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Recebi essa placa para reparo e tive muita dificuldade em encontrar a especificação do mosfet de entrada A5VNF, então deixo a dica: Ele é o mosfet P0903BEA, que engloba as nomeclaturas A5ANB, A5GNB, A5GNC, A5GND, A5VNB, A5VNE e A5VNF. As especificações são: Type Designator: P0903BEA Marking Code: A5ANB_A5GNB_A5GNC_A5GND_A5VNB_A5VNE Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Pdⓘ - Maximum Power Dissipation: 33 W |Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 30 V |Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold Voltage: 3 V |Id|ⓘ - Maximum Drain Current: 48 A Tjⓘ - Maximum Junction Temperature: 150 °C Qgⓘ - Total Gate Charge: 31 nC trⓘ - Rise Time: 14 nS Cossⓘ - Output Capacitance: 193 pF Rdsⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.009 Ohm No meu caso eu substitui pelo mosfet FDMC7678, que encontrei na placa Dell DAJW8GMB8C1 (mosfets PQ1 e PQ4). Espero que ajude a quem precisar.

Estou com este nobreak Nobreak SMS (legrand) Net 4+ 1800 PCIV 029140 - Está acionando a proteção quando em modo inversor com 550 Watts de carga. Quando em funcionamento normal, na rede elétrica, o nobreak suporta uma carga boa, testei com mais de 1000 watts na saída e funcionou corretamente. Originalmente o defeito estava no circuito inversor. Fiz as substituições dos mosfets (todos eles), dos dois drivers e do LM324. Por suspeitar que o LM324 fosse carimbado, fiz novamente a substituição do mesmo e o defeito permanece. Alguém tem alguma idéia do que possa ser o causador deste defeito?

Comprei essa fonte na sucata por R$25 (costumo sempre ir lá) mas não achei os valores dos resistores R48 e R50 na internet, ficaria agradecido se pudessem compartilhar o valor dos resistores. Os mosfets são dois 20N60C.

Boa a noite a todos…. messe nobreak voltou para mim agora… queimando os mosfets… Se alguém tiver essa parte do esquema… para eu fazer uma varredura e achar o problema já me ajuda…. Ja verifiquei os capacitores e diodos em volta.. desconfio do D2 e o C31! E quem tiver passado por isso…. E quiser passar informações!!! obrigado…

Peguei esse notebook para estudo em eletrônica, de começo ele estava com um Mosfet 6514 carbonizado próximo ao processador, com isso eu troquei os dois mosfets para ter certeza e após a troca acendeu o Led porém eu apertei o power ele entrou em curto novamente. Aí fui fazer testes na fonte de bancada conectando direto no Jack e com uma tensão de 17v já começa a piscar o C.C do da fonte, porém não tenho osciloscópio para ver o que está acontecendo com isso eu coloquei álcool isopropílico em cima dos mosfetes de entrada e um deles fica pulsando e esquentando e em seguida o outro. Fiz medições no Mosfet e obtive: D do Mosfet é 16,93v então medi o ci charge bq735 e apresentou esses valores vcc = 16,40v, acdet = 2,52v, regn = 5,99v, acdrv = 0,55v, cmsrc = 0v, acok = 0v somente esses. O gate 0,10v do, e 0v no src do mosfet. 3 capacitores de filtro fecham continuidade assim na foto. Não sei o que é eu não achei esquema dessa placa mas tenho uma placa e um esquema parecido aqui de outro notebook Samsung. Quem puder me dar uma ajuda.Não sei se os mosfets que troquei queimaram de novo.(Foram realizadas as trocas de todos os mosfets em vermelho)

Boa noite pessoal, Sou novo no forum e no mundo da eletronica vou fazer um breve resumo, sou iniciante estou aprendendo como hobby que pode virar uma profissão, estou juntando diversos eletronicos de amigos que estão com defeitos e bantendo cabeça com eles para tentar arrumar e aprender com isso.. trouxe esse nobreak do trabalho, com defeito que não foi tentando conserto. No primeiro contato já vi que os Mosfest Q6 e Q8 estão fritos.. (Placa PCIV023942) Encontrei algum conteudo sobre inclusive o esquema eletrico, aqui no forum já achei outro topico falando sobre a queima de mosfet e foi sugerido a troca do driver L6387ED, Porem no esquema eletrico diz que a alimentação desse driver deve ser 15V, e estou encontrando 47V nessa alimentação. Testei Trafo e tem todas as medidas conforme Esquema, alguem teria uma sugestão, nessas circustancias não encontrei mais nada de conteudo que me auxilie "para onde ir" rsrsrs Obrigado pessoal PS não sei se estou no topico correto.

SMD-codes Active SMD semiconductor components marking codes Visualizar Arquivo Livro de dados sobre os códigos impressos nos componentes smd. Última edição atualizada em 2023, Uploader MCF Enviado 21/06/2024 Categoria Notebook  

estou com nobreak power sinus II troquei fets e um resistor de 1 ohms que estva aberto, porem apresnta o mesmo defeito piscando leds do painel em loop, e nao reconhece rede eletrica nem as baterias

Boa tarde, eu já fiz diversas pesquisas no YouTube para encontrar respostas de como saber se os mosfets e os capacitores smd estão em curto da minha placa, mas não encontro nenhum modelo se quer atual ou com o mesmo socket (1151), e os vídeos que são normalmente antigos, me deixa mais confuso, pois cada um dá explicações diferentes, alguém pode me ajudar a medir as tensões para saber se estão em curto?

Bom dia a todos, estou com essa placa que chegou com curto nos 12v da fonte, após analise encontrei duas fases em curto e o pwm, troquei o pwm e liguei sem as duas fases e deu vídeo normal, porém quando coloco os mosfets nessas fases eles queimam. Se eu injetar entre 1v e 1,5v tenho um consumo de até 1,5A na fonte porém o único que tem um leve aquecimento ( 30,6º ) é na região do processador. Pergunta: Essa placa as fases trabalham diretamente com o processador? Se for o processador, vale a pena deixar sem essas fases e usar assim? Essa placa é usada em sistema de cameras e não pra jogo. Deixando sem duas fases ela vai dividir a amperagem das 6 fases para 4 fases, talvez aumentar a dissipação de calor nos mosfets restantes? Abraços a todos e obrigado.

Com relação à substituição de Mosfets em fontes chaveadas, quando não temos à disposição o exato componente pode-se usar Mosfets com proteção zener interna (NK) em substituição aos Mosfets comuns (N) desde que tenham especificações iguais ou superiores de corrente e tensão? E se a resistência dreno-source for muito diferente (0,5R para 1,5R p.ex)? Se for muito menor preciso inserir um resistor para compensar? Posso usar sem preocupação valores bem maiores de tensão e amperagem que do componente a ser substituído (2Ax400V para 10Ax900V p.ex)?

Estou usando um multímetro digital para tesar mosfets, vamos supor que eu tenha 4 mosfet's IRF3306. Suponha que eu teste os 4. O primeiro ao ser chaveado apresenta leitura de 0,020V no multímetro. O segundo apresenta leitura de 0,157V. O terceiro apresenta leitura de 0,300V. O quarto apresenta leitura de 0,400V. As dúvidas que eu tenho: Por qual motivo existe essa divergência de valores, visto que o lote é o mesmo? Todos podem ser considerados bons, mesmo com essa divergência? Seria seguro usar esses mosfet's em um inversor, mesmo que apresentem esses valores divergentes entre eles?

Tenho uma caixa amplificada que em série ela liga normal,sai som normal,e a lâmpada acende fraca,porém quando liguei direto em 220v as saídas torraram,dois mosfets...eu coloquei irf9540n e o irf540n...o certo dela é irf9640 e irf640....será que coloquei de péssima qualidade? Onde encontra originais esses caras??? Me ajudem por favor,pra eu resolver esse pepino @ohm @Vicente25 @JoeRob @Chagas Moura @Átomos

Galera para eu encontrar um mosfet no datasheet......busco pelos números de cima ou de baicho.....pois em cima do mofet tem duas fileiras de numeros....qual deles posso colocar no datasheet

Boa tarde amigos. Comprei essa RX 470 4gb da Sapphire, relatos do dono anterior é que parou de funcionar sozinha. paguei 200 reais nela já sabendo q estava com defeito(acho que paguei bem caro), vou reparar ela e montar num pc gamer meu. Fiz analise inicial da placa no multímetro ET-1002, escala de diodo e encontrei vários capacitores em curto, nenhum mosfet em curto com GND.(foto) Fiz analise a olho e não encontrei nenhum capacitor estranho rachado ou quebrado, Sera que pode ser gpu? conector pci ex e alimentação 12v da fonte, nenhum deles tem curto com GND. Obs: não liguei ela no computador por conta q só tenho esse aqui agora, e meu cabo riser não chegou ainda. Obs2: minha fonte sendo uma cx750 cheia de proteções, posso ligar essa placa nele sem medo? Obs3: conector 12v da fonte, onde entra os 12v os pinos de alimentação estavão escuro, não carbonizado, mas deixa entender que não foi utilizado uma boa fonte com ela. Duvida: posso tentar ligar com esse monte de curto ? Duvida2: algum teste que esqueci? Duvida3: faço reflow pra ver se volta video ? (posteriormente um reball) Obrigado compreensão de todos.

Olá pessoal! Não sei se alguém já esbarrou na mesma dificuldade que tive aqui neste caso. O que acontece é que você se depara com um mosfet duplo danificado e não encontra um substituto, muitas vezes por conta da posição dos terminais do substituto não coincidirem com o footprint da placa. Então, resolvi compartilhar uma solução alternativa (também conhecida como "gambiarra"! rsrsrs) que utilizei com sucesso neste caso. O que fiz, foi encontrar dois mosfets normais SOIC8 que atendessem as especificações do mosfet duplo original. Em seguida, fiz uma pequena placa de circuito, usando placa virgem de fibra de vidro, onde "esculpi" as trilhas para acomodar os dois mosfets. Depois de montadas as plaquinhas com os mosfets, foi só conectá-las ao circuito, utilizando fios. Foi testado e funcionou perfeitamente!! Espero que ajude algum amigo numa situação semelhante. Seguem as fotos: Mosfet a ser substituído: Placa criada para montagem dos mosfets substitutos: Espaço suficiente bem ao lado das fontes!! Conexões já feitas. As placas foram fixadas à Placa mãe com fita VHB. Testes feitos com sucesso!

Olá, Tenho uma KTE-001 (300X) que está com esse sintoma. Queima sempre o mesmo mosfet. Já troquei o RSX por um que sei que funciona e o facto é que a consola funcionou, instalei o software e assim que entrou no XMB, desligou (blackout) e fui verificar e tinha novamente curto na linha dos 12V causado pelo mesmo mosfet. Fiz delid do RSX para verificar os condensadores no topo e tudo OK, no entanto a impedância do RSX está muito baiuxa 1.8ohm. Alguma sugestão? Obrigado

TV ligando e batendo relê, soltei alimentação placa Y-sus e tv ligou comsom e semimagem. Verifiquei mosfets ( Q5003 - Q5007 e Q5000 = RJP30E2 em curto ), troquei os mosfets e tv ligou com imagem, mais funciona por 2 a 3 minutos e volta a queimar os transistor, placa da fonte com tensões 100% e placa Z 100%. Agradeceria muito uma dica para o problema ou terei que trocar a placa inteira, grato.....

ola boa tarde para o grupo ... Eu tenho esta placa-mãe com 2 transistores danificados. serigrafia DQ13 e DQ7. A2724 e não encontro o mesmo. eles são da zona microprosesador.- Estou procurando alguém para sugerir uma substituição. desde já muito obrigado.

Boa tarde pessoal , sou leigo em Eletrônica e preciso da ajuda de vocês, em meu projeto preciso utilizar 3 mosfets ligados em serie, onde um dependa do outro para liberar a corrente. preciso acionar um push button para liberar a corrente do primeiro mosfet, que vai energisa o segundo , aí pressiono outro push button , que vai energisa o terceiro. E no final preciso de outro push para desligar todos os mosfets

Olá, o que devo considerar ao escolher um equivalente para os MOSFETs 24N60M2 e K1260U da fonte chaveada do playstation 4? em anexo os datasheets dos dois componentes. agradeço demais a ajuda! um abraço, Martin ]

https://eletronicabr.com/forums/topic/28067-smd-databook-2011/ Este tutorial está disponível no formato PDF no link abaixo. https://eletronicabr.com/files/file/23632-transistores-teoria-e-pratica-parte-6/

No tutorial anterior vimos um circuito com 3 mosfets e alguns outros componentes. Na verdade, o exemplo anterior foi baseado no circuito abaixo, que é parte do esquema da placa Shuttle A14HM02. Vamos ver algumas semelhanças entre eles. A alimentação deste circuito, que é de 19V, vem do conector CN19. Podemos ver os mosfets Q19 e Q25 (Canal N) e o U15 (Canal P). O sinal SAFTY_PROTECT(em verde) é equivalente à chave S1 do circuito anterior. Este sinal é controlado por outro circuito e o importante para nós, é que ele pode ter nível alto (S1 fechada) ou nível baixo (S1 aberta). Vemos também que no lugar da lâmpada L1, temos agora quatro saídas (em azul):DC_IN_B; DC_IN; VIN e CHG_VCC. Estas tensões irão alimentar outros estágios do notebook. O modo de funcionamento é o mesmo descrito na parte 4 do tutorial e faremos apenas um rápido resumo, já que foi visto com detalhes anteriormente. Para um funcionamento normal do aparelho, o sinal SAFTY_PROTECT deve estar em nível baixo. Com isso Q19 fica no corte e Q25 satura. E assim, temos a tensão no divisor resistivo R277 e R278, que leva tensão ao gate de U15. Com Q15 saturado, ele leva a tensão DC_IN+ do source até as quatro saídas citadas acima (em azul). Esta análise pode ser comparada à figura 1 do tutorial 4. Caso o sistema detecte algum mau funcionamento, o circuito responsável por gerar o sinal SAFTY_PROTECT atua, levando este sinal a um nível alto. Com isso, Q19 satura e Q25 fica no corte. Desta forma, o gate de U15 fica com a mesma tensão do source (19V) e fica no corte, impedindo que as saídas recebam alimentação. Esta situação é semelhante à figura 2 do tutorial 4. A rápida análise deste circuito teve a intenção de ressaltar a importância de conhecermos o funcionamento dos transístores. É claro que para um entendimento do circuito completo deste esquema, teríamos que analisar outros circuitos que fogem totalmente do nosso assunto principal. Sendo assim, veremos mais alguns exemplos baseados neste esquema, já que ele possui alguns circuitos que podemos analisar para fixar os conceitos que aprendemos até aqui sobre os transístores. Estes circuitos são amplamente usados em placas eletrônicas. Veja a imagem abaixo. Nela temos o mosfet Q10 que é responsável por gerar a tensão +3.3VS. Sabemos que é um mosfet de canal N, já que a seta no source nos indica isso. A alimentação deste mosfet é feita pela tensão de+3.3VA (em seu dreno) e é gerada em outra parte do circuito. Para termos a saída no source, este mosfet precisa estar saturado (chave dreno-source fechada). O sinal 3.3VS_ON_HV (seta azul) é o responsável pelo chaveamento de Q10. Concluímos com isso, que este sinal deve estar em nível alto para saturar o mosfet e gerar a tensão+3.3VS. Observe que a tensão+3.3VS é a mesma que a tensão+3.3VA que após passar através do mosfet, seu nome é alterado. Observe também que se não tivermos a tensão +3.3VS neste circuito, a primeira providência seria verificar se este transístor está recebendo a alimentação em seu dreno (+3.3VA) e em caso positivo, verificamos se a tensão no gate está em nível alto. Caso não exista a tensão no gate (3.3VS_ON_HV), teríamos que procurar onde este sinal é gerado e analisar seu circuito. Outra possibilidade seria o Q10 com defeito. Neste caso, teríamos as tensões no dreno e no gate, mas não no source. Vejamos outro exemplo. No circuito acima temos Q33 de Canal N e Q18 de Canal P. O sinal VIN é o mesmo da figura 1 acima e vamos considerar que ele já exista na placa. Sendo assim, ele é ligado ao source de Q18 através da bobina B12. Se o sinal LVDS_VIN (linha tracejada) estiver em nível baixo (0V), Q33 permanece no corte (chave dreno-source aberta). Com isso, Q18 também fica no corte, já que ele recebe uma tensão positiva no gate, através de R206 (pull-up). Como o gate de Q18 tem uma tensão igual à tensão do source, esta situação mantém o mosfet no corte e o sinal VIN_LCD na saída não existirá. Este sinal somente será gerado se Q18 estiver saturado. Agora, vamos considerar que o sinal LVDS_VIN tenha um nível alto. Com isso Q33 satura, já que temos no gate uma tensão positiva maior que a tensão do source deste mosfet. Com Q33 saturado, ele aterra o terminal de R206 que está ligado ao seu dreno e também o gate de Q18, que tem agora uma tensão no gate menor que a tensão do source, e entra em saturação gerando assim a tensão (sinal) VIN_LCD. Outro circuito muito usado é o que vemos na figura abaixo. Nele podemos ver o transístor Q48 (NPN) que é o responsável por gerar o sinal AUX_OFF. É um circuito interessante, já que este sinal (AUX_OFF) pode ter dois níveis diferentes. Vejamos como. Vamos considerar que a tensão +CPU_CORE já exista. Se o sinal H_THRMTRIP# estiver em nível baixo, a base de Q48 também irá estar em nível baixo mantendo esse transístor no corte. Com isso, a tensão+CPU_CORE flui através de R426 e o sinal AUX_OFF assume um nível alto. Se agora o sinal H_THRMTRIP# tem um nível alto, Q48 satura e aterra o terminal de R426 que está ligado ao seu coletor. Como o terminal do sinal AUX_OFF também está ligado ao coletor de Q48, ele também é aterrado e o sinal passa a ter um nível baixo (0 volt). Modos de Operação Vimos que os transístores para funcionarem, precisam de um nível de tensão fixo no gate, que pode ser um nível alto (saturado) ou baixo (corte). Este modo de operação é chamado de Modo Contínuo. É chamado assim porque, como vimos antes, a chave dreno-source fica apenas em dois estados: aberta ou fechada. Em outras palavras, o transístor fica no corte ou saturado. No modo contínuo, temos apenas estes dois estados. Existe também o Modo Pulsante em que o transístor funciona em conjunto com um circuito PWM. Este circuito é largamente usado em fontes chaveadas (conversores DC-DC). Não entraremos em detalhes sobre as fontes chaveadas, mas faremos alguns comentários sobre os transístores usados neste circuito. Veja que na figura acima temos os mosfets Q14 e Q15. Quem controla o estado de saturação e corte deles, neste caso, é o circuito integrado U3 que é um CI PWM. O importante para nós, é que os pinos 14 e 17 deste CI geram uma onda quadrada que será enviada ao gate dos mosfets. Para entender como este circuito funciona, devemos antes entender como funciona uma onda quadrada. Veja a figura abaixo. A onda quadrada inicia seu ciclo em 0 volt e permanece um certo tempo em nível baixo (em verde). Depois sobe para 5 volts e permanece algum tempo em nível alto (em vermelho). Em seguida, desce a nível baixo novamente (em marrom). Este processo se repete dezenas, ou mesmo, centenas de vezes por segundo, dependendo do CI PWM. Nos terminais 14 e 17 do CI PWM, temos ondas quadradas opostas (invertidas) em relação de uma para outra. Como vemos, a onda do terminal 14 inicia o ciclo em 0 volt, mantendo Q14 no corte. A onda que sai do terminal 17 inicia o ciclo em 5 volts e mantém o mosfet Q15 saturado. Quando os ciclos se invertem, o estado dos mosfets também inverte, ou seja, o que está no corte entra em saturação e o que estava saturado passa para o corte. Este é o modo de operação pulsante ou chaveado. Para facilitar o entendimento, imagine a chave dreno-source sendo aberta e fechada centenas de vezes por segundo. Neste caso, enquanto a chave dreno-source de Q14 estiver aberta, a chave de Q15 estará fechada. Como a inversão de ciclos ocorre diversas vezes por segundo, ao medirmos a tensão no gate com um multímetro, teríamos a falsa impressão de ter uma tensão positiva neste ponto. Vimos que ela varia rapidamente e o multímetro não é o instrumento ideal para este tipo de medição. Na verdade, o sinal no gate de mosfets que operam segundo o que acabamos de ver (Modo Pulsante) só é possível ser medido com a ajuda de um osciloscópio. Neste tipo de circuito, o mosfet que recebe a tensão da fonte em seu dreno, é chamado mosfet de alta (neste exemplo é o Q15) e o mosfet que tem o source ligado ao terra é chamado mosfet de baixa (Q14). A tensão de saída deste circuito é tomada na junção do source de Q15 e no dreno de Q14. O valor desta tensão também é dependente da frequência de operação do CI PWM. Conclusão Todas as informações e conclusões que tiramos dos exemplos vistos até aqui, só foram possíveis porque temos um circuito de referência (esquema) para fazermos a análise e esta é a importância de sabermos interpretar um esquema elétrico. Entendendo como funcionam os componentes que formam o circuito, a análise se torna bem mais fácil. Uma última informação antes de finalizar esta parte do tutorial, é que vemos em diversas literaturas, o transístor ser chamado de chaveador, comutador, acionador e etc. Isto é devido à função que o transístor desempenha em determinado circuito, mas de uma forma geral, o transístor sempre irá se comportar da forma que vimos aqui e nas apostilas anteriores. Na próxima parte deste tutorial, veremos como identificar um transístor na prática e como escolher um equivalente através do seu Datasheet. Até lá. Este tutorial está disponível no formato PDF no link abaixo. https://eletronicabr.com/files/file/23631-transistores-teoria-e-pratica-parte-5/

Nesta parte do tutorial veremos como funcionam as tensões de polarização dos transístores em detalhes. Vamos analisar o circuito da figura abaixo. Nela temos três mosfets, sendo que Q1 e Q3 são de canal N e Q2 de canal P. Temos essa informação devido à direção das setas no source destes componentes, conforme já vimos antes. Além dos mosfets, temos uma fonte 12V, uma chave S1, alguns resistores e uma lâmpada L1. Para ilustrar os diferentes caminhos que a corrente circula, cada linha possui uma cor e junto a ela temos os valores de tensão, representados por um quadrado da mesma cor da linha. Estes valores de tensão mostrados são uma estimativa dos valores dos resistores, que no momento, não são importantes para o nosso estudo. Nosso objetivo com este circuito é entender a polarização destes mosfets. Analisando o circuito da figura 1, vemos que a chave S1 está fechada, permitindo que o gate de Q3 receba uma tensão positiva (em verde) através de R5. Com isso, Q3 satura (conduz). Note que a chave S1 coloca R5 em série com R6. Da junção deste divisor de tensão (R5 e R6) é retirada a tensão positiva que irá polarizar o gate de Q3. Com Q3 saturado, toda a tensão que vem da fonte através de R1 em direção ao dreno de Q3 (em preto), é aterrada pelo fato do mosfet Q3 estar saturado. Vemos também que o gate de Q1 está em nível baixo, já que também está ligado ao dreno de Q3. Com isso, Q1 permanece em corte. Observe que o positivo da fonte (em vermelho) chega até o source de Q2, passa através de R3 e R4 e chega até o dreno de Q1 (que está no corte). Como esta linha não chega ao terra do circuito, temos em R3, R4 e dreno de Q1 a mesma tensão da fonte, indicada pelo quadrado junto ao dreno de Q1, que é de 12V. Portanto, a tensão na junção de R3/R4 é de 12v, que é a mesma que está no gate de Q2. Como Q2 é de Canal P, sabemos que ele precisa de uma tensão negativa no gate para conduzir. Como ele tem no gate uma tensão positiva (12V) ele permanecerá no corte. Concluímos com esta análise que a tensão positiva da fonte não chegará até a lâmpada L1 e ela permanecerá apagada. Vamos agora analisar o circuito da figura 2. Este circuito é o mesmo que o circuito anterior, exceto pela chave S1, que agora está aberta. Isso altera completamente o seu modo de funcionamento. Com a chave S1 aberta, não temos tensão positiva no gate de Q3 e ele fica no corte. O gate de Q3 permanece em nível baixo devido ao resistor R6 atuando como um resistor de Pull-Down. Com Q3 em corte, a tensão da fonte consegue chegar ao gate de Q1, através do divisor resistivo formado por R1 e R2 (em azul). Com isso, Q1 é saturado, já que agora temos uma tensão positiva em seu gate. Com Q1 saturado, ele aterra o terminal de R4 que está ligado ao seu dreno e a tensão da fonte circula através de R3 e R4. Como R3 e R4 formam um divisor de tensão, na junção entre eles existe agora uma tensão de 9V, que pode ser vista no quadrado em verde. Essa tensão de 9V chega ao gate de Q2 permitindo que ele sature e a tensão da fonte flui através dele até chegar na lâmpada L1 e esta acende. Adicionando informações Até aqui falamos que o mosfet de canal P precisava de uma tensão negativa no gate para saturar. Vamos agora entender como o circuito da figura 2, com 9V no gate conseguiu conduzir a tensão da fonte até a lâmpada, já que a tensão de 9V em seu gate é teoricamente positiva. Para mostrar de uma forma detalhada, vamos analisar o circuito da figura 1. Vamos começar com Q3. Sabemos que ele é um mosfet de canal N e para entrar em condução precisa de uma tensão positiva em seu gate. Essa informação não é novidade e já vimos isso em outra parte deste tutorial. Ainda na figura 1, o quadrado verde indica que temos 6V no gate de Q3. Para facilitar, foi reproduzido abaixo o circuito da figura 1, onde foi adicionado um multímetro. Veja a figura abaixo. Veja que estamos medindo a tensão no gate de Q3 e temos 6V, conforme indicado pelo multímetro. Note também que o source de Q3 está ligado ao terra do circuito. Podemos então dizer que estamos medindo a tensão entre o gate e o source de Q3. Sendo assim, a ponta de prova vermelha no gate indica que temos uma tensão de 6V acima da tensão do source, que é onde está a ponta de prova preta. Como já sabemos, as medidas de tensão são feitas com relação ao terra. Isso quer dizer que o multímetro indica o quanto a tensão na ponta de prova vermelha é maior que a tensão na ponta preta. Então podemos afirmar que o gate precisa de uma tensão maior que o source para entrar em condução (saturar). Anteriormente neste tutorial, foi falado que o mosfet Canal N precisa de tensão positiva no gate para conduzir. Comparando as duas afirmações, vemos que as duas são verdadeiras. O que acontece é que antes não tínhamos uma referência para a tensão de gate. Simplesmente admitimos que ela seria positiva. Agora sabemos que essa tensão positiva precisa ser maior que a tensão de source do mosfet para ele saturar. Então, a partir de agora, vamos considerar que: O mosfet de canal N para saturar precisa de uma tensão positiva no gate maior que a tensão do source. Veja que na figura 2 acima, a chave S1 está aberta e o source de Q3 está ligado ao terra pelo resistor R6. Podemos ver que neste caso o gate e o source tem a mesma tensão (0V) e com isso, Q3 fica no corte. Voltando a falar dos transístores bipolares, tudo que foi visto até agora para o mosfet de canal N, servirá para o bipolar do tipo NPN. Fazendo as devidas alterações, quanto ao nome dos terminais, ficaria assim: O transístor NPN para saturar precisa de uma tensão positiva na base maior que a tensão do emissor. Fica claro, que tudo que foi visto para Q3 do circuito acima, serve para Q1 porque ambos são de Canal N. Vamos analisar o caso de Q2 acompanhando a figura abaixo: Para medir Q2, vamos manter a ponta vermelha do multímetro no gate e a ponta preta no source do mosfet, exatamente como fizemos no caso anterior com Q3. Veja que temos a leitura de 3V negativos no multímetro (-3V). Essa medição nos indica que o gate está 3 volts mais negativo que o source. Já que o gate está com tensão negativa (em relação ao source), esta é a condição que o mosfet de Canal P precisa para saturar. Com isso o mosfet Q2 satura e a tensão da fonte consegue chegar até a lâmpada L1. Podemos afirmar que o mosfet de Canal P para saturar precisa de tensão negativa no gate. Também sabemos agora que esta tensão do gate é negativa em relação ao source do mosfet. Observe que a nossa tensão de referência neste caso, foi o positivo da fonte, porque o source do mosfet está ligado a este ponto. Independente de onde o source estiver ligado, ele sempre será nossa referência para medir a tensão do gate. Da mesma forma, o transístor bipolar PNP precisa de tensão negativa na base (com relação ao emissor) para saturar. Com estes exemplos, acredito que tenha ficado claro o funcionamento da tensão de polarização nos mosfets. Simplificando as medidas Na prática, seria suficiente fazer a medição tendo como referência o terra do circuito. Se fixarmos a ponta preta do multímetro no terra do circuito e com a ponta de prova vermelha medirmos o gate do mosfet e depois medirmos o source, teríamos uma das seguintes situações: Para o mosfet de Canal N A tensão do gate é maior que a tensão do source → O mosfet está saturado. A tensão no gate é igual ou menor que a tensão do source → O mosfet está em corte. Para o mosfet de Canal P A tensão do gate é menor que a tensão do source → O mosfet está saturado. A tensão no gate é igual ou maior que a tensão do source → O mosfet está em corte. Da mesma forma esta regra pode ser aplicada aos transístores bipolares: Bipolar NPN A tensão na base é maior que a tensão do emissor → O transístor está saturado. A tensão na base é igual ou menor que a tensão do emissor → O transístor está em corte. Bipolar PNP A tensão da base é menor que a tensão no emissor → O transístor está saturado. A tensão da base é igual ou menor que a tensão no emissor → O transístor está em corte. Com estas novas informações, podemos ver na figura 1 abaixo que: - Q3 tem uma tensão no gate maior que a tensão do source e por isso está saturado. - Q1 tem uma tensão de gate igual à tensão do source e por isso está no corte. - Q2 tem uma tensão no gate igual à tensão do source e por isso está no corte. Se Q2 está no corte, a tensão da fonte não chega até a lâmpada e esta fica apagada. Muito mais fácil e prático, não é mesmo? Vamos ver mais um exemplo como o da figura 2 abaixo, onde: - Q3 tem uma tensão de gate igual à tensão do source e por isso no corte. - Q1 tem uma tensão no gate maior que a tensão do source e por isso está saturado. - Q2 tem uma tensão no gate menor que a tensão do source e por isso está saturado. Com Q2 saturado, a lâmpada recebe a tensão da fonte e acende. Com o resumo acima, fica muito mais fácil analisar o estado dos transístores no circuito. Compare esta análise que acabamos de fazer com a que foi feita no início deste tutorial (topo da página). Resumo Um resumo do que vimos está na tabela abaixo, onde podemos ver a condição necessária para o transístor saturar. Qualquer estado diferente da tabela, podemos admitir que o transístor estará em estado de corte. Mosfet Canal N Tensão do Gate MAIOR que a tensão do SOURCE SATURADO Mosfet Canal P Tensão do Gate MENOR que a tensão do SOURCE SATURADO Bipolar NPN Tensão da Base MAIOR que a tensão de EMISSOR SATURADO Bipolar PNP Tensão da Base MENOR que a tensão de EMISSOR SATURADO Os circuitos mostrados nesta parte do tutorial foram apenas com fins didáticos e podem até parecer sem sentido, já que existem outras formas para ligar uma lâmpada sem o uso de mosfets. Na próxima parte do tutorial será mostrado um exemplo deste mesmo circuito em uma aplicação comercial, além de outras informações, é claro. Até lá. Este tutorial está disponível no formato PDF no link abaixo. https://eletronicabr.com/files/file/23630-transistores-teoria-e-pratica-parte-4/