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Samsung lança memória RAM até mil vezes mais rápida que um eFlash Essas memórias podem ser facilimente integradas a sistemas de Inteligência Artificial, dispositivos dotados de Internet das Coisas, microcontroladores e, claro, computadores de alta performance. Memória de acesso aleatório magnetoresistiva ou, simplesmente eMRAM. Este é o nome da memória que a Samsung começou a fabricar em escala comercial e cuja velocidade de gravação promete ser até mil vezes mais rápida que os já tradicionais eFlash. Além da rapidez, a eMRAM utiliza tensões mais baixas e alta escalabilidade. Com isso, elas podem ser facilimente integradas a sistemas de Inteligência Artificial, dispositivos dotados de Internet das Coisas, microcontroladores e, claro, computadores de alta performance. A tecnologia MRAM é não-volátil, ou seja, os dados não são apagados mesmo sem eletricidade como acontece com as memória NAND Flash, o que inclui ainda um consumo muito menor de energia. Além disso, elas podem processar dados tão rapidamente quanto a DRAM volátil e são considerados uma tecnologia de memória de última geração. Mas, como nada é perfeito, a capacidade de armazenamento da eMRAM é menor que as de suas "colegas". Este padrão suporta apenas 1 Gbit por chip, algo bem menor se comparado à memória flash que, atualmente, é superior a 1 Tbit por chip. Para completar, a produção de chips eMRAM usa a tecnologia de 28 nm (nanômetros) no padrão FD-SOI (full-depleted silicon-on-insulator ), também conhecido como 28FDS. A ideia é que as memórias eMRAM substituam as memórias flash embarcadas (eFlash) em um futuro próximo, com os benefícios que descrevemos acima. Fontes: https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-starts-commercial-shipment-of-emram-product-based-on-28nm-fd-soi-process?utm_source=rss&utm_medium=direct https://olhardigital.com.br/noticia/samsung-lanca-memoria-ram-ate-mil-vezes-mais-rapida-que-um-eflash/83405

Por via das dúvidas passe a malha dessoladora nos pads do u19

Voce já verificou se nos pinos A3 e A2 onde estava o U19 restou algum resíduo de solda, colocando-os em curto.

Verifique se o transistor PQ24 está em curto.

Dificil dizer se é um Diodo Zener, pela figura até parece ser um diodo, inclusive apresentando a faixa relacionada à indicação de catodo. Porque normalmente o diodo zener neste circuito funciona com tensão de referencia e normalmente tem um resistor em série para limitar a corrente. Você ja mediu a tensão no ponto onde vc retirou o componente? Sem o componente Z1, continua apresentando o mesmo defeito?

O circuito onde tem os resistores (pull up) fazem parte do power good, vc precisa focar primeiro no circuito que gera tensão VGPU, onde os transistores e CI PWM são os que tem maior possibilidades de mal funcionamento.

Vc checou a funcionalidade dos 4 MOSFET, os 2 de alta e os 2 de baixa do circuito?

O resistor de 1K que esta em série com a bateria também pode apresentar problemas. Meça o valor ohmico dos mesmo.

Verifique a Voltagem do pino 1 do conector clear cmos com e sem bateria, tem que ter 3,3 V...Se não tiver check os diodos do circuito CMOS.

Tente uasr o HIRENS Boot, neste existe várias ferramentas que possivelmente resolverá seu problema.

O fato de ter tensão no pino 1 da BIOS, não significa que a mesma esteja em perfeito funcionamento. Normalmente o pino 1 é o CS (Chip Select) e o mesmo faz comunicação com o Super I/O e neste tem um trem de pulso que só pode ser visualizado com um osciloscópio.

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