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  1. A molibdenita tem estado à frente, mas talvez o grafeno consiga pegar uma carona. [Imagem: Huamin Li Lab/Buffalo University] Transístor de grafeno e molibdenita Um transístor feito de grafeno e molibdenita exige menos da metade da tensão elétrica necessária para fazer funcionar os atuais transistores de silício. Enquanto a maioria dos transistores requerem 60 milivolts, este novo protótipo opera com 29 milivolts. Ele também tem uma densidade de corrente maior do que quaisquer outros transistores semelhantes em desenvolvimento. O transístor é composto de uma única camada de grafeno e uma única camada de dissulfeto de molibdênio, ou MoS2, que faz parte de um grupo de compostos conhecidos como calcogenetos de metais de transição. O grafeno e a molibdenita operam em conjunto, empilhados, e a espessura total do componente é de aproximadamente 1 nanômetro. "Novas tecnologias são necessárias para estender o desempenho dos sistemas eletrônicos em termos de potência, velocidade e densidade. Este transístor de próxima geração pode alternar rapidamente enquanto consome pouca energia," disse Huamin Li, da Universidade de Buffalo (EUA). Uma corrente elétrica excita a superposição de dois magnons com polarização linear (indicada pelas setas vermelha e azul). Posteriormente, a energia é transportada através do isolador antiferromagnético, o que é detectado como uma tensão elétrica. [Imagem: Ill./Andrew Ross] Ferrugem antiferromagnética Os isolantes antiferromagnéticos permitem velocidades de computação 1.000 vezes mais rápidas do que os eletrônicos atuais, com muito menos aquecimento. Os componentes também podem ficar mais próximos uns dos outros e os módulos de lógica podem se tornar menores, algo que não é possível com a atual tecnologia do silício devido ao aquecimento excessivo. O problema é que a transferência de informações nos isolantes antiferromagnéticos só funcionava em temperaturas muito baixas - mas quem vai querer colocar seu celular no freezer para poder usá-lo? Agora, físicos conseguiram eliminar esse problema. Eles usaram o óxido de ferro (α-Fe2O3) principal componente da ferrugem, como isolante antiferromagnético, porque o óxido de ferro está por todo lado e é barato de se fabricar. "Conseguimos transmitir e processar informações em um isolante antiferromagnético padrão em temperatura ambiente - e fizemos isto em distâncias longas o suficiente para permitir que o processamento de informações ocorresse," disse Andrew Ross, da Universidade Johannes Gutenberg em Mainz, na Alemanha. Será que teremos um Vale do InGaAs para substituir o Vale do Silício? Dificilmente. [Imagem: MIT] Vale do InGaAs Pesquisadores do MIT (EUA) e da Universidade Politécnica de Madri (Espanha) descobriram que uma liga semicondutora bem conhecida, chamada InGaAs (arsenieto de índio e gálio) pode competir com os transistores de silício. Embora possam operar em alta velocidade e com baixo consumo de energia, o desempenho dos transistores InGaAs se deteriora muito rapidamente conforme eles são miniaturizados. O saber científico até agora postulava que isso acontece porque, em pequenas escalas o material não consegue lidar bem com a passagem dos elétrons. Mas um estudo mais detalhado mostrou que essa deterioração não é uma propriedade intrínseca do próprio material, e sim devido a "armadilhas" no material representadas por óxidos dispersos na liga - além dessas armadilhas de óxido, existem armadilhas de interface e armadilhas de fronteira atrapalhando o fluxo de elétrons nos componentes eletrônicos. Bastou fazer os transistores de InGaAs operarem numa frequência alta o suficiente para que os efeitos desaparecessem, com os resultados mostrando uma eficiência comparável à dos transistores de silício na mesma escala de tamanho. Difícil é saber se, nessa altura do campeonato, ser tão bom quanto o silício seria suficiente para fazer a indústria mudar de material. Transformação de um material magnético duro em um ímã macio pela passagem de uma corrente [Imagem: Postech/10.1002/adma.202004110] Memórias magnéticas Pesquisadores da Coreia do Sul descobriram uma técnica para otimizar a eficiência energética de uma célula de memória magnética não-volátil chamado SOT-MRAM. SOT-MRAM é uma sigla em inglês para RAM magnética de torque spin-órbita, sendo um dos componentes mais avançados da spintrônica, a tecnologia pós-silício que se baseia não no movimento de enxurradas de elétrons, mas nos momentos magnéticos de elétrons individuais. Elas já são mais rápidas do que as RAM atuais, não perdem os dados na falta de energia, mas ainda exigem uma tensão alta demais para funcionar. Kaixuan Zhang e seus colegas melhoraram a eficiência energética das SOT-MRAM em mais de 100 vezes trocando materiais magnéticos duros por materiais magnéticos macios. Eles descobriram que o telureto de ferro germânio (Fe3GeTe2) - um material ferromagnético com simetria geométrica especial - muda de um ímã duro para um ímã macio quando uma pequena corrente é aplicada. Assim, quando não é necessário escrever informações, o material permanece um ímã duro, o que é bom para o armazenamento seguro, e somente quando a escrita é necessária o material muda para um ímã macio, permitindo maior eficiência energética. Fonte: https://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=transistores-computadores-sem-silicio&id=010110201211#.X9ulHVZKgdU
  2. Memória magnética rápida Uma equipe internacional de pesquisadores e engenheiros criou uma nova técnica para inversão da magnetização - o processo usado para gravar e apagar informações em memórias magnéticas - que é quase 100 vezes mais rápida do que os dispositivos spintrônicos de última geração. O avanço promete viabilizar o desenvolvimento de memórias magnéticas ultrarrápidas para chips de computador - além de gastar pouca energia, elas mantêm os dados mesmo na falta de energia. Componentes spintrônicos são alternativas atraentes às memórias de computador convencionais - a família das RAMs -, mas têm ficado restritos aos discos de backup por suas velocidades relativamente lentas, já que dependem de memórias magnéticas, que demoram mais para serem manipuladas do que as elétricas. Kaushalya Jhuria e seus colegas demonstraram agora uma técnica que usa pulsos elétricos extremamente curtos - 6 picossegundos de duração - para alternar a magnetização de um filme fino em um dispositivo magnético com grande eficiência energética. Um picossegundo equivalente a um trilionésimo de segundo, o que coloca as memórias magnéticas na mesma casa com que é medida a velocidade das memórias RAM atuais. Memória spintrônica Nas memórias convencionais, os 0s e 1s dos dados binários são armazenados como os estados "ligado" ou "desligado" de transistores de silício individuais. Nas memórias magnéticas, essa mesma informação é armazenada como polaridades opostas da magnetização, que geralmente são consideradas como os estados "para cima" ou "para baixo". Componentes spintrônicos de última geração são feitos com componentes que apresentam um efeito conhecido como torque spin-órbita. Nesses componentes, uma pequena área de um filme magnético (um bit magnético) é depositada sobre um fio metálico. Uma corrente fluindo através do fio gera um fluxo de elétrons com um momento magnético, também chamado de spin. Isso, por sua vez, exerce um torque magnético - chamado de torque spin-órbita - no bit magnética. E o torque spin-órbita pode então mudar a polaridade do bit. Componentes de última geração que funcionam com base nesse princípio exigem pulsos de corrente de pelo menos 1 nanossegundo para gravar ou apagar o bit magnético, enquanto os transistores nas memórias RAM de última geração alternam em apenas 1 a 2 picossegundos (1 nanossegundo equivale a 1000 picossegundos). A equipe conseguiu chavear sua memória spintrônica em 6 picossegundos, o que a torna vantajosa para muitas aplicações, considerando que ela consome menos energia e é não-volátil. "A alta eficiência energética deste novo processo de comutação magnética ultrarrápida foi uma grande e muito bem-vinda surpresa," disse o professor Jeffrey Bokor, da Universidade de Berkeley. "Esse dispositivo spintrônico de alta velocidade e baixo consumo de energia pode potencialmente enfrentar as limitações de desempenho dos sistemas de memória de nível de processador atuais e também pode ser usado para aplicações lógicas." Bibliografia: Artigo: Spin-orbit torque switching of a ferromagnet with picosecond electrical pulses Autores: Kaushalya Jhuria, Julius Hohlfeld, Akshay Pattabi, Elodie Martin, Aldo Ygnacio Arriola Córdova, Xinping Shi, Roberto Lo Conte, Sebastien Petit-Watelot, Juan Carlos Rojas-Sanchez, Gregory Malinowski, Stéphane Mangin, Aristide Lemaître, Michel Hehn, Jeffrey Bokor, Richard B. Wilson, Jon Gorchon Revista: Nature Electronics DOI: 10.1038/s41928-020-00488-3 Fonte: Site Inovação Tecnológica https://www.inovacaotecnologica.com.br
  3. Vendo componentes eletrônicos, confere os produtos em: https://infonova.mercadoshops.com.br Contato direto whatsapp ou telegram +5538999336744
  4. Alguém por favor saber informar qualquer é o transistor Q352 smd na placa da fonte da lg42pq30r. Não consegui o esquema. Grato pela ajuda.
  5. Quero saber se posso trocar um Mosfet CS4N60F por outro o FQPF7N60C, na placa da fonte do Umidificador. 😗
  6. Preciso limitar uma tensão de 5v, para que outra tensão de 5v passe, sem que se acumule e vire 10v
  7. 200 Circuitos Com Transistores Visualizar Arquivo Este e-livro contém 200 circuitos com transistores. É incrível o que você pode fazer com alguns transistores e alguns componentes de conexão. Uploader Juninho_LC Enviado 30-06-2020 Categoria Eletrônica  
  8. 3 downloads

    Este e-livro contém 200 circuitos com transistores. É incrível o que você pode fazer com alguns transistores e alguns componentes de conexão.
  9. Pessoal, veio aqui com 2 tr queimados na Sus com o código RJP63K2 tenho outras duas TVs do mesmo modelo com a mesma SUS que usa o aqui que usa o 30J127 Afinal, esses transistores são iguais? Ví uns relatos na internet que o RJP63K2 não tem substituto. ????? O que vcs me dizem?
  10. Troquei a cabeça de impressão e coloquei pra imprimir mas não estava saindo tinta, daí coloquei pra fazer verificação dos jatos e limpeza várias vezes e começou a sair a impressão( tinta preta, cyan, margenta faltando a amarela) coloquei mais uma vez para imprimir a verificação dos jatos e no meio da impressão ela parou de funcionar. Retirei o transistor A2210 da placa lógica e conectei os cabos e liguei a impressora ela começou a funcionar( deslocou o cabeçote, fez o barulho de recarregando a tinta e parou novamente) testei o F1 e está dando continuidade. estou com duvida se quando eu colocar novamente os transistores novos eles não vão queimar? Teria que olhar se tem mais algo em curto, mas o que olhar a cabeça de impressão? (ela é nova e funcionou inicialmente). Vocês têm dicas do que olhar?
  11. Transistores - Chaveamento Visualizar Arquivo Chaveamento em Transistores. Uploader Mozarth Petraglia Gomes Enviado 27-03-2020 Categoria Eletrônica  
  12. Boa Noite. Resolvi trabalhar com sublimação. Tive recomendações de que a impressora da Epson L120 era boa. Comprei uma e queimou. Consegui trocar, queimou novamente. Comprei outra placa. Troquei de computador e queimou novamente. Identifiquei que são esses transistores que queimaram. Tô querendo comprar novos transitores pra trocar porém estou com receio que queimem novamente. Quando troco ainda consigo imprimir umas folhas antes de queimar. Alguém pode me ajudar??
  13. Pesquisadores da Universidade Tufts, nos EUA, desenvolveram um tipo de transistor que tem potencial para tornar dispositivos eletrônicos completamente flexíveis. A novidade, ademais, pode ser entrelaçada para produzir tecidos ou ser incorporada a eles, podendo ser usados sobre a pele, ou até implantados em órgãos e estruturas do corpo humano para o monitoramento de doenças e realização de diagnósticos, além de apresentar outras possíveis aplicações. Segundo os engenheiros por trás do desenvolvimento dos transistores, a tecnologia pode ser usada na produção de circuitos lógicos e integrados e poderia substituir os – poucos – componentes rígidos que ainda estejam presentes em dispositivos flexíveis. Atualmente, eletrônicos com essa característica ganham maleabilidade graças ao uso de materiais como polímeros condutores capazes de se esticar e adotar diferentes formas, mas como algumas das estruturas internas continuam sendo rígidas, os aparelhos têm sua versatilidade limitada. Já os transistores criados pelos engenheiros poderiam ser combinados aos mais variados tipos de sensores e integrar outros componentes, assim como ser utilizados com diferentes materiais, eliminando de vez as limitações com relação à flexibilidade de dispositivos eletrônicos. Aplicações Com isso, além de abrirem o leque de possibilidades para a criação de eletrônicos com designs inovadores, os transistores poderiam ser empregados no desenvolvimento de dispositivos incrivelmente finos, maleáveis e elásticos para serem incorporados a tecidos biológicos e implantados em órgãos como a pele, o fígado, rins, o coração e o cérebro, por exemplo, sem afetar suas funções biológicas – e sem que o paciente sinta a presença dos aparelhos em seu organismo. Isso significa que os transistores poderiam dar origem a eletrônicos capazes de monitorar em tempo real e facilitar o tratamento de diversas doenças, como problemas cardíacos, diabetes e disfunções neurológicas. A tecnologia foi apresentada e tem inúmeras aplicações e, apesar de que ainda sejam necessários muitos estudos e experimentos para que novos dispositivos possam ser desenvolvidos e se tornem realidade, tudo indica que os eletrônicos maleáveis vão evoluir muito nos próximos anos. fonte: tecmundo
  14. A nova técnica cria transistores que podem simultaneamente gravar e processar informações. [Imagem: Purdue University/Vincent Walter] Transístor que armazena e processa Engenheiros podem ter descoberto um verdadeiro "ovo de Colombo" da eletrônica: como fazer com que os transistores possa processar e armazenar informações ao mesmo tempo. Os computadores atuais processam os dados e armazenam os dados usando componentes diferentes: Transistores no processador, no primeiro caso, e transistores na memória, no segundo caso. Agora, Mengwei Si e colegas da Universidade Purdue, nos EUA, conseguiram fazer com que cada uma de milhões dessas minúsculas chaves elétricas possam simultaneamente processar e armazenar as informações. E a técnica resolve ainda um outro problema: Ela combina um transistor com uma tecnologia de memória de melhor desempenho, a RAM ferroelétrica. Os pesquisadores tentam há décadas integrar essas duas tecnologias, mas ocorrem problemas na interface entre o material ferroelétrico e o silício, o material semicondutor que compõe os transistores. Por isso, as memórias RAM ferroelétricas usadas hoje funcionam como uma unidade separada no chip, limitando seu potencial para tornar a computação mais eficiente. Estrutura do FeSFET, um transístor de efeito de campo semicondutor ferroelétrico. [Imagem: Mengwei Si et al. - 10.1038/s41928-019-0338-7] FET semicondutor e ferroelétrico A solução foi encontrada na junção das propriedades ferroelétricas e semicondutoras em um único material. "Nós usamos um semicondutor que possui propriedades ferroelétricas. Dessa forma, dois materiais se tornam um material só e você não precisa se preocupar com os problemas de interface," disse o professor Peide Ye. O resultado é chamado "transístor de efeito de campo semicondutor ferroelétrico" (FeSFET), e é construído da mesma maneira que os transistores atualmente usados nos chips de computador. O material, chamado seleneto de índio alfa, não apenas possui propriedades ferroelétricas, como também é um semicondutor com um "intervalo de banda" (bandgap) estreito, permitindo a realização de cálculos computacionais, além do tradicional armazenamento de um bit não volátil. O próximo passo será testar o novo material e a nova arquitetura de processamento/armazenamento em dispositivos lógicos maiores, mais próximos da utilização prática. Fonte: https://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=transistores-agora-processar-armazenar-informacoes&id=010110200107#.XjR7909KjIU
  15. Pessoal, Essa cx amplificada é aquele modelo que usa outra caixa externa ligada no painel trazeiro da cx principal. Chegou aqui com 02 TR potencia e os 02 exitadores em curto e mais umas 10 peças ruins. Fiz o reparo, funcionou tudo certo e os TR de potencia nem estavam aquecendo. O cliente levou e dois dias depois queimou tudo de novo. Queria saber de vcs sobre os transistores de potência A1941 e C5198 coloquei no lugar o A1943 e o C5200 que são mais potentes e até maiores fisicamente. (comprei no Alí) Será que esses Transistores tbm são falsificados e já vem bixados da loja? Tem algum outro que eu poderia colocar no lugar? Queria saber a opinião de vcs. abs

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