnóstico e projeto de fonte principal em placas de notebook. Consulte o diagrama de aplicação típica (página 1 e 2) para dimensionamento de componentes externos. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial do componente Winbond W25Q128FV, uma memória serial flash de 128M-bit (16 Mbytes) operando em 3V, com suporte aos modos SPI, Dual SPI, Quad SPI e QPI. Este documento é essencial para técnicos e engenheiros que trabalham com firmware, BIOS, ou projetos que utilizam este tipo de memória não volátil.
Características principais do W25Q128FV
Capacidade: 128M-bit / 16M-byte Tensão de operação: 2,7V a 3,6V (single supply) Interfaces: Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI e QPI (Quad Peripheral Interface) Frequência máxima de clock: 104MHz (Dual SPI: 208MHz, Quad SPI: 416MHz equivalentes) Organização: 65.536 páginas de 256 bytes, apagamento por setor de 4KB, blocos de 32KB/64KB Ciclos de apagamento/programação: >100.000 Retenção de dados: >20 anos Recursos de segurança: Write-Protect por hardware/software, OTP, ID único de 64 bits, registradores SFDP Encapsulamentos disponíveis: SOIC-8, VSOP-8, WSON-8, PDIP-8, SOIC-16, TFBGA-24 (detalhados no datasheet) Conteúdo do pacote
W25Q128FV.pdf — 2,64 MB (97 páginas, revisão H) Este datasheet inclui descrição funcional, diagrama em blocos, pinagens, tabelas de instruções, características elétricas, diagramas de temporização, informações de empacotamento e códigos de pedido. Consulte o documento para configurações detalhadas de proteção e modos de leitura contínua.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este arquivo contém a folha de dados oficial (datasheet) do circuito integrado RT8248A da Richtek, revisão DS8248A-06. O componente é um controlador completo de fonte de alimentação para sistemas de memória DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR3, DDR4 e LPDDR4, ideal para notebooks e outras aplicações que exigem alta eficiência e resposta transitória rápida.
Principais Características Técnicas
Controlador PWM Buck síncrono com modulação COT (Constant On-Time) para resposta instantânea a transientes de carga (100ns). Faixa de tensão de entrada (VIN): 4,5 V a 26 V. Tensão de saída ajustável de 0,675 V a 3,3 V para VDDQ (1% de precisão). Regulador linear (LDO) integrado de 1,5 A sink/source para VTT (VTT LDO), com referência VTTREF com precisão de ±20 mV. Suporte a estados de suspensão: VTT em alta impedância no estado S3 e descarga suave (soft-off) em S4/S5. Proteções contra sobretensão (OVP), subtensão (UVP) e desligamento térmico (thermal shutdown). Embalagem: WQFN-20L 3×3 (20 pinos). Frequência de comutação ajustável por resistor (260 kHz a 1,5 MHz). Aplicações Típicas
Fontes de alimentação para memória DDR em notebooks. Terminação de barramento SSTL18, SSTL15 e HSTL. Sistemas que requerem alta densidade de corrente e baixo ruído. Conteúdo do Pacote
DS8248A-06.pdf (281,9 kB) – Datasheet completo em inglês, incluindo diagrama de blocos, configuração de pinos, especificações elétricas, curvas características, circuito de aplicação típica e descrição funcional detalhada. Observações de Compatibilidade: O RT8248A é compatível com projetos que utilizam controladores de memória DDR de notebooks. Sempre verifique a revisão do datasheet e a pinagem antes de substituir ou projetar com este CI. O arquivo é fornecido apenas para consulta técnica; não substitui a documentação oficial do fabricante para validação de projeto.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial do circuito integrado FLI8125 da Genesis Microchip (STMicroelectronics).
Este documento técnico em PDF (794,8 KB) contém a folha de dados completa do processador de vídeo FLI8125, um componente altamente integrado e de custo otimizado, projetado para aplicações em TVs LCD e CRT, além de displays de vídeo digitais portáteis e de pequeno porte.
Principais características técnicas
Fabricante: Genesis Microchip Inc. (adquirida pela STMicroelectronics) Função: Processador de vídeo com decodificador multi-padrão, conversor AD triplo de 8 bits (ADC) e microcontrolador integrado Suporte a entradas: CVBS (TV/AV), S-Video, YCbCr (componente) Tecnologia de escalonamento: Faroudja® DCDi Edge Recursos adicionais: VBI Slicer para Closed Caption e Teletexto, controlador OSD, suporte a varredura entrelaçada e progressiva, porta de entrada digital, JTAG Encapsulamento: QFP (compatível com RoHS) Conteúdo do pacote
fli8125_datasheet.pdf (794,8 KB) – Folha de dados completa com diagramas em blocos, pinagem, especificações elétricas e aplicações típicas. Informações adicionais
O FLI8125 é amplamente utilizado em TVs CRT e LCD de médio/grande porte, monitores de vídeo portáteis e displays de pequeno porte. O datasheet inclui orientações de projeto, recomendações de layout e circuitos de aplicação. Não foram encontradas informações sobre códigos alternativos de placa ou modelos comerciais específicos.
Observações de compatibilidade
Este arquivo é estritamente um datasheet de referência. Não se trata de firmware, BIOS, esquema ou boardview. Consulte o documento para verificar a pinagem, tensões e características de temporização antes de integrar o componente em um projeto.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial do controlador PWM NCP81205 (referência E911P), fabricado pela Onsemi. O arquivo foi originalmente disponibilizado no site da Onsemi e encontra-se arquivado no acervo do EletrônicaBR para consulta técnica.
Conteúdo do pacote
ncp81205a.pdf (1,89 MB) – Documento em PDF com a ficha técnica completa do componente. Características técnicas do NCP81205 (conforme documentação original)
Controlador PWM de alta performance para fontes chaveadas; Operação em modo corrente (Current Mode); Tensão de alimentação típica: 8 V a 30 V (máx. 30 V); Driver de saída com capacidade de 250 mA (sink/source); Proteções internas: OCP (sobrecorrente), OVP (sobretensão ajustável em versões PDIP‑14/SOIC‑16), UVLO com histerese; Frequência de comutação ajustável por capacitor externo (Ct); Modo Quasi‑Ressonante (QR) e Soft Frequency Foldback para baixa interferência e alta eficiência em cargas leves; Encapsulamentos disponíveis: PDIP‑8, PDIP‑14 e SOIC‑16 (Pb‑Free). Aplicações típicas
Fontes AC/DC para notebooks e carregadores; Fontes para TVs, DVD, set‑top boxes; Fontes auxiliares (USB, eletrodomésticos). Cuidados
Este documento é uma referência técnica para projeto e reparo. Sempre confira a revisão e o encapsulamento exato do componente antes de aplicar as informações. A compatibilidade com equipamentos específicos deve ser verificada com o esquema elétrico do aparelho. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Arquivo em PDF contendo uma tabela de referência cruzada (cross reference) para transistores MOSFET de potência (Power MOSFETs). A listagem é organizada alfanumericamente e inclui os seguintes dados técnicos para cada componente:
Part Number (código do componente) VDSS (V) – tensão máxima dreno-fonte RDS(on) (Ω) – resistência dreno-fonte em condução ID (A) – corrente de dreno contínua PD (W) – potência máxima dissipada Encapsulamento (Package) – como TO-220, TO-3P, SOP-8, etc. Fabricante e observação de substituição (código de equivalência) A tabela é especialmente útil para técnicos que precisam encontrar um substituto direto ou equivalente para MOSFETs de diversas marcas (Toshiba, Fairchild, Sanyo, etc.), facilitando a seleção de componentes em reparos de fontes, inversores, placas-mãe e outros equipamentos eletrônicos.
Conteúdo do pacote:
Tabela de Substituição de Transistores MOSFET.pdf – 223,6 KB

Datasheet completo da família JW1967X da JoulWatt Technology, um regulador de corrente constante para LEDs em topologia buck não isolada com correção de fator de potência (PFC). Ideal para projetos de drivers LED de baixo custo e alta eficiência.
Sobre o componente
O JW1967X é um regulador buck que opera em modo de condução crítica (critical conduction mode), integrando MOSFET de alta tensão e fonte de corrente de alta tensão, dispensando enrolamento auxiliar e capacitor VCC. O circuito é alimentado diretamente pela tensão da linha retificada, simplificando o projeto e reduzindo componentes externos.
Características principais
Alimentação direta da linha (sem enrolamento auxiliar e sem capacitor VCC) Alta precisão de corrente de saída com regulação de linha e carga Técnica de compensação digital integrada para PFC Modo de condução crítica (CRM) para alta eficiência MOSFET de alta tensão embutido (500V a 600V conforme a versão) Proteções: LED aberto, LED em curto e desligamento térmico (OTP) Pacotes SOP7 e DIP7 Versões do CI
JW1967A – MOSFET 500V / 8,5Ω / 1,6A JW1967B – MOSFET 550V / 5,5Ω / 2A JW1967C – MOSFET 500V / 3Ω / 6A JW1967EH – MOSFET 600V / 1,8Ω / 8A O datasheet inclui diagrama de blocos, especificações elétricas completas, curvas características, configuração de pinos, aplicação típica e guia de design com recomendações de layout e seleção de componentes.
Conteúdo do pacote
JW1967X.pdf – 336,5 KB (datasheet em inglês) Documento de referência essencial para técnicos que trabalham com reparo ou projeto de drivers LED com correção de fator de potência.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial da Winbond para a memória flash serial W25Q128JV. Este documento é referência essencial para técnicos e engenheiros que trabalham com sistemas que utilizam este componente para armazenamento de firmware, BIOS, code shadowing ou dados.
Especificações principais
Capacidade: 128M-bit (16.777.216 bytes) Tensão de alimentação: 2.7V a 3.6V Interface: SPI padrão, Dual SPI e Quad SPI (clocks de até 133 MHz) Organização: 65.536 páginas de 256 bytes cada Apagamento: setor de 4 KB, bloco de 32 KB, bloco de 64 KB e chip total Resistência: mínimo de 100.000 ciclos de programa/apagamento por setor Retenção de dados: superior a 20 anos Temperatura operacional: -40°C a +85°C (industrial até +105°C) Encapsulamentos: SOIC-8 (208-mil), SOIC-16 (300-mil), WSON 6x5/8x6 mm, TFBGA 24-ball Características de destaque
Suporte a XIP (Execute in Place) via leitura contínua com wrap de 8/16/32/64 bytes Registradores de segurança: 3 × 256 bytes com bloqueio OTP Identificador único de 64 bits por dispositivo Proteção contra gravação por software e hardware Modo de baixo consumo: <1 µA típico em power-down Conteúdo do pacote
W25Q128JV.pdf (2,35 MB) – Datasheet completo da Winbond, contando com descrição geral, pinagem, instruções SPI, características elétricas, diagramas de temporização e informações de empacotamento. Arquivo indispensável para consulta durante projetos, reparos ou seleção de componentes substitutos. Confira sempre a revisão do datasheet e a numeração de peça exata (ex.: W25Q128JVSIQ) para garantir compatibilidade com sua aplicação.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Documentação técnica completa do componente Winbond W25Q32BV.
A memória W25Q32BV é uma Flash Serial de 32M-bit (4.194.304 bytes), pertencente à família SpiFlash da Winbond. Projetada para sistemas com restrição de espaço, pinos e consumo, oferece interface SPI padrão, Dual SPI e Quad SPI, permitindo acesso de alta performance para code shadowing, execução direta (XIP) e armazenamento de dados.
Características principais (datasheet)
Capacidade: 32M-bit / 4M-byte Tensão de alimentação: 2,7V a 3,6V Corrente ativa: 4 mA típica; < 1 µA em power-down Interface: SPI padrão (CLK, /CS, DI, DO, /WP, /HOLD); Dual SPI (IO0, IO1); Quad SPI (IO0-IO3) Frequência máxima de clock: 104 MHz (SPI padrão); 80 MHz (Quad SPI) — equivalente a 320 MHz em Quad I/O Organização: 16.384 páginas de 256 bytes cada Apagamento: Setor de 4 KB; bloco de 32 KB / 64 KB; apagamento total do chip Segurança: ID único de 64 bits, registros de segurança (3×256 bytes) com OTP, proteção de escrita programável, SFDP Durabilidade: > 100.000 ciclos de apagamento/programação; retenção de dados > 20 anos Temperatura de operação: −40 °C a +85 °C Encapsulamentos disponíveis: SOIC-8 (208-mil), VSOP-8, WSON-8 (6×5 mm / 8×6 mm), PDIP-8, SOIC-16 (300-mil), TFBGA-24 (8×6 mm) Aplicações típicas
Code shadowing (cópia de código para RAM) Execução direta (eXecute In Place - XIP) via SPI Armazenamento de firmware, parâmetros de configuração, dados de voz e texto Substituição de memórias Flash paralelas em projetos com poucos pinos Conteúdo do pacote
W25Q32BV.pdf — 1.017 KB (datasheet oficial Winbond, revisão F, abril/2011) Observação importante ao usar este datasheet: Confirme a revisão exata do componente (W25Q32BV) e o encapsulamento desejado antes de aplicar em projeto ou substituição. Para programação/gravação, utilize gravador SPI compatível com tensão 3,3 V.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Este é o datasheet oficial do uP1961S, um driver de gate driver de alto desempenho fabricado pela uPI Semiconductor. O componente integra um Módulo de Extensão de Fase (PEM) que intercala um único sinal PWM de entrada e aciona estágios de potência buck síncronos de duas fases, além de extrair e passar os sinais de corrente de ambas as fases para o controlador.
Características técnicas principais
Família: uP1961S – Gate Driver MOSFET com PEM Topologia: Driver de quatro MOSFETs para conversor buck síncrono de duas fases com entrada PWM única Tensão de alimentação (VCC): 10,8 V a 13,2 V Capacidade de acionamento: capaz de acionar carga de 5000 pF com tempo de transição de 30 ns Proteção: anti-shoot-through adaptativo, desligamento por tri-state no pino PWM0 e por pino EN, e under voltage lockout (UVLO) na alimentação Sensor de corrente: comutação alternativa entre ISP1 e ISP2 para sensoriamento DCR, sincronizada com a distribuição PWM Encapsulamento: WQFN 3×3 – 16L (termicamente otimizado) Faixa de temperatura de operação: –40 °C a +85 °C (ambiente) / –40 °C a +125 °C (junção) Dissipação máxima: 1,47 W a TA = 25 °C Compatibilidade: RoHS e livre de halogênios Aplicações típicas
Reguladores de tensão de núcleo (Vcore) para microprocessadores Intel e AMD móveis Conversores DC/DC buck síncronos de alta frequência e perfil baixo Conversores DC/DC de alta corrente e baixa tensão de saída Conversores DC/DC de alta tensão de entrada Conteúdo do pacote
uP1961S.pdf – 214,3 KB – Datasheet completo com descrição funcional, pinagem, características elétricas, gráficos de operação típica, circuito de aplicação e diagrama de embalagem. Observações de compatibilidade
Este é um datasheet de componente semicondutor, não um esquema, BoardView, BIOS ou firmware de equipamento. O uP1961S é projetado para operar com controladores PWM multifase da uPI que suportem esquema de balanceamento de corrente DCR. Verifique a revisão do componente e as condições máximas absolutas antes de integrá-lo em um projeto ou reparo. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet completo do controlador PWM uP1649Q fabricado pela uPI Semiconductor. Este componente é um controlador de tensão para CPU compatível com o padrão Intel VR12.5, projetado para fontes de alimentação de núcleo (Vcore) em placas-mãe de desktop.
Características técnicas principais
Topologia: RCOT™ (Robust Constant On-Time) da uPI, para resposta transitória rápida e transição suave entre modos. Fases suportadas: 1, 2, 3 ou 4 fases, selecionáveis por hardware (pinos PWM4, PWM3, PWM2). Interface digital: SMBus/I²C para programação dinâmica de parâmetros (tensão, frequência, número de fases, ganho do loop, limites de proteção). Sensor de corrente: Diferencial por DCR do indutor, com balanceamento de corrente entre fases. Sensor de tensão: Diferencial remoto (Kelvin) para precisão na regulação da CPU. Proteções: OVP (sobretensão), UVP (subtensão), OCP (sobrecorrente total e por fase), OTP (sobretemperatura), UVLO (subtensão de alimentação). Sinalização: VR_READY, VRHOT#, OC#. Encapsulamento: VQFN 40 pinos (5×5 mm). Aplicação típica: Regulador de tensão para CPU de desktop (Vcore). Conteúdo do pacote
uP1649Q.pdf (388,7 KB) – Datasheet oficial de 29 páginas, incluindo: descrição funcional, pinagem, diagrama de blocos, circuito de aplicação típico, tabelas de programação I²C, características elétricas e curvas de desempenho. Observações de compatibilidade
O uP1649Q é um controlador PWM dedicado ao padrão VR12.5, utilizado em placas-mãe com soquetes LGA1150 (Haswell, Haswell Refresh, Broadwell) e também em algumas plataformas LGA2011-v3 (Haswell-E). Não é compatível com padrões VR anteriores (VR11, VR12) nem com VR13/VR14 sem adaptação de circuito. Para uso em reparo, confirme a pinagem e a programação I²C com o esquema da placa-mãe alvo. Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.

Datasheet oficial do MOSFET de potência SM4522NHKP, fabricado pela Sinopower Semiconductor Inc. O componente é um transistor de efeito de campo de canal N, modo enhancement, projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações técnicas principais
Tipo: MOSFET N-Channel Enhancement Mode VDS (máx.): 30 V ID (máx.): 110 A RDS(on) (máx.): 2,65 mΩ @ VGS = 10 V; 4,3 mΩ @ VGS = 4,5 V VGS (máx.): ±20 V VGS(th) (máx.): 2,5 V PD (máx.): 56 W Capacitância de saída (Coss): 1220 pF Tempo de subida (tr): 8 ns Encapsulamento: DFN5x6-8 (DFN8 5×6 mm) Características e aplicações
Baixa resistência de condução (RDS(on)) para minimizar perdas por condução Carga de porta reduzida (Qg e Qgd) para comutação em alta velocidade Proteção ESD integrada 100% testado em UIS (avalanche) e Rg Compatível com soldagem SMT padrão Livre de chumbo e em conformidade RoHS Aplicações típicas: gerenciamento de energia em desktops, conversores DC/DC, fontes chaveadas, sistemas de gerenciamento de bateria, conversores multifásicos e circuitos buck síncronos.
Conteúdo do pacote
SM4522NHKP.pdf (267,3 KB) — Datasheet completo com 11 páginas, incluindo curvas características, dimensões do encapsulamento, classificação térmica e instruções de soldagem. Observações
Este é um documento de referência para projeto e substituição de componentes. Sempre confirme a tensão, corrente e dissipação de acordo com a aplicação final. O encapsulamento DFN5x6-8 exige perfil de soldagem adequado para evitar danos térmicos.
Schematic: documentação técnica para consulta de circuitos, componentes, interligações e apoio ao diagnóstico eletrônico.